PCB keramik

Bahan-bahan umum kalebet aluminium oksida (Al₂O₃, kamurnian 60%-96%), aluminium nitrida (AlN), sareng bérilium oksida (BeO, laun-laun diganti kusabab toksisitas). 96% aluminium oksida nyumbang langkung ti 60% aplikasi.

Al₂O₃ (96%) nyaéta kira-kira 25W/m・K, AlN ngahontal 170-230W/m・K, sareng bérilium oksida (BeO) nyaéta kira-kira 250W/m・K.

Aluminium oksida (6-7 ppm/°C), aluminium nitrida (4,5 ppm/°C), jauh leuwih handap tibatan FR4 anu 18-22 ppm/°C.

Dina suhu kamar, résistansi insulasi substrat Al₂O₃ nyaéta >10¹⁴Ω, sareng résistansi substrat AlN nyaéta >10¹³Ω.

Konstanta dielektrik 96% aluminium oksida nyaéta sakitar 9,8 (1MHz), sareng AlN nyaéta sakitar 8,5 (1MHz).

Suhu operasi: -55℃~300℃, tiasa tahan suhu luhur jangka pondok anu ngaleuwihan 800℃.

Karasa Mohs nyaéta 6-9, aluminium oksida (96%) ngahontal tingkat 7, kalayan kasusah pamrosésan anu luhur.

Al₂O₃ (96%) nyaéta kira-kira 3,85 g/cm³, jeung AlN nyaéta kira-kira 3,26 g/cm³.

Leungitna dielektrik anu handap (tanδ

Laju nyerep cai

Prosés pilem kandel (sablon), prosés pilem ipis (sputtering/evaporasi), prosés co-firing (HTCC/LTCC), jsb.

Suhu sintering HTCC nyaéta 1500-1600℃, LTCC nyaéta 850-900℃; LTCC tiasa ngahijikeun komponén pasif kalayan biaya anu langkung luhur.

Prosés film ipis tiasa ngahontal lébar/jarak garis 10μm/10μm, sareng prosés film kandel sakitar 100μm/100μm.

Diaméter liang minimum pikeun pangeboran laser nyaéta 50μm, sareng pikeun pangeboran mékanis nyaéta 100μm.

Tambaga beungkeutan langsung (DBC), mematri logam aktif (AMB), percetakan film kandel.

Kandel lapisan tambaga umum nyaéta 0,1-0,3mm, maksimalna nepi ka 0,5mm.

Kakuatan beungkeutan >25N/mm, waktos siklus termal ngaleuwihan 1000 kali (-40℃~150℃).

Prosés pilem ipis Ra

Motong laser, motong dadu, motong mékanis. Akurasi motong laser nyaéta ±25μm.

Hasil prosés film ipis sakitar 85%-90%, sareng prosés film kandel sakitar 90%-95%.

Ulah nganggo desain sudut seukeut, radius fillet ≥0.2mm; tambahkeun liang disipasi panas di daérah anu gaduh setrés termal anu pekat.

Ngaliwatan beungkeutan chip flip, beungkeutan kawat, las eutektik, jsb. Ikatan chip flip ngagaduhan résistansi termal ngan ukur 0,5 ℃/W.

Stasion pangkalan 5G (leungitna sinyal

Ngurangan résistansi termal. Ngagunakeun substrat AlN dina modul IGBT tiasa ngirangan résistansi termal dugi ka 1,5 ℃/W.

Bisa dipaké dina unit kontrol mesin (ECU), kalayan résistansi suhu luhur sareng résistansi geter anu saé pisan.

Substrat disipasi panas LED daya tinggi, kalayan résistansi termal anu tiasa dikirangan dugi ka handap 3℃/W.

Pikeun foil tambaga 1oz dina kanaékan suhu 10℃, lébar garis 1mm tiasa nampung sakitar 2A.

Ditumpuk ngaliwatan prosés co-firing, LTCC tiasa ngahontal langkung ti 100 lapisan paling seueur.

Kakuatan fléksibel Al₂O₃ (96%) >300MPa, sareng AlN >350MPa.

Tahan radiasi (tiasa nahan dosis 10⁶Gy), hampang (kapadetan sakitar 1/3 tina substrat logam).

Uji siklus termal (-40℃~125℃, 1000 kali), uji panas lembab (85℃/85% RH, 1000 jam).

Retakan lapisan metalisasi (waktu siklus kagagalan substrat Al₂O₃ DBC sakitar 500-800 kali).

Kandelna 1mm tiasa nahan ≥5kV, tegangan awal debit parsial >2kV.

Uji ngelupasna pita (pita 3M 610), teu aya lapisan logam anu coplok.

Dina kaayaan kerja normal, éta tiasa ngahontal langkung ti 10 taun, sareng dina lingkungan suhu luhur sareng kalembaban luhur, éta disingget janten 5 taun.

Deteksi sinar-X, mikroskop scan ultrasonik (C-SAM), kalayan résolusi dugi ka 10μm.

Geteran sinusoidal 5-2000Hz, akselerasi 5g, tahan 2 jam tanpa retakan.

Uji semprot uyah 96 jam (larutan NaCl 5%), teu aya korosi dina lapisan metalisasi.

Modél awak manusa (HBM) >2kV, modél mesin (MM) >200V.

-40℃~150℃, waktos konvérsi

Hargana substrat keramik 5-10 kali lipat tibatan FR4, utamina kusabab bahan sareng prosés anu rumit.

Produksi massal, optimasi prosés (sapertos nganggo pilem kandel tinimbang pilem ipis), milih bahan anu murah (sapertos 60% aluminium oksida).

Kinerja insulasi anu langkung saé (substrat logam peryogi lapisan insulasi), sareng koefisien ékspansi termal langkung cocog sareng chip.

Aluminium oksida (60%)

Jenis bahan, kompleksitas prosés, jumlah lapisan, ukuran, jumlah pesenan.

Bisa kahontal ngaliwatan prosés rigid-flex, kalayan kanaékan biaya 20%-30%.

Ngawakilan sakitar 15%-20% tina total biaya, sareng paningkatan hasil panén tiasa ngiranganana sacara signifikan.

Nalika jumlah pesenan ngaleuwihan 5.000 potongan, biaya per unit turun sacara signifikan.

Siklus pamekaran anu panjang (3-6 bulan), biaya kapang anu luhur (sakitar 50.000-100.000 yuan).

Kinerja disipasi panas substrat AlN nyaéta 3 kali lipat tibatan PCB berbasis aluminium, tapi biayana 4 kali langkung luhur

Dipasang ku sekrup atanapi dihijikeun ku perekat konduktif termal (résistansi termal

Suhu puncak solder reflow: 240-260℃, durasi

Tiasa dianggo deui, tapi suhu anu luhur tiasa nyababkeun retakan keramik kalayan tingkat kasuksésan sakitar 70%.

Bersihkeun nganggo beberesih ultrasonik IPA (isopropil alkohol) salami

Jaga kalembaban lingkungan operasi dina 40%-60% sareng anggo gelang anti-statik.

Pilih bahan anu gaduh koefisien ékspansi termal anu sami sareng eusian celahna ku gajih silikon konduktif termal.

Teu disarankeun, sabab setrés termal tiasa nyababkeun retakan keramik.

Torsi pikeun sekrup M3: 0.8-1.2N・m pikeun nyingkahan konsentrasi tegangan.

Deteksi titik panas ngalangkungan pencitraan termal infrabeureum sareng pariksa konéktivitas ngalangkungan uji résistansi.

Panyimpenan: kalembaban

IPC-6012 (Spésifikasi Kinerja pikeun Papan Cetak Kaku), MIL-P-55110 (Standar Militer).

Sertifikasi UL (tahan seuneu), sertifikasi RoHS (bébas zat bahaya), ISO 9001.

Minuhan uji lingkungan MIL-STD-810G kalayan sarat résistansi geter sareng dampak anu ketat.

Meryogikeun sertifikasi AEC-Q100 (chip) sareng AEC-Q200 (komponén pasif).

Patuh kana peraturan EU REACH, anu ngawatesan panggunaan zat bahaya sapertos timbal sareng kadmium.

Rating UL 94 V-0 (henteu nyebar seuneu), indéks oksigén >30%.

Patuh kana sistem manajemen kualitas alat médis ISO 13485.

Meryogikeun sertifikasi sistem manajemen kualitas aerospace AS9100.

Saluyu sareng standar radiasi éléktromagnétik EN 55032, émisi anu dilakukeun

Badan sertifikasi pihak katilu: SGS, TÜV, Intertek.

Pariksa prosés beungkeutan (contona, oksidasi foil tambaga DBC) sareng prosés deui permukaanana.

Eusian retakan leutik ku résin époksi; ganti substrat pikeun retakan anu parah.

Saluyukeun profil suhu patri sareng kontrol aktivitas fluks (tingkatan RA).

Optimalkeun kabel, anggo bahan konstanta dielektrik anu handap, sareng tambahkeun lapisan pentanahan.

Pariksa jalur konduksi termal sareng uji résistansi termal (target

Prosés sintering anu henteu rata atanapi pangurangan setrés termal anu henteu cekap; optimalkeun prosés manufaktur.

Bersihkeun nganggo plasma pikeun miceun sésa-sésa organik.

Uji résistansi insulasi (1000V DC) pikeun milarian titik bocor.

Kuatkeun lapisan pelindung (contona, palapis nikel-emas) sareng hindari gas korosif.

Ningkatkeun ketebalan substrat (≥0.5mm) sareng optimalkeun desain juru.

Pangipisan (

Silikon nitrida (Si₃N₄), kalayan konduktivitas termal anu luhur (100W/m・K) sareng kakuatan anu luhur.

Percetakan 3D keramik parantos ngawujudkeun struktur disipasi panas anu rumit kalayan presisi 50μm.

Optimalkeun distribusi termal ngalangkungan algoritma simulasi, singgetan siklus desain ku 30%.

Dianggo dina modul daya SiC kalayan tingkat pertumbuhan pasar taunan langkung ti 20%.

Leungitna dielektrik anu handap nyumponan kabutuhan komunikasi frékuénsi luhur, kalayan paménta diperkirakeun bakal ningkat 50% dina taun 2025.

Pasta film kandel basis cai ngagantikeun pangleyur organik pikeun ngurangan émisi VOC.

Kasusah dina cocogkeun koéfisién ékspansi termal, meryogikeun bahan lapisan panyangga.

Litografi EUV ngahontal sirkuit tingkat 10nm, anu ayeuna dina tahap laboratorium.

Stabilitas anu luhur dina suhu anu handap tiasa ngajantenkeun éta pamawa pikeun chip kuantum.

Résistansi suhu maksimum: 800℃, meryogikeun bahan metalisasi suhu luhur (contona, metode molibdenum-mangan).

Tahan tekanan 100MPa sareng kéngingkeun panyalindungan IP68 ngalangkungan pot.

Anggo keramik anu tahan radiasi (contona, silikon karbida) pikeun ngalindungan radiasi neutron.

Kontrol impedansi karakteristik (50Ω) sareng ngirangan karugian dielektrik (tanδ

Ngadopsi struktur disipasi panas mikro-kanal kalayan kapadetan fluks panas dugi ka 100W/cm².

Diperlukeun pasivasi permukaan, saluyu sareng uji biologis ISO 10993.

Résistansi suhu luhur sareng insulasi, ningkatkeun efisiensi sistem ku 1%-2%.

Minuhan sarat insulasi DC tegangan tinggi (HVDC), tahan tegangan ≥10kV.

Anggo kurung panyerep goncangan sareng hindari frékuénsi eksitasi éksternal pikeun frékuénsi alami.

Integrasikeun sareng chip MEMS pikeun ngahontal miniaturisasi sareng desain daya rendah