קעראַמיש פּקב

געוויינטלעכע מאַטעריאַלן אַרייַננעמען אַלומינום אָקסייד (Al₂O₃, 60%-96% ריינקייט), אַלומינום ניטריד (AlN), און בעריליום אָקסייד (BeO, ביסלעכווייַז ריפּלייסט רעכט צו טאַקסיסיטי). 96% אַלומינום אָקסייד פאַראַנטוואָרטלעך פֿאַר איבער 60% פון אַפּלאַקיישאַנז.

Al₂O₃ (96%) איז בערך 25W/m・K, AlN דערגרייכט 170-230W/m・K, און בעריליום אקסייד (BeO) איז בערך 250W/m・K.

אַלומינום אָקסייד (6-7 ppm/°C), אַלומינום ניטריד (4.5 ppm/°C), פיל נידעריגער ווי FR4'ס 18-22 ppm/°C.

ביי צימער טעמפּעראַטור, איז די איזאָלאַציע קעגנשטעל פון Al₂O₃ סאַבסטראַטן >10¹⁴Ω, און די פון AlN סאַבסטראַטן איז >10¹³Ω.

די דיעלעקטרישע קאָנסטאַנטע פון ​​96% אַלומינום אָקסייד איז אַרום 9.8 (1MHz), און יענע פון ​​AlN איז אַרום 8.5 (1MHz).

אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: -55℃~300℃, קען וויטשטיין קורץ-טערמין הויכע טעמפּעראַטורן איבער 800℃.

מאָהס כאַרדנאַס איז 6-9, אַלומינום אָקסייד (96%) דערגרייכט מדרגה 7, מיט הויך פּראַסעסינג שוועריקייט.

Al₂O₃ (96%) איז אומגעפער 3.85 ג/קמ³, און AlN איז אומגעפער 3.26 ג/קמ³.

נידעריק דיעלעקטריש פארלוסט (tanδ

וואַסער אַבזאָרפּשאַן קורס

דיק-פילם פּראָצעס (זיך דרוקן), דין-פילם פּראָצעס (ספּאַטערינג/עוואַפּאָראַציע), קאָ-פייערינג פּראָצעס (HTCC/LTCC), אאז"וו.

HTCC סינטערינג טעמפּעראַטור איז 1500-1600 ℃, LTCC איז 850-900 ℃; LTCC קען אינטעגרירן פּאַסיוו קאָמפּאָנענטן מיט העכערע קאָסטן.

דין-פילם פּראָצעס קען דערגרייכן ליניע ברייט/ספּייסינג פון 10μm/10μm, און דיק-פילם פּראָצעס איז וועגן 100μm/100μm.

דער מינימום לאָך דיאַמעטער פֿאַר לאַזער דרילינג איז 50μm, און פֿאַר מעכאַנישע דרילינג איז 100μm.

דירעקטע פארבינדונג קופּער (DBC), אַקטיוו מעטאַל ברייזינג (AMB), דיק-פילם דרוקן.

געוויינטלעכע קופּער שיכט גרעב איז 0.1-0.3 מם, ביז 0.5 מם אין מאַקסימום.

באַנדינג שטאַרקייט >25N/מם, טערמישע ציקל צייטן יקסיד 1000 מאָל (-40℃~150℃).

דין-פילם פּראָצעס ראַ

לאַזער שניידן, קלייבן אין קליינע שטיקלעך, מעכאנישע שניידן. לאַזער שניידן אַקיעראַסי איז ±25μm.

דין-פילם פּראָצעס טראָגן איז וועגן 85%-90%, און דיק-פילם פּראָצעס איז וועגן 90%-95%.

פֿאַרמײַדן אַקוטע ווינקל פּלאַן, פֿילעט ראַדיוס ≥0.2 מם; לייגן היץ דיסיפּיישאַן לעכער אין געביטן מיט קאָנצענטרירט טערמיש דרוק.

דורך פליפּ טשיפּ באַנדינג, דראָט באַנדינג, עוטעקטיק וועַלדינג, אאז"וו. פליפּ טשיפּ באַנדינג האט אַ טערמישע קעגנשטעל אַזוי נידעריק ווי 0.5 ℃/W.

5G באַזע סטאַנציעס (סיגנאַל אָנווער

רעדוצירן טערמישע קעגנשטעל. ניצן AlN סאַבסטראַטן אין IGBT מאָדולן קען רעדוצירן טערמישע קעגנשטעל צו 1.5 ℃/W.

קען גענוצט ווערן אין מאָטאָר קאָנטראָל יוניץ (ECUs), מיט אויסגעצייכנט הויך-טעמפּעראַטור קעגנשטעל און ווייבריישאַן קעגנשטעל.

הויך-מאַכט LED היץ דיסיפּיישאַן סאַבסטראַטן, מיט טערמישע קעגנשטעל רעדוסירבאר צו אונטער 3 ℃/W.

פֿאַר 1 אונס קופּער פֿאָליע אונטער אַ 10℃ טעמפּעראַטור העכערונג, קען אַ 1 מם ליניע ברייט טראָגן אַרום 2A.

געשטאַפּלט דורך קאָ-פייערינג פּראָצעסן, קען LTCC דערגרייכן מער ווי 100 לייַערס אין מערסטנס.

די בייג שטאַרקייט פון Al₂O₃ (96%) >300MPa, און יענע פון ​​AlN >350MPa.

ראַדיאַציע קעגנשטעל (קען אויסהאַלטן 10⁶Gy דאָזע), לייכט (דענסיטי וועגן 1/3 פון מעטאַל סאַבסטראַטן).

טערמישע ציקל טעסט (-40℃~125℃, 1000 מאל), פייַכט היץ טעסט (85℃/85% RH, 1000 שעה).

מעטאַליזאַציע שיכט קראַקינג (Al₂O₃ DBC סאַבסטראַט דורכפאַל ציקל צייטן וועגן 500-800 מאָל).

1 מם גרעב קען וויטשטיין ≥5kV, טיילווייזע אָפּזאָגן אָנהייב וואָולטידזש >2kV.

טייפּ שאָלעכץ טעסט (3M 610 טייפּ), קיין מעטאַל שיכט אָפּטייל.

אונטער נאָרמאַלע אַרבעטס־באַדינגונגען קען עס דערגרייכן מער ווי 10 יאָר, און אין הויך־טעמפּעראַטור און הויך־פֿײַכטקייט־סביבות ווערט עס פֿאַרקירצט צו 5 יאָר.

רענטגן דעטעקציע, אולטראַסאָניק סקאַנינג מיקראָסקאָפּ (C-SAM), מיט אַ רעזאָלוציע פון ​​ביז 10μm.

סינוסאָידאַל ווייבריישאַן 5-2000 הערץ, אַקסעלעריישאַן 5 ג, דויערהאַלט 2 שעה אָן ריסן.

96 שעה זאַלץ שפּריץ טעסט (5% NaCl לייזונג), קיין קעראָוזשאַן פון די מעטאַליזאַציע שיכט.

מענטשלעכער קערפער מאָדעל (HBM) >2kV, מאַשין מאָדעל (MM) >200V.

-40℃~150℃, קאָנווערסיע צייט

די קאָסטן פון קעראַמישע סאַבסטראַטן איז 5-10 מאָל אַז פון FR4, דער הויפּט רעכט צו קאָמפּלעקסע מאַטעריאַלן און פּראָצעסן.

מאַסן פּראָדוקציע, פּראָצעס אָפּטימיזאַציע (אַזאַ ווי ניצן דיקע פילם אַנשטאָט דין פילם), אויסקלייבן ביליקע מאַטעריאַלן (אַזאַ ווי 60% אַלומינום אָקסייד).

בעסערע איזאָלאַציע פאָרשטעלונג (מעטאַל סאַבסטראַטן דאַרפֿן איזאָלאַציע לייַערס), און דער קאָואַפישאַנט פון טערמישער יקספּאַנשאַן איז מער מאַטשט מיט טשיפּס.

אַלומינום אָקסייד (60%)

מאַטעריאַל טיפּ, פּראָצעס קאָמפּלעקסיטי, נומער פון לייַערס, גרייס, אָרדער קוואַנטיטי.

קען דערגרייכט ווערן דורך א רידזשיד-פלעקס פראצעס, מיט א קאסט פארגרעסערונג פון 20%-30%.

רעכנט זיך אויס פאר בערך 15%-20% פון די גאנצע קאסטן, און די פארבעסערונג פון פראדוקציע קען עס באדייטנד רעדוצירן.

ווען די באַשטעלונג קוואַנטיטעט איז העכער 5,000 שטיק, פאַרקלענערט זיך די איינהייט קאָסטן באַדייטנד.

לאַנגער אַנטוויקלונג ציקל (3-6 חדשים), הויכע פורעם קאָסטן (וועגן 50,000-100,000 יואַן).

די היץ דיסיפּיישאַן פאָרשטעלונג פון AlN סאַבסטראַטן איז 3 מאָל אַז פון אַלומינום-באזירט פּקבס, אָבער די קאָסטן איז 4 מאָל העכער.

פאַרפעסטיקט מיט שרויפן אָדער באַנדאַד מיט טערמיש קאַנדאַקטיוו קליי (טערמיש קעגנשטעל

ריפלאָו סאַדערינג שפּיץ טעמפּעראַטור: 240-260 ℃, געדויער

איבערארבעטבאר, אבער הויכע טעמפעראטור קען פאראורזאכן קעראמישע קראַקינג מיט א הצלחה ראטע פון ​​בערך 70%.

רייניקן מיט IPA (איזאָפּראָפּיל אַלקאָהאָל) אַלטראַסאַניק רייניקונג פֿאַר

האַלט די הומידיטי אין דער אַרבעטס־סביבה ביי 40%-60% און טראָגט אַנטי־סטאַטישע האַנטגעלענק־בענדער.

אויסקלייבן מאַטעריאַלן מיט ענלעכע טערמישע יקספּאַנשאַן קאָעפֿיציענטן און פּלאָמבירן די לעכער מיט טערמיש קאַנדאַקטיוו סיליקאָנע שמירן.

נישט רעקאָמענדירט, ווײַל טערמישע דרוק קען פאַראורזאַכן קעראַמישע קראַקינג.

דריימאָמענט פֿאַר M3 שרויפן: 0.8-1.2N・m צו ויסמיידן דרוק קאָנצענטראַציע.

דעטעקטירן האָטספּאָטס דורך אינפֿראַרעד טערמאַל בילדגעבונג און קאָנטראָלירן קאָנעקטיוויטי דורך קעגנשטעל טעסטינג.

סטאָרידזש: הומידיטי

IPC-6012 (פאָרשטעלונג ספּעציפֿיקאַציע פֿאַר שטרענגע געדרוקטע ברעטער), MIL-P-55110 (מיליטערישע סטאַנדאַרט).

UL סערטיפיקאציע (פלאַם ריטאַרדאַנט), RoHS סערטיפיקאציע (געפערלעכע סאַבסטאַנסן-פֿרײַ), ISO 9001.

טרעפן MIL-STD-810G ענווייראָנמענטאַל טעסטינג מיט שטרענגע ווייבריישאַן און פּראַל קעגנשטעל רעקווייערמענץ.

פארלאנגען AEC-Q100 (טשיפּס) און AEC-Q200 (פּאַסיוו קאָמפּאָנענטן) סערטיפיקאַציעס.

פֿאָלגן די אי־יו REACH רעגולאַציעס, וואָס באַגרענעצן די נוצן פֿון געפֿערלעכע סובסטאַנצן ווי בליי און קאַדמיום.

UL 94 V-0 שאַץ (קיין פלאַם פאַרשפּרייטונג), זויערשטאָף אינדעקס >30%.

נאָכקומען מיט ISO 13485 מעדיצינישע דעווייס קוואַליטעט פאַרוואַלטונג סיסטעם.

פארלאנגט AS9100 אַעראָספּייס קוואַליטעט פאַרוואַלטונג סיסטעם סערטיפיקאַציע.

טרעפן די EN 55032 עלעקטראָמאַגנעטישע ראַדיאַציע סטאַנדאַרדן, קאַנדאַקטעד ימישאַנז

דריט-פּאַרטיי סערטיפיקאַציע גופים: SGS, TÜV, Intertek.

קאָנטראָלירט דעם באַנדינג פּראָצעס (למשל, DBC קופּער פאָליע אַקסאַדיישאַן) און איבערפּראַסעסירט די ייבערפלאַך.

פֿילט קליינע ריסן מיט עפּאָקסי רעזין; פֿאַר שווערע ריסן, פֿאַרבײַטן דעם סאַבסטראַט.

אַדזשאַסטירן די סאָלדערינג טעמפּעראַטור פּראָפיל און קאָנטראָלירן פלאַקס אַקטיוויטעט (RA גראַד).

אָפּטימיזירן וויירינג, נוצן נידעריק דיעלעקטרישע קאָנסטאַנטע מאַטעריאַלן, און לייגן גראַונדינג לייַערס.

דורכקוקן די טערמישע קאַנדאַקשאַן וועגן און פּרובירן די טערמישע קעגנשטעל (ציל

אומגלייכע סינטערינג פּראָצעס אָדער ניט גענוגיק טערמישע דרוק רעליעף; אָפּטימיזירן די מאַנופאַקטורינג פּראָצעס.

רייניקן מיט פּלאַזמע צו באַזײַטיקן אָרגאַנישע רעשטלעך.

איזאָלאַציע קעגנשטעל טעסט (1000V DC) צו געפֿינען ליקאַדזש פונקטן.

פארשטארקן שוץ-באדעקונגען (למשל, ניקעל-גאָלד פּלייטינג) און אויסמיידן קעראָוסיוו גאַזן.

פֿאַרגרעסערן די גרעב פֿון די סאַבסטראַט (≥0.5 מ״מ) און אָפּטימיזירן די ווינקל־פּלאַן.

דין מאכן (

סיליקאָן ניטריד (Si₃N₄), מיט הויכער טערמישער קאַנדאַקטיוויטי (100W/m・K) און שטאַרקייט.

קעראַמיש 3D דרוקן האט רעאַליזירט קאָמפּלעקס היץ דיסיפּיישאַן סטרוקטורן מיט אַ פּינטלעכקייט פון 50μm.

אָפּטימיזירן טערמישע פאַרשפּרייטונג דורך סימולאַציע אַלגעריטמען, פאַרקירצן דעם פּלאַן ציקל מיט 30%.

גענוצט אין SiC מאַכט מאָדולן מיט אַ יערלעכן מאַרק וווּקס קורס פון איבער 20%.

נידעריקע דיעלעקטרישע פארלוסט טרעפט די הויך-פרעקווענץ קאָמוניקאַציע באדערפענישן, מיט אַ פאָדערונג וואָס ווערט ערוואַרטעט צו וואַקסן מיט 50% ביז 2025.

וואַסער-באַזירטע דיק-פילם פּאַסטעס פאַרבייַטן אָרגאַנישע סאָלוואַנץ צו רעדוצירן VOC ימישאַנז.

שוועריקייט אין צופּאַסן טערמישע יקספּאַנשאַן קאָעפיציענטן, וואָס ריקווייערז באַפער שיכט מאַטעריאַלס.

EUV ליטאָגראַפֿיע דערגרייכט 10 נאַנאָמעטער-לעוועל קרייזן, איצט אין דער לאַבאָראַטאָריע בינע.

הויכע פעסטקייט ביי נידעריגע טעמפּעראַטורן קען זיי מאַכן טרעגער פֿאַר קוואַנטום טשיפּס.

מאַקסימום טעמפּעראַטור קעגנשטעל: 800 ℃, וואָס דאַרף הויך-טעמפּעראַטור מעטאַליזאַציע מאַטעריאַלן (למשל, מאָליבדענום-מאַנגאַנעז מעטאָד).

אויסהאלטן 100MPa דרוק און דערגרייכן IP68 שוץ דורך פּאָטינג.

ניצט ראַדיאַציע-קעגנשטעליקע קעראַמיק (למשל, סיליקאָן קאַרבייד) צו באַשיצן נעיטראָן ראַדיאַציע.

קאָנטראָליר כאַראַקטעריסטישע ימפּידאַנס (50Ω) און רעדוצירן דיעלעקטריש אָנווער (tanδ

אַדאַפּט מיקראָ-קאַנאַל היץ דיסיפּיישאַן סטראַקטשערז מיט היץ פלאַקס געדיכטקייַט אַרויף צו 100 וואט/קמ².

אויבערפלאַך פּאַסיוואַציע פארלאנגט, אין לויט מיט ISO 10993 ביאָלאָגישע טעסטינג.

הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל און איזאָלאַציע, פֿאַרבעסערן סיסטעם עפעקטיווקייט מיט 1%-2%.

טרעפן הויך-וואָולטידזש דק (HVDC) איזאָלאַציע רעקווירעמענץ, וואָולטידזש וויטסטאַנד ≥10kV.

ניצט שאָק-אַבזאָרבינג קלאַמערן און ויסמיידן פונדרויסנדיק עקסייטיישאַן פריקווענצן פֿאַר נאַטירלעך פריקווענץ.

אינטעגרירן מיט MEMS טשיפּס צו דערגרייכן מיניאַטוריזאַציע און נידעריק-מאַכט פּלאַן