സെറാമിക് പിസിബി

സാധാരണ വസ്തുക്കളിൽ അലുമിനിയം ഓക്സൈഡ് (Al₂O₃, 60%-96% പരിശുദ്ധി), അലുമിനിയം നൈട്രൈഡ് (AlN), ബെറിലിയം ഓക്സൈഡ് (BeO, വിഷാംശം കാരണം ക്രമേണ മാറ്റിസ്ഥാപിക്കപ്പെടുന്നു) എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു. 96% അലുമിനിയം ഓക്സൈഡ് 60% ത്തിലധികം ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കും കാരണമാകുന്നു.

Al₂O₃ (96%) ഏകദേശം 25W/m・K ആണ്, AlN 170-230W/m・K വരെ എത്തുന്നു, ബെറിലിയം ഓക്സൈഡ് (BeO) ഏകദേശം 250W/m・K ആണ്.

അലൂമിനിയം ഓക്സൈഡ് (6-7 ppm/°C), അലൂമിനിയം നൈട്രൈഡ് (4.5 ppm/°C), FR4 ന്റെ 18-22 ppm/°C നേക്കാൾ വളരെ കുറവാണ്.

മുറിയിലെ താപനിലയിൽ, Al₂O₃ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളുടെ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം >10¹⁴Ω ആണ്, കൂടാതെ AlN സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളുടേത് >10¹³Ω ആണ്.

96% അലുമിനിയം ഓക്സൈഡിന്റെ ഡൈഇലക്ട്രിക് സ്ഥിരാങ്കം ഏകദേശം 9.8 (1MHz) ആണ്, AlN ന്റെത് ഏകദേശം 8.5 (1MHz) ആണ്.

പ്രവർത്തന താപനില: -55℃~300℃, 800℃ കവിയുന്ന ഹ്രസ്വകാല ഉയർന്ന താപനിലയെ നേരിടാൻ കഴിയും.

മോസ് കാഠിന്യം 6-9 ആണ്, അലുമിനിയം ഓക്സൈഡ് (96%) ഉയർന്ന പ്രോസസ്സിംഗ് ബുദ്ധിമുട്ടോടെ ലെവൽ 7 ൽ എത്തുന്നു.

Al₂O₃ (96%) ഏകദേശം 3.85g/cm³ ആണ്, AlN ഏകദേശം 3.26g/cm³ ആണ്.

കുറഞ്ഞ ഡൈഇലക്ട്രിക് നഷ്ടം (tanδ＜0.002), ചെറിയ സിഗ്നൽ ട്രാൻസ്മിഷൻ കാലതാമസം.

ജല ആഗിരണ നിരക്ക്

കട്ടിയുള്ള ഫിലിം പ്രക്രിയ (സ്ക്രീൻ പ്രിന്റിംഗ്), നേർത്ത ഫിലിം പ്രക്രിയ (സ്പട്ടറിംഗ്/ബാഷ്പീകരണം), സഹ-ഫയറിംഗ് പ്രക്രിയ (HTCC/LTCC) മുതലായവ.

HTCC സിന്ററിംഗ് താപനില 1500-1600℃ ആണ്, LTCC 850-900℃ ആണ്; ഉയർന്ന വിലയുള്ള നിഷ്ക്രിയ ഘടകങ്ങൾ LTCC-ക്ക് സംയോജിപ്പിക്കാൻ കഴിയും.

നേർത്ത ഫിലിം പ്രക്രിയയ്ക്ക് 10μm/10μm ലൈൻ വീതി/അകലം കൈവരിക്കാൻ കഴിയും, കട്ടിയുള്ള ഫിലിം പ്രക്രിയയ്ക്ക് ഏകദേശം 100μm/100μm ആണ്.

ലേസർ ഡ്രില്ലിംഗിനുള്ള ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ ദ്വാര വ്യാസം 50μm ആണ്, മെക്കാനിക്കൽ ഡ്രില്ലിംഗിന് 100μm ആണ്.

ഡയറക്ട് ബോണ്ടിംഗ് കോപ്പർ (DBC), ആക്റ്റീവ് മെറ്റൽ ബ്രേസിംഗ് (AMB), കട്ടിയുള്ള ഫിലിം പ്രിന്റിംഗ്.

സാധാരണ ചെമ്പ് പാളിയുടെ കനം 0.1-0.3mm ആണ്, പരമാവധി 0.5mm വരെ.

ബോണ്ടിംഗ് ശക്തി >25N/mm, താപ ചക്ര സമയം 1000 മടങ്ങ് (-40℃~150℃) കവിയുന്നു.

നേർത്ത ഫിലിം പ്രക്രിയ Ra

ലേസർ കട്ടിംഗ്, ഡൈസിംഗ്, മെക്കാനിക്കൽ കട്ടിംഗ്.ലേസർ കട്ടിംഗ് കൃത്യത ±25μm ആണ്.

നേർത്ത ഫിലിം പ്രക്രിയയുടെ വിളവ് ഏകദേശം 85%-90% ആണ്, കട്ടിയുള്ള ഫിലിം പ്രക്രിയ ഏകദേശം 90%-95% ആണ്.

അക്യൂട്ട് ആംഗിൾ ഡിസൈൻ ഒഴിവാക്കുക, ഫില്ലറ്റ് റേഡിയസ് ≥0.2mm; സാന്ദ്രീകൃത താപ സമ്മർദ്ദമുള്ള സ്ഥലങ്ങളിൽ താപ വിസർജ്ജന ദ്വാരങ്ങൾ ചേർക്കുക.

ഫ്ലിപ്പ് ചിപ്പ് ബോണ്ടിംഗ്, വയർ ബോണ്ടിംഗ്, യൂടെക്റ്റിക് വെൽഡിംഗ് മുതലായവയിലൂടെ. ഫ്ലിപ്പ് ചിപ്പ് ബോണ്ടിംഗിന് 0.5℃/W വരെ കുറഞ്ഞ താപ പ്രതിരോധമുണ്ട്.

5G ബേസ് സ്റ്റേഷനുകൾ (സിഗ്നൽ നഷ്ടം

താപ പ്രതിരോധം കുറയ്ക്കുക. IGBT മൊഡ്യൂളുകളിൽ AlN സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നത് താപ പ്രതിരോധം 1.5℃/W ആയി കുറയ്ക്കും.

മികച്ച ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധവും വൈബ്രേഷൻ പ്രതിരോധവുമുള്ള എഞ്ചിൻ കൺട്രോൾ യൂണിറ്റുകളിൽ (ECU) ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയും.

ഉയർന്ന പവർ ഉള്ള LED താപ വിസർജ്ജന സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ, താപ പ്രതിരോധം 3℃/W-ൽ താഴെയായി കുറയ്ക്കാം.

10℃ താപനില വർദ്ധനവിൽ 1oz ചെമ്പ് ഫോയിലിന്, 1mm ലൈൻ വീതി ഏകദേശം 2A വഹിക്കും.

കോ-ഫയറിംഗ് പ്രക്രിയകളിലൂടെ സ്റ്റാക്ക് ചെയ്യപ്പെടുന്ന LTCC ക്ക് പരമാവധി 100 ലെയറുകളിൽ കൂടുതൽ നേടാൻ കഴിയും.

Al₂O₃ (96%) >300MPa ന്റെയും, AlN >350MPa ന്റെയും വഴക്ക ശക്തി.

റേഡിയേഷൻ പ്രതിരോധം (10⁶Gy ഡോസ് താങ്ങാൻ കഴിയും), ഭാരം കുറഞ്ഞത് (ലോഹ അടിവസ്ത്രങ്ങളുടെ ഏകദേശം 1/3 സാന്ദ്രത).

തെർമൽ സൈക്കിൾ ടെസ്റ്റ് (-40℃~125℃, 1000 തവണ), ഈർപ്പം ചൂട് പരിശോധന (85℃/85% ആർഎച്ച്, 1000h).

മെറ്റലൈസേഷൻ പാളി വിള്ളൽ (Al₂O₃ DBC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് പരാജയ ചക്ര സമയം ഏകദേശം 500-800 തവണ).

1mm കനം ≥5kV, ഭാഗിക ഡിസ്ചാർജ് ഇൻസെപ്ഷൻ വോൾട്ടേജ് >2kV എന്നിവയെ നേരിടും.

ടേപ്പ് പീലിംഗ് ടെസ്റ്റ് (3M 610 ടേപ്പ്), ലോഹ പാളി വേർപിരിയൽ ഇല്ല.

സാധാരണ ജോലി സാഹചര്യങ്ങളിൽ, ഇത് 10 വർഷത്തിൽ കൂടുതൽ എത്താം, ഉയർന്ന താപനിലയിലും ഉയർന്ന ആർദ്രതയിലും ഇത് 5 വർഷമായി ചുരുക്കുന്നു.

എക്സ്-റേ ഡിറ്റക്ഷൻ, 10μm വരെ റെസല്യൂഷനുള്ള അൾട്രാസോണിക് സ്കാനിംഗ് മൈക്രോസ്കോപ്പ് (C-SAM).

സൈനുസോയ്ഡൽ വൈബ്രേഷൻ 5-2000Hz, ആക്സിലറേഷൻ 5 ഗ്രാം, വിള്ളലുകൾ ഇല്ലാതെ 2 മണിക്കൂർ നീണ്ടുനിൽക്കും.

96 മണിക്കൂർ ഉപ്പ് സ്പ്രേ ടെസ്റ്റ് (5% NaCl ലായനി), മെറ്റലൈസേഷൻ പാളിയുടെ നാശമില്ല.

മനുഷ്യ ശരീര മാതൃക (HBM) >2kV, മെഷീൻ മാതൃക (MM) >200V.

-40℃~150℃, പരിവർത്തന സമയം

സെറാമിക് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളുടെ വില FR4 നെ അപേക്ഷിച്ച് 5-10 മടങ്ങ് കൂടുതലാണ്, പ്രധാനമായും സങ്കീർണ്ണമായ വസ്തുക്കളും പ്രക്രിയകളും കാരണം.

വൻതോതിലുള്ള ഉൽപ്പാദനം, പ്രോസസ് ഒപ്റ്റിമൈസേഷൻ (നേർത്ത ഫിലിമിന് പകരം കട്ടിയുള്ള ഫിലിം ഉപയോഗിക്കുന്നത് പോലുള്ളവ), കുറഞ്ഞ ചെലവിലുള്ള വസ്തുക്കൾ തിരഞ്ഞെടുക്കൽ (60% അലുമിനിയം ഓക്സൈഡ് പോലുള്ളവ).

മികച്ച ഇൻസുലേഷൻ പ്രകടനം (ലോഹ അടിവസ്ത്രങ്ങൾക്ക് ഇൻസുലേഷൻ പാളികൾ ആവശ്യമാണ്), കൂടാതെ താപ വികാസത്തിന്റെ ഗുണകം ചിപ്പുകളുമായി കൂടുതൽ പൊരുത്തപ്പെടുന്നു.

അലുമിനിയം ഓക്സൈഡ് (60%) അലുമിനിയം ഓക്സൈഡ് (96%) അലുമിനിയം

മെറ്റീരിയൽ തരം, പ്രക്രിയ സങ്കീർണ്ണത, ലെയറുകളുടെ എണ്ണം, വലുപ്പം, ഓർഡർ അളവ്.

20%-30% ചെലവ് വർദ്ധനവോടെ, റിജിഡ്-ഫ്ലെക്സ് പ്രക്രിയയിലൂടെ ഇത് നേടാനാകും.

മൊത്തം ചെലവിന്റെ ഏകദേശം 15%-20% വരും, വിളവ് മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നത് ഇത് ഗണ്യമായി കുറയ്ക്കും.

ഓർഡർ അളവ് 5,000 കഷണങ്ങൾ കവിയുമ്പോൾ, യൂണിറ്റ് ചെലവ് ഗണ്യമായി കുറയുന്നു.

നീണ്ട വികസന ചക്രം (3-6 മാസം), ഉയർന്ന പൂപ്പൽ ചെലവ് (ഏകദേശം 50,000-100,000 യുവാൻ).

AlN സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളുടെ താപ വിസർജ്ജന പ്രകടനം അലുമിനിയം അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള PCB-കളേക്കാൾ 3 മടങ്ങ് കൂടുതലാണ്, എന്നാൽ ചെലവ് 4 മടങ്ങ് കൂടുതലാണ്.

സ്ക്രൂകൾ ഉപയോഗിച്ച് ഉറപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു അല്ലെങ്കിൽ താപ ചാലക പശ ഉപയോഗിച്ച് ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു (താപ പ്രതിരോധം

റീഫ്ലോ സോൾഡറിംഗ് പീക്ക് താപനില: 240-260℃, ദൈർഘ്യം

പുനർനിർമ്മിക്കാവുന്നതാണെങ്കിലും ഉയർന്ന താപനിലയിൽ 70% വിജയശതമാനത്തോടെ സെറാമിക് പൊട്ടലിന് കാരണമായേക്കാം.

ഐപിഎ (ഐസോപ്രോപൈൽ ആൽക്കഹോൾ) അൾട്രാസോണിക് ക്ലീനിംഗ് ഉപയോഗിച്ച് 10 മിനിറ്റിൽ താഴെ വൃത്തിയാക്കുക.

പ്രവർത്തന അന്തരീക്ഷ ഈർപ്പം 40%-60% ആയി നിലനിർത്തുകയും ആന്റി-സ്റ്റാറ്റിക് റിസ്റ്റ്ബാൻഡുകൾ ധരിക്കുകയും ചെയ്യുക.

സമാനമായ താപ വികാസ ഗുണകങ്ങളുള്ള വസ്തുക്കൾ തിരഞ്ഞെടുത്ത് വിടവുകൾ താപ ചാലക സിലിക്കൺ ഗ്രീസ് കൊണ്ട് നിറയ്ക്കുക.

താപ സമ്മർദ്ദം സെറാമിക് പൊട്ടലിന് കാരണമായേക്കാമെന്നതിനാൽ ഇത് ശുപാർശ ചെയ്യുന്നില്ല.

M3 സ്ക്രൂകൾക്കുള്ള ടോർക്ക്: സമ്മർദ്ദ സാന്ദ്രത ഒഴിവാക്കാൻ 0.8-1.2N・m.

ഇൻഫ്രാറെഡ് തെർമൽ ഇമേജിംഗ് വഴി ഹോട്ട്‌സ്‌പോട്ടുകൾ കണ്ടെത്തുകയും പ്രതിരോധ പരിശോധനയിലൂടെ കണക്റ്റിവിറ്റി പരിശോധിക്കുകയും ചെയ്യുക.

സംഭരണം: ഈർപ്പം

IPC-6012 (കർക്കശമായ പ്രിന്റഡ് ബോർഡുകൾക്കുള്ള പ്രകടന സ്പെസിഫിക്കേഷൻ), MIL-P-55110 (സൈനിക നിലവാരം).

UL സർട്ടിഫിക്കേഷൻ (ജ്വാല പ്രതിരോധകം), RoHS സർട്ടിഫിക്കേഷൻ (അപകടകരമായ പദാർത്ഥങ്ങളില്ലാത്തത്), ISO 9001.

കർശനമായ വൈബ്രേഷൻ, ആഘാത പ്രതിരോധ ആവശ്യകതകളോടെ MIL-STD-810G പരിസ്ഥിതി പരിശോധന പാലിക്കുക.

AEC-Q100 (ചിപ്പുകൾ), AEC-Q200 (നിഷ്ക്രിയ ഘടകങ്ങൾ) സർട്ടിഫിക്കേഷനുകൾ ആവശ്യമാണ്.

ലെഡ്, കാഡ്മിയം തുടങ്ങിയ അപകടകരമായ വസ്തുക്കളുടെ ഉപയോഗം നിയന്ത്രിക്കുന്ന EU REACH നിയന്ത്രണങ്ങൾ പാലിക്കുക.

UL 94 V-0 റേറ്റിംഗ് (ജ്വാല വ്യാപനമില്ല), ഓക്സിജൻ സൂചിക 30% ത്തിൽ കൂടുതൽ.

ISO 13485 മെഡിക്കൽ ഉപകരണ ഗുണനിലവാര മാനേജ്മെന്റ് സിസ്റ്റം പാലിക്കുക.

AS9100 എയ്‌റോസ്‌പേസ് ഗുണനിലവാര മാനേജ്‌മെന്റ് സിസ്റ്റം സർട്ടിഫിക്കേഷൻ ആവശ്യമാണ്.

EN 55032 വൈദ്യുതകാന്തിക വികിരണ മാനദണ്ഡങ്ങൾ പാലിക്കുക,

മൂന്നാം കക്ഷി സർട്ടിഫിക്കേഷൻ ബോഡികൾ: SGS, TÜV, ഇന്റർടെക്.

ബോണ്ടിംഗ് പ്രക്രിയ പരിശോധിക്കുക (ഉദാ: DBC കോപ്പർ ഫോയിൽ ഓക്സീകരണം) ഉപരിതലം വീണ്ടും പ്രോസസ്സ് ചെയ്യുക.

ചെറിയ വിള്ളലുകൾ എപ്പോക്സി റെസിൻ കൊണ്ട് നിറയ്ക്കുക; ഗുരുതരമായ വിള്ളലുകൾ ഉണ്ടെങ്കിൽ അടിവസ്ത്രം മാറ്റിസ്ഥാപിക്കുക.

സോൾഡറിംഗ് താപനില പ്രൊഫൈൽ ക്രമീകരിക്കുകയും ഫ്ലക്സ് പ്രവർത്തനം നിയന്ത്രിക്കുകയും ചെയ്യുക (RA ഗ്രേഡ്).

വയറിംഗ് ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക, കുറഞ്ഞ ഡൈഇലക്ട്രിക് സ്ഥിരാങ്ക വസ്തുക്കൾ ഉപയോഗിക്കുക, ഗ്രൗണ്ടിംഗ് പാളികൾ ചേർക്കുക.

താപ ചാലക പാതകൾ പരിശോധിച്ച് താപ പ്രതിരോധം പരിശോധിക്കുക (ലക്ഷ്യം

അസമമായ സിന്ററിംഗ് പ്രക്രിയ അല്ലെങ്കിൽ അപര്യാപ്തമായ താപ സമ്മർദ്ദ ആശ്വാസം; നിർമ്മാണ പ്രക്രിയ ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക.

ജൈവ അവശിഷ്ടങ്ങൾ നീക്കം ചെയ്യാൻ പ്ലാസ്മ ഉപയോഗിച്ച് വൃത്തിയാക്കുക.

ചോർച്ച പോയിന്റുകൾ കണ്ടെത്തുന്നതിനുള്ള ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധ പരിശോധന (1000V DC).

സംരക്ഷണ കോട്ടിംഗുകൾ ശക്തിപ്പെടുത്തുക (ഉദാ: നിക്കൽ-സ്വർണ്ണ പ്ലേറ്റിംഗ്) കൂടാതെ നാശകാരിയായ വാതകങ്ങൾ ഒഴിവാക്കുക.

അടിവസ്ത്രത്തിന്റെ കനം (≥0.5mm) വർദ്ധിപ്പിച്ച് കോർണർ ഡിസൈൻ ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക.

കനംകുറഞ്ഞത് (

ഉയർന്ന താപ ചാലകതയും (100W/m・K) ശക്തിയുമുള്ള സിലിക്കൺ നൈട്രൈഡ് (Si₃N₄).

സെറാമിക് 3D പ്രിന്റിംഗ് 50μm കൃത്യതയോടെ സങ്കീർണ്ണമായ താപ വിസർജ്ജന ഘടനകൾ തിരിച്ചറിഞ്ഞിട്ടുണ്ട്.

സിമുലേഷൻ അൽഗോരിതങ്ങൾ വഴി താപ വിതരണം ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക, ഡിസൈൻ സൈക്കിൾ 30% കുറയ്ക്കുക.

20%-ൽ കൂടുതൽ വാർഷിക വിപണി വളർച്ചാ നിരക്കുള്ള SiC പവർ മൊഡ്യൂളുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു.

കുറഞ്ഞ ഡൈഇലക്ട്രിക് നഷ്ടം ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി ആശയവിനിമയ ആവശ്യങ്ങൾ നിറവേറ്റുന്നു, 2025 ആകുമ്പോഴേക്കും ഡിമാൻഡ് 50% വർദ്ധിക്കുമെന്ന് പ്രതീക്ഷിക്കുന്നു.

VOC ഉദ്‌വമനം കുറയ്ക്കുന്നതിന്, ജലത്തെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള കട്ടിയുള്ള ഫിലിം പേസ്റ്റുകൾ ജൈവ ലായകങ്ങൾക്ക് പകരമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

താപ വികാസ ഗുണകങ്ങൾ പൊരുത്തപ്പെടുത്തുന്നതിൽ ബുദ്ധിമുട്ട്, ബഫർ പാളി വസ്തുക്കൾ ആവശ്യമാണ്.

EUV ലിത്തോഗ്രാഫി 10nm-ലെവൽ സർക്യൂട്ടുകൾ കൈവരിക്കുന്നു, നിലവിൽ ഇത് ലബോറട്ടറി ഘട്ടത്തിലാണ്.

താഴ്ന്ന താപനിലയിലെ ഉയർന്ന സ്ഥിരത അവയെ ക്വാണ്ടം ചിപ്പുകളുടെ വാഹകരാക്കി മാറ്റിയേക്കാം.

പരമാവധി താപനില പ്രതിരോധം: 800℃, ഉയർന്ന താപനിലയിലുള്ള മെറ്റലൈസേഷൻ വസ്തുക്കൾ ആവശ്യമാണ് (ഉദാ: മോളിബ്ഡിനം-മാംഗനീസ് രീതി).

100MPa മർദ്ദം ചെറുക്കുകയും പോട്ടിംഗ് വഴി IP68 സംരക്ഷണം നേടുകയും ചെയ്യുക.

ന്യൂട്രോൺ വികിരണങ്ങളെ സംരക്ഷിക്കാൻ വികിരണ-പ്രതിരോധശേഷിയുള്ള സെറാമിക്സ് (ഉദാ: സിലിക്കൺ കാർബൈഡ്) ഉപയോഗിക്കുക.

സ്വഭാവ പ്രതിരോധം (50Ω) നിയന്ത്രിക്കുകയും ഡൈഇലക്ട്രിക് നഷ്ടം കുറയ്ക്കുകയും ചെയ്യുക (tanδ

100W/cm² വരെ ഹീറ്റ് ഫ്ലക്സ് സാന്ദ്രതയുള്ള മൈക്രോ-ചാനൽ ഹീറ്റ് ഡിസ്സിപ്പേഷൻ ഘടനകൾ സ്വീകരിക്കുക.

ISO 10993 ബയോളജിക്കൽ ടെസ്റ്റിംഗ് അനുസരിച്ചുള്ള ഉപരിതല പാസിവേഷൻ ആവശ്യമാണ്.

ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധവും ഇൻസുലേഷനും, സിസ്റ്റം കാര്യക്ഷമത 1%-2% മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു.

ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് DC (HVDC) ഇൻസുലേഷൻ ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുക, വോൾട്ടേജ് ≥10kV വരെ താങ്ങുക.

സ്വാഭാവിക ആവൃത്തിക്കായി ഷോക്ക്-അബ്സോർബിംഗ് ബ്രാക്കറ്റുകൾ ഉപയോഗിക്കുക, ബാഹ്യ ഉത്തേജന ആവൃത്തികൾ ഒഴിവാക്കുക.

മിനിയേച്ചറൈസേഷനും കുറഞ്ഞ പവർ ഡിസൈനും നേടുന്നതിന് MEMS ചിപ്പുകളുമായി സംയോജിപ്പിക്കുക.