კერამიკული დაფა

გავრცელებული მასალებია ალუმინის ოქსიდი (Al₂O₃, 60%-96%-იანი სისუფთავე), ალუმინის ნიტრიდი (AlN) და ბერილიუმის ოქსიდი (BeO, რომელიც თანდათან იცვლება ტოქსიკურობის გამო). 96%-იანი ალუმინის ოქსიდი გამოყენების 60%-ზე მეტს შეადგენს.

Al₂O₃-ის (96%) სიმძლავრე დაახლოებით 25 ვტ/მ²-ია, AlN-ის სიმძლავრე 170-230 ვტ/მ²-ს აღწევს, ხოლო ბერილიუმის ოქსიდის (BeO) სიმძლავრე დაახლოებით 250 ვტ/მ²-ს შეადგენს.

ალუმინის ოქსიდი (6-7 ppm/°C), ალუმინის ნიტრიდი (4.5 ppm/°C), გაცილებით დაბალია, ვიდრე FR4-ის 18-22 ppm/°C.

ოთახის ტემპერატურაზე, Al₂O₃ სუბსტრატების იზოლაციის წინაღობა >10¹⁴Ω-ია, ხოლო AlN სუბსტრატების - >10¹³Ω.

96%-იანი ალუმინის ოქსიდის დიელექტრიკული მუდმივა დაახლოებით 9.8 (1MHz)-ია, ხოლო AlN-ის - დაახლოებით 8.5 (1MHz).

სამუშაო ტემპერატურა: -55℃~300℃, უძლებს 800℃-ზე მეტ მოკლევადიან მაღალ ტემპერატურას.

მოჰსის სიმტკიცე 6-9-ია, ალუმინის ოქსიდი (96%) მე-7 დონეს აღწევს, დამუშავების მაღალი სირთულით.

Al₂O₃ (96%) დაახლოებით 3.85 გ/სმ³-ია, ხოლო AlN დაახლოებით 3.26 გ/სმ³.

დაბალი დიელექტრიკული დანაკარგი (tanδ

წყლის შთანთქმის მაჩვენებელი

სქელი ფენის პროცესი (ტრაფარეტული ბეჭდვა), თხელფენოვანი პროცესი (შესხურება/აორთქლება), თანაგამოწვის პროცესი (HTCC/LTCC) და ა.შ.

HTCC სინთეზირების ტემპერატურაა 1500-1600℃, LTCC კი 850-900℃; LTCC-ს შეუძლია პასიური კომპონენტების ინტეგრირება უფრო მაღალი ფასით.

თხელფენოვანი პროცესით შესაძლებელია 10μm/10μm ხაზის სიგანის/დაშორების მიღწევა, ხოლო სქელფენოვანი პროცესით - დაახლოებით 100μm/100μm.

ლაზერული ბურღვისთვის მინიმალური ხვრელის დიამეტრი 50 მკმ-ია, ხოლო მექანიკური ბურღვისთვის - 100 მკმ.

სპილენძის პირდაპირი შეერთება (DBC), ლითონის აქტიური შედუღება (AMB), სქელფენოვანი ბეჭდვა.

სპილენძის ფენის საერთო სისქეა 0.1-0.3 მმ, მაქსიმუმ 0.5 მმ-მდე.

შეწებების სიმტკიცე >25N/მმ, თერმული ციკლის დრო 1000-ჯერ აღემატება (-40℃~150℃).

თხელფენოვანი პროცესის Ra ​​

ლაზერული ჭრა, კუბიკებად დაჭრა, მექანიკური ჭრა. ლაზერული ჭრის სიზუსტე ±25μm.

თხელფენოვანი პროცესის მოსავლიანობა დაახლოებით 85%-90%-ია, ხოლო სქელფენოვანი პროცესის - დაახლოებით 90%-95%.

მოერიდეთ მწვავე კუთხის დიზაინს, ფილეტის რადიუსს ≥0.2 მმ; დაამატეთ სითბოს გაფრქვევის ხვრელები კონცენტრირებული თერმული სტრესის მქონე ადგილებში.

ფლიპ ჩიპების შეერთების, მავთულის შეერთების, ევტექტიკური შედუღების და ა.შ. მეშვეობით, ფლიპ ჩიპების შეერთებას აქვს 0.5℃/W-მდე დაბალი თერმული წინააღმდეგობა.

5G საბაზო სადგურები (სიგნალის დანაკარგი

თერმული წინააღმდეგობის შემცირება. IGBT მოდულებში AlN სუბსტრატების გამოყენებამ შეიძლება თერმული წინააღმდეგობა 1.5℃/W-მდე შეამციროს.

შეიძლება გამოყენებულ იქნას ძრავის მართვის ბლოკებში (ECU), გამოირჩევა მაღალი ტემპერატურისა და ვიბრაციისადმი შესანიშნავი მდგრადობით.

მაღალი სიმძლავრის LED სითბოს გაფრქვევის სუბსტრატები, თერმული წინაღობით, რომელიც შეიძლება შემცირდეს 3℃/W-მდე.

10°C ტემპერატურის მომატებისას 1 უნცია სპილენძის ფოლგის შემთხვევაში, 1 მმ სიგანის ხაზის გატარება დაახლოებით 2 ა-ს შეადგენს.

თანაწვის პროცესების მეშვეობით, LTCC-ს შეუძლია მაქსიმუმ 100-ზე მეტი ფენის მიღება.

Al₂O₃-ის (96%) მოხრის სიმტკიცე >300 მპა-ზეა, ხოლო AlN-ის - >350 მპა-ზე.

რადიაციისადმი მდგრადობა (უძლებს 10⁶Gy დოზას), მსუბუქი წონა (ლითონის სუბსტრატების დაახლოებით 1/3 სიმკვრივე).

თერმული ციკლის ტესტი (-40℃~125℃, 1000-ჯერ), ნესტიანი სითბოს ტესტი (85℃/85% RH, 1000 სთ).

მეტალიზაციის ფენის ბზარები (Al₂O₃ DBC სუბსტრატის რღვევის ციკლის დრო დაახლოებით 500-800-ჯერ).

1 მმ სისქის მქონე კონტეინერს შეუძლია გაუძლოს ≥5 კვ ძაბვას, ნაწილობრივი განმუხტვის დაწყების ძაბვას >2 კვ.

ლენტის აქერცვლის ტესტი (3M 610 ლენტი), ლითონის ფენის აშრევება არ დაფიქსირებულა.

ნორმალური სამუშაო პირობებში, მას შეუძლია 10 წელზე მეტი ხნის განმავლობაში მიაღწიოს, ხოლო მაღალი ტემპერატურისა და მაღალი ტენიანობის პირობებში, ის 5 წლამდე მცირდება.

რენტგენის სხივების აღმოჩენა, ულტრაბგერითი სკანირების მიკროსკოპი (C-SAM), 10 მკმ-მდე გარჩევადობით.

სინუსოიდური ვიბრაცია 5-2000Hz, აჩქარება 5g, ხანგრძლივობა 2 საათი ბზარების გარეშე.

96-საათიანი მარილის შესხურების ტესტი (5%-იანი NaCl ხსნარი), მეტალიზაციის ფენის კოროზია არ დაფიქსირებულა.

ადამიანის სხეულის მოდელი (HBM) >2kV, მანქანის მოდელი (MM) >200V.

-40℃~150℃, გარდაქმნის დრო

კერამიკული სუბსტრატების ღირებულება FR4-ის ღირებულებაზე 5-10-ჯერ მეტია, ძირითადად რთული მასალებისა და პროცესების გამო.

მასობრივი წარმოება, პროცესის ოპტიმიზაცია (მაგალითად, თხელი ფენის ნაცვლად სქელი ფენის გამოყენება), დაბალფასიანი მასალების შერჩევა (მაგალითად, 60%-იანი ალუმინის ოქსიდი).

უკეთესი იზოლაციის მახასიათებლები (ლითონის სუბსტრატებს სჭირდებათ იზოლაციის ფენები) და თერმული გაფართოების კოეფიციენტი უფრო შეესაბამება ჩიპებს.

ალუმინის ოქსიდი (60%)

მასალის ტიპი, პროცესის სირთულე, ფენების რაოდენობა, ზომა, შეკვეთის რაოდენობა.

შესაძლებელია მიღწეული იქნას ხისტი-მოქნილი პროცესის მეშვეობით, რაც 20%-30%-ით ზრდის ღირებულებას.

მთლიანი ღირებულების დაახლოებით 15%-20%-ს შეადგენს და მოსავლიანობის გაუმჯობესებამ შეიძლება მნიშვნელოვნად შეამციროს იგი.

როდესაც შეკვეთის რაოდენობა 5000 ერთეულს აღემატება, ერთეულის ღირებულება მნიშვნელოვნად მცირდება.

ხანგრძლივი განვითარების ციკლი (3-6 თვე), ყალიბის მაღალი ღირებულება (დაახლოებით 50,000-100,000 იუანი).

AlN სუბსტრატების სითბოს გაფრქვევის ეფექტურობა ალუმინის ბაზაზე დამზადებული PCB-ების სითბოს გაფრქვევის მაჩვენებელზე 3-ჯერ მეტია, მაგრამ ღირებულება 4-ჯერ მეტია.

დამაგრებულია ხრახნებით ან შეკრულია თბოგამტარი წებოთი (თერმული წინააღმდეგობა

რეფლუორ შედუღების პიკური ტემპერატურა: 240-260℃, ხანგრძლივობა

ხელახლა დასამუშავებელია, თუმცა მაღალმა ტემპერატურამ შეიძლება გამოიწვიოს კერამიკის ბზარები, წარმატების დაახლოებით 70%-იანი მაჩვენებლით.

გაწმინდეთ IPA (იზოპროპილის სპირტი) ულტრაბგერითი გაწმენდით

სამუშაო გარემოს ტენიანობა შეინარჩუნეთ 40%-60%-ის ფარგლებში და ატარეთ ანტისტატიკური სამაჯურები.

შეარჩიეთ მასალები მსგავსი თერმული გაფართოების კოეფიციენტებით და შეავსეთ ხარვეზები თბოგამტარი სილიკონის ცხიმით.

არ არის რეკომენდებული, რადგან თერმულმა სტრესმა შეიძლება კერამიკის ბზარები გამოიწვიოს.

M3 ხრახნების ბრუნვის მომენტი: 0.8-1.2N・m დაძაბულობის კონცენტრაციის თავიდან ასაცილებლად.

ინფრაწითელი თერმული გამოსახულების საშუალებით აღმოაჩინეთ ცხელი წერტილები და შეამოწმეთ კავშირი წინააღმდეგობის ტესტირების გზით.

შენახვა: ტენიანობა

IPC-6012 (მყარი დაბეჭდილი დაფების შესრულების სპეციფიკაცია), MIL-P-55110 (სამხედრო სტანდარტი).

UL სერტიფიკატი (ცეცხლგამძლე), RoHS სერტიფიკატი (სახიფათო ნივთიერებების გარეშე), ISO 9001.

დააკმაყოფილეთ MIL-STD-810G გარემოსდაცვითი ტესტირების მოთხოვნები ვიბრაციისა და დარტყმისადმი მდგრადობის მკაცრი მოთხოვნებით.

საჭიროა AEC-Q100 (ჩიპები) და AEC-Q200 (პასიური კომპონენტები) სერტიფიკატები.

დაიცავით ევროკავშირის REACH რეგულაციები, შეზღუდეთ ისეთი საშიში ნივთიერებების გამოყენება, როგორიცაა ტყვია და კადმიუმი.

UL 94 V-0 რეიტინგი (ალი არ ვრცელდება), ჟანგბადის ინდექსი >30%.

ISO 13485 სამედიცინო მოწყობილობების ხარისხის მართვის სისტემის დაცვა.

მოითხოვეთ AS9100 აერონავტიკის ხარისხის მართვის სისტემის სერტიფიცირება.

შეესაბამება EN 55032 ელექტრომაგნიტური გამოსხივების სტანდარტებს, გამტარობა

მესამე მხარის სერტიფიცირების ორგანოები: SGS, TÜV, Intertek.

შეამოწმეთ შეწებების პროცესი (მაგ., DBC სპილენძის ფოლგის დაჟანგვა) და ხელახლა დაამუშავეთ ზედაპირი.

მცირე ბზარები შეავსეთ ეპოქსიდური ფისით; ძლიერი ბზარების შემთხვევაში შეცვალეთ სუბსტრატი.

შედუღების ტემპერატურის პროფილის რეგულირება და ნაკადის აქტივობის კონტროლი (RA კლასი).

ოპტიმიზაცია გაუკეთეთ გაყვანილობას, გამოიყენეთ დაბალი დიელექტრიკული მუდმივის მქონე მასალები და დაამატეთ დამიწების ფენები.

შეამოწმეთ თერმული გამტარობის ბილიკები და გამოსცადეთ თერმული წინააღმდეგობა (სამიზნე

არათანაბარი შედუღების პროცესი ან თერმული სტრესის არასაკმარისი შემსუბუქება; წარმოების პროცესის ოპტიმიზაცია.

ორგანული ნარჩენების მოსაშორებლად გაწმინდეთ პლაზმით.

იზოლაციის წინააღმდეგობის ტესტი (1000 ვ მუდმივი დენი) გაჟონვის წერტილების დასადგენად.

გაამაგრეთ დამცავი საფარი (მაგ., ნიკელ-ოქროს საფარი) და მოერიდეთ კოროზიულ აირებს.

სუბსტრატის სისქის გაზრდა (≥0.5 მმ) და კუთხის დიზაინის ოპტიმიზაცია.

გათხელება (

სილიციუმის ნიტრიდი (Si₃N₄), მაღალი თბოგამტარობით (100W/m・K) და სიმტკიცით.

კერამიკული 3D ბეჭდვით შეიქმნა კომპლექსური სითბოს გაფრქვევის სტრუქტურები 50 μm სიზუსტით.

სიმულაციური ალგორითმების მეშვეობით თერმული განაწილების ოპტიმიზაცია, რაც დიზაინის ციკლის 30%-ით შემცირებას უწყობს ხელს.

გამოიყენება SiC ენერგომოწყობილობებში, რომელთა წლიური ბაზრის ზრდის ტემპი 20%-ზე მეტია.

დაბალი დიელექტრული დანაკარგი აკმაყოფილებს მაღალი სიხშირის კომუნიკაციის საჭიროებებს, ხოლო მოთხოვნა, სავარაუდოდ, 2025 წლისთვის 50%-ით გაიზრდება.

წყალზე დამზადებული სქელფენოვანი პასტები ცვლის ორგანულ გამხსნელებს, რათა შეამციროს VOC-ის ემისიები.

თერმული გაფართოების კოეფიციენტების შესაბამისობის სირთულე, რაც ბუფერული ფენის მასალების საჭიროებას წარმოადგენს.

EUV ლითოგრაფია აღწევს 10 ნმ დონის სქემების მიღებას, ამჟამად ლაბორატორიულ ეტაპზეა.

დაბალ ტემპერატურაზე მაღალი სტაბილურობა შესაძლოა მათ კვანტური ჩიპების მატარებლებად აქცევდეს.

მაქსიმალური ტემპერატურული წინააღმდეგობა: 800℃, რაც მოითხოვს მაღალტემპერატურულ მეტალიზაციის მასალებს (მაგ., მოლიბდენ-მანგანუმის მეთოდი).

უძლებს 100MPa წნევას და აღწევს IP68 დაცვას ჩასმის გზით.

ნეიტრონული გამოსხივებისგან დასაცავად გამოიყენეთ რადიაციისადმი მდგრადი კერამიკა (მაგ., სილიციუმის კარბიდი).

აკონტროლეთ დამახასიათებელი წინაღობა (50Ω) და შეამცირეთ დიელექტრიკული დანაკარგი (tanδ

გამოიყენეთ მიკროარხიანი სითბოს გაფრქვევის სტრუქტურები 100 ვტ/სმ²-მდე სითბოს ნაკადის სიმკვრივით.

საჭიროა ზედაპირის პასივაცია, ISO 10993 ბიოლოგიური ტესტირების შესაბამისად.

მაღალი ტემპერატურისადმი მდგრადობა და იზოლაცია, რაც სისტემის ეფექტურობას 1%-2%-ით აუმჯობესებს.

აკმაყოფილებს მაღალი ძაბვის მუდმივი დენის (HVDC) იზოლაციის მოთხოვნებს, უძლებს ≥10 კვ ძაბვას.

გამოიყენეთ დარტყმაგამშრალი ფრჩხილები და ბუნებრივი სიხშირისთვის მოერიდეთ გარე აგზნების სიხშირეებს.

ინტეგრირება MEMS ჩიპებთან მინიატურიზაციისა და დაბალი სიმძლავრის დიზაინის მისაღწევად