د سیرامیک PCB

عام مواد د المونیم اکسایډ (Al₂O₃، 60%-96% پاکوالی)، المونیم نایټرایډ (AlN)، او بیریلیم اکسایډ (BeO، په تدریجي ډول د زهرجنیت له امله بدل شوی) شامل دي. 96% المونیم اکسایډ د 60% څخه ډیر غوښتنلیکونه جوړوي.

Al₂O₃ (۹۶٪) تقریبا ۲۵ واټ/متر・K دی، AlN ۱۷۰-۲۳۰ واټ/متر・K ته رسیږي، او بیریلیم اکسایډ (BeO) شاوخوا ۲۵۰ واټ/متر・K دی.

د المونیم اکسایډ (6-7 ppm/°C)، المونیم نایټرایډ (4.5 ppm/°C)، د FR4 د 18-22 ppm/°C په پرتله خورا ټیټ.

د خونې په تودوخه کې، د Al₂O₃ سبسټریټونو د عایق مقاومت >10¹⁴Ω دی، او د AlN سبسټریټونو مقاومت >10¹³Ω دی.

د ۹۶٪ المونیم اکسایډ ډایالټریک ثابت شاوخوا ۹.۸ (۱MHz) دی، او د AlN شاوخوا ۸.۵ (۱MHz) دی.

د عملیاتي تودوخې درجه: -55 ℃ ~ 300 ℃، کولی شي د لنډمهاله لوړې تودوخې سره چې له 800 ℃ څخه زیاته وي مقاومت وکړي.

د محس سختۍ ۶-۹ ده، د المونیم اکسایډ (۹۶٪) کچه ۷ ته رسیږي، د پروسس کولو لوړې ستونزې سره.

Al₂O₃ (۹۶٪) تقریبا ۳.۸۵ ګرامه/سانتي متره دی، او AlN تقریبا ۳.۲۶ ګرامه/سانتي متره دی.

ټیټ ډایالټریک ضایع (tanδ＜0.002)، د سیګنال لیږد کې کوچنی ځنډ.

د اوبو د جذب کچه

د ضخامت فلم پروسه (د سکرین چاپ کول)، د نري فلم پروسه (تویول/تبخیر)، د ګډ اور اچولو پروسه (HTCC/LTCC)، او داسې نور.

د HTCC سینټرینګ تودوخه 1500-1600 ℃ ده، LTCC 850-900 ℃ ده؛ LTCC کولی شي غیر فعال اجزا د لوړ لګښت سره مدغم کړي.

د نري فلم پروسه کولی شي د کرښې پلنوالی/فاصله 10μm/10μm ترلاسه کړي، او د موټي فلم پروسه شاوخوا 100μm/100μm ده.

د لیزر برمه کولو لپاره د سوري لږترلږه قطر 50μm دی، او د میخانیکي برمه کولو لپاره 100μm دی.

د مسو مستقیم تړل (DBC)، د فعال فلزي بریزینګ (AMB)، د موټ فلم چاپ کول.

د مسو د طبقې عمومي ضخامت 0.1-0.3 ملي متره دی، په اعظمي حد کې تر 0.5 ملي متره پورې.

د تړلو ځواک >25N/mm، د تودوخې دورې وختونه له 1000 ځله څخه ډیر دي (-40℃~150℃).

د نري فلم پروسه Ra

د لیزر پرې کول، ټوټه کول، میخانیکي پرې کول. د لیزر پرې کولو دقت ±25μm دی.

د نري فلم پروسې حاصل شاوخوا 85٪-90٪ دی، او د موټي فلم پروسې شاوخوا 90٪-95٪ دی.

د حاد زاویې ډیزاین څخه ډډه وکړئ، د فلیټ شعاع ≥0.2 ملي میتره؛ په هغو سیمو کې د تودوخې ضایع کولو سوري اضافه کړئ چې متمرکز حرارتي فشار لري.

د فلیپ چپ بانډینګ، تار بانډینګ، یوټیکټیک ویلډینګ، او داسې نورو له لارې. د فلیپ چپ بانډینګ د 0.5℃/W په څیر ټیټ حرارتي مقاومت لري.

د 5G بیس سټیشنونه (د سیګنال ضایع

د حرارتي مقاومت کمول. په IGBT ماډلونو کې د AlN سبسټریټ کارول کولی شي د حرارتي مقاومت 1.5℃/W ته راټیټ کړي.

د انجن کنټرول واحدونو (ECUs) کې کارول کیدی شي، د لوړ تودوخې مقاومت او وایبریشن مقاومت سره.

د لوړ ځواک LED تودوخې ضایع کولو سبسټریټونه، د تودوخې مقاومت سره چې د 3 ℃/W څخه ښکته کم کیدی شي.

د 10 درجو د تودوخې لوړوالي لاندې د 1oz مسو ورق لپاره، د 1mm کرښې پلنوالی تقریبا 2A لیږدولی شي.

د ګډ ډزو پروسو له لارې راټول شوی، LTCC کولی شي په اعظمي توګه له 100 څخه ډیر پرتونه ترلاسه کړي.

د Al₂O₃ (96٪) >300MPa، او د AlN >350MPa انعطاف وړ ځواک.

د وړانګو مقاومت (د 10⁶Gy دوز سره مقاومت کولی شي)، سپک وزن (کثافت د فلزي سبسټریټ شاوخوا 1/3).

د تودوخې دورې ازموینه (-40℃~125℃، 1000 ځله)، د لندبل تودوخې ازموینه (85℃/85٪ RH، 1000h).

د فلزي کولو طبقې درزونه (Al₂O₃ DBC سبسټریټ د ناکامۍ دورې شاوخوا 500-800 ځله).

د ۱ ملي میتر ضخامت د ۵ کیلو واټو څخه پورته مقاومت کولی شي، د جزوي خارجیدو د پیل ولتاژ>۲ کیلو واټ.

د ټیپ د پاکولو ازموینه (3M 610 ټیپ)، د فلزي طبقې جلا کول نشته.

د عادي کاري شرایطو لاندې، دا کولی شي له 10 کلونو څخه ډیر وخت ته ورسیږي، او په لوړه تودوخه او لوړ رطوبت چاپیریال کې، دا 5 کلونو ته لنډ شوی.

د ایکس رې کشف، د الټراسونک سکین کولو مایکروسکوپ (C-SAM)، تر 10μm پورې ریزولوشن سره.

د سینوسایډل وایبریشن ۵-۲۰۰۰ هرټز، سرعت ۵ ګرامه، پرته له درزونو څخه ۲ ساعته دوام کوي.

د مالګې سپرې ازموینه ۹۶ ساعته (۵٪ NaCl محلول)، د فلزاتو طبقې زنګ نه لګېږي.

د انسان د بدن ماډل (HBM) >2kV، د ماشین ماډل (MM) >200V.

-۴۰℃~۱۵۰℃، د تبادلې وخت

د سیرامیک سبسټریټ لګښت د FR4 په پرتله 5-10 ځله دی، په عمده توګه د پیچلو موادو او پروسو له امله.

په پراخه کچه تولید، د پروسې اصلاح کول (لکه د پتلي فلم پر ځای د موټي فلم کارول)، د ټیټ لګښت لرونکي موادو غوره کول (لکه 60٪ المونیم اکسایډ).

د موصلیت غوره فعالیت (فلزي سبسټریټونه د موصلیت پرتونو ته اړتیا لري)، او د تودوخې پراختیا ضخامت د چپس سره ډیر مطابقت لري.

د المونیم اکسایډ (60٪) د المونیم اکسایډ (96٪) د المونیم نایټرایډ بیریلیم اکسایډ (د بندیز رجحان).

د موادو ډول، د پروسې پیچلتیا، د طبقو شمیر، اندازه، د امر مقدار.

د سخت انعطاف پروسې له لارې ترلاسه کیدی شي، د لګښت 20٪-30٪ زیاتوالي سره.

د ټول لګښت شاوخوا ۱۵٪-۲۰٪ جوړوي، او د حاصلاتو ښه والی کولی شي دا د پام وړ کم کړي.

کله چې د امر مقدار له 5,000 ټوټو څخه ډیر شي، د واحد لګښت د پام وړ کمیږي.

د پراختیا اوږده دوره (۳-۶ میاشتې)، د مولډ لوړ لګښت (شاوخوا ۵۰،۰۰۰-۱۰۰،۰۰۰ یوان).

د AlN سبسټریټونو د تودوخې د ضایع کولو فعالیت د المونیم پر بنسټ PCBs په پرتله 3 ځله دی، مګر لګښت یې 4 ځله لوړ دی.

د پیچونو په واسطه تنظیم شوی یا د تودوخې چلونکي چپکونکي سره تړل شوی (د تودوخې مقاومت

د ریفلو سولډرینګ لوړ حرارت: 240-260 ℃، موده

د بیا کار وړ، مګر لوړه تودوخه ممکن د سیرامیک درزونو لامل شي چې د بریالیتوب کچه یې شاوخوا 70٪ ده.

د IPA (آیسوپروپیل الکول) الټراسونیک پاکولو سره د 10 دقیقو څخه کم وخت لپاره پاک کړئ.

د عملیاتي چاپیریال رطوبت د 40٪-60٪ په کچه وساتئ او د جامد ضد لاس بندونه واغوندئ.

هغه مواد غوره کړئ چې د تودوخې د پراخېدو ضریبونه ورته وي او تشې د تودوخې چلونکي سیلیکون غوړ سره ډکې کړئ.

سپارښتنه نه کیږي، ځکه چې د تودوخې فشار ممکن د سیرامیک درزونو لامل شي.

د M3 سکرو لپاره تورک: 0.8-1.2N・m ترڅو د فشار غلظت څخه مخنیوی وشي.

د انفراریډ حرارتي عکس اخیستنې له لارې ګرم ځایونه کشف کړئ او د مقاومت ازموینې له لارې ارتباط وګورئ.

ذخیره کول: رطوبت

IPC-6012 (د سختو چاپ شویو بورډونو لپاره د فعالیت مشخصات)، MIL-P-55110 (پوځي معیار).

د UL تصدیق (د اور ضد)، د RoHS تصدیق (له خطرناکو موادو څخه پاک)، ISO 9001.

د MIL-STD-810G چاپیریالي ازموینې سره د سخت وایبریشن او اغیز مقاومت اړتیاو سره پوره کړئ.

د AEC-Q100 (چپس) او AEC-Q200 (غیر فعال اجزا) تصدیقونو ته اړتیا ده.

د اروپايي اتحادیې د لاسرسي مقرراتو سره سم عمل وکړئ، د خطرناکو موادو لکه سیسه او کیډیمیم کارول محدود کړئ.

د UL 94 V-0 درجه بندي (د اور لمبې نه خپریږي)، د اکسیجن شاخص> 30٪.

د ISO 13485 طبي وسایلو د کیفیت مدیریت سیسټم سره مطابقت ولرئ.

د AS9100 فضايي کیفیت مدیریت سیسټم تصدیق ته اړتیا ده.

د EN 55032 الکترومقناطیسي وړانګو معیارونو سره سم عمل وکړئ، چې د

د دریمې ډلې تصدیق ادارې: SGS، TÜV، انټرټیک.

د نښلولو پروسه معاینه کړئ (د مثال په توګه، د DBC مسو ورق اکسیډیشن) ​​او سطحه بیا پروسس کړئ.

کوچنۍ درزونه د ایپوکسي رال سره ډک کړئ؛ د سختو درزونو لپاره سبسټریټ بدل کړئ.

د سولډرینګ د تودوخې پروفایل تنظیم کړئ او د فلکس فعالیت کنټرول کړئ (RA درجه).

د تارونو اصلاح کول، د ټیټ ډایالټریک ثابت موادو څخه کار واخلئ، او د ځمکې پرتونه اضافه کړئ.

د تودوخې د لیږد لارې معاینه کړئ او د تودوخې مقاومت ازموینه وکړئ (هدف

د سینټر کولو نا مساوي پروسه یا د تودوخې فشار ناکافي راحت؛ د تولید پروسه غوره کړئ.

د عضوي پاتې شونو لرې کولو لپاره د پلازما سره پاک کړئ.

د عایق مقاومت ازموینه (۱۰۰۰V DC) د لیکج نقطو موندلو لپاره.

محافظتي پوښښونه (د مثال په توګه، د نکل-سرو زرو پوښل) پیاوړي کړئ او د زنګ وهونکو ګازونو څخه مخنیوی وکړئ.

د سبسټریټ ضخامت (≥0.5mm) زیات کړئ او د کونج ډیزاین غوره کړئ.

نري کول (

سیلیکون نایټرایډ (Si₃N₄)، د لوړ حرارتي چالکتیا (100W/m・K) او ځواک سره.

د سیرامیک درې بعدي چاپ د ۵۰μm دقیقیت سره د تودوخې د ضایع کیدو پیچلي جوړښتونه احساس کړي دي.

د سمیولیشن الګوریتمونو له لارې د تودوخې ویش غوره کړئ، د ډیزاین دوره 30٪ لنډه کړئ.

د SiC بریښنا ماډلونو کې کارول کیږي چې د کلني بازار ودې کچه یې له 20٪ څخه زیاته ده.

ټیټ ډایالټریک ضایع د لوړ فریکونسۍ مخابراتو اړتیاوې پوره کوي، او تمه کیږي چې تقاضا به تر 2025 پورې 50٪ وده وکړي.

د اوبو پر بنسټ د موټی فلم پیسټونه د عضوي محلولونو ځای نیسي ترڅو د VOC اخراج کم کړي.

د تودوخې پراختیا ضریبونو سره په مطابقت کې ستونزه، د بفر طبقې موادو ته اړتیا لري.

د EUV لیتوګرافي د 10nm کچې سرکټونه ترلاسه کوي، چې دا مهال په لابراتوار مرحله کې دي.

په ټیټه تودوخه کې لوړ ثبات ممکن دوی د کوانټم چپس لپاره وړونکي کړي.

د تودوخې اعظمي مقاومت: 800 ℃، د لوړې تودوخې فلز کولو موادو ته اړتیا لري (د مثال په توګه، د مولیبډینم-منګنیز میتود).

د 100MPa فشار سره مقاومت وکړئ او د پوټینګ له لارې د IP68 محافظت ترلاسه کړئ.

د نیوټرون وړانګو د ساتنې لپاره د وړانګو په وړاندې مقاومت لرونکي سیرامیکونه (د مثال په توګه، سیلیکون کاربایډ) وکاروئ.

د ځانګړتیا خنډ (50Ω) کنټرول کړئ او ډایالټریک ضایع کم کړئ (tanδ

د تودوخې د جریان کثافت تر 100W/cm² پورې د مایکرو چینل تودوخې تحلیل جوړښتونه غوره کړئ.

د سطحې غیر فعال کول اړین دي، د ISO 10993 بیولوژیکي ازموینې سره سم.

د تودوخې لوړ مقاومت او عایق، د سیسټم موثریت 1٪-2٪ ښه کوي.

د لوړ ولټاژ DC (HVDC) موصلیت اړتیاوې پوره کړئ، ولټاژ د ≥10kV سره مقاومت لري.

د شاک جذبونکي قوسونه وکاروئ او د طبیعي فریکونسۍ لپاره د بهرني جوش فریکونسۍ څخه ډډه وکړئ.

د MEMS چپسونو سره یوځای کړئ ترڅو کوچني کولو او ټیټ بریښنا ډیزاین ترلاسه کړئ.