PCB-ya seramîk

Materyalên hevpar oksîda alumînyûmê (Al₂O₃, paqijiya 60%-96%), nîtrîda alumînyûmê (AlN), û oksîda berîlyûmê (BeO, ji ber jehrîbûnê hêdî hêdî tê guhertin) ne. Oksîda alumînyûmê ya 96% ji %60 zêdetir sepanan pêk tîne.

Al₂O₃ (96%) bi qasî 25W/m・K ye, AlN digihêje 170-230W/m・K, û oksîda berîlyûmê (BeO) bi qasî 250W/m・K ye.

Oksîda alumînyûmê (6-7 ppm/°C), nîtrîda alumînyûmê (4.5 ppm/°C), ji FR4's 18-22 ppm/°C pir kêmtir e.

Di germahiya odeyê de, berxwedana îzolekirinê ya substratên Al₂O₃ >10¹⁴Ω ye, û ya substratên AlN >10¹³Ω ye.

Sabîta dîelektrîkê ya oksîda alumînyûmê ya %96 nêzîkî 9.8 (1MHz) e, û ya AlN jî nêzîkî 8.5 (1MHz) e.

Germahiya xebitandinê: -55℃~300℃, dikare li hember germahiyên bilind ên demkurt ên ku ji 800℃ derbas dibin, li ber xwe bide.

Hişkbûna Mohs 6-9 e, oksîda alumînyûmê (96%) digihîje asta 7an, bi zehmetiya pêvajoyê ya bilind.

Al₂O₃ (96%) nêzîkî 3.85 g/cm³ e, û AlN jî nêzîkî 3.26 g/cm³ e.

Windabûna dîelektrîkê kêm (tanδ

Rêjeya vegirtina avê

Pêvajoya fîlma stûr (çapkirina ser ekranê), pêvajoya fîlma zirav (sputterkirin/buharkirin), pêvajoya agirpêketina hevbeş (HTCC/LTCC), û hwd.

Germahiya sinterkirina HTCC 1500-1600℃ ye, LTCC 850-900℃ ye; LTCC dikare pêkhateyên pasîf bi lêçûnek bilindtir entegre bike.

Pêvajoya fîlma zirav dikare firehiya xêz/mesafeya 10μm/10μm bi dest bixe, û pêvajoya fîlma stûr dikare bi qasî 100μm/100μm be.

Kêmtirîn qûrahiya qulê ji bo qulkirina lazerê 50μm, û ji bo qulkirina mekanîkî 100μm e.

Girêdana rasterast a sifir (DBC), brazkirina çalak a metal (AMB), çapkirina fîlima stûr.

Qalindahiya tebeqeya sifir a hevpar 0,1-0,3 mm ye, herî zêde heta 0,5 mm ye.

Hêza girêdanê >25N/mm, demên çerxa germî ji 1000 caran zêdetir in (-40℃~150℃).

Ra ya pêvajoya fîlma zirav

Qutkirina bi lazer, perçekirin, qutkirina mekanîkî. Rastbûna qutkirina bi lazer ±25μm e.

Berhema pêvajoya fîlma zirav bi qasî %85-90, û pêvajoya fîlma stûr jî bi qasî %90-95 e.

Ji sêwirana goşeya tûj, nîvravîza fîletoyê ≥0.2 mm dûr bisekinin; li deverên ku zexta germî ya zêde lê heye ku qulên belavkirina germê zêde bikin.

Bi rêya girêdana çîpên flip, girêdana têlan, kaynakirina eutektîk, û hwd., girêdana çîpên flip xwedî berxwedanek germî ya kêm a 0.5℃/W ye.

Îstasyonên bingehîn ên 5G (windabûna sînyalê

Berxwedana germî kêm bike. Bikaranîna substratên AlN di modulên IGBT de dikare berxwedana germî kêm bike heta 1.5℃/W.

Dikare di yekîneyên kontrola motorê (ECU) de were bikar anîn, bi berxwedana germahiya bilind û berxwedana lerzînê ya hêja.

Substratên belavkirina germê yên LED-ê yên hêza bilind, bi berxwedana germî ya ku dikare heta jêr 3℃/W were kêmkirin.

Ji bo pelê sifir 1oz di bin bilindbûna germahiyê de 10℃, firehiya xêzek 1mm dikare bi qasî 2A hilgire.

Bi pêvajoyên hev-şewitandinê ve hatî berhevkirin, LTCC dikare herî zêde ji 100 tebeqeyan zêdetir bi dest bixe.

Hêza xwarbûnê ya Al₂O₃ (96%) >300MPa, û ya AlN >350MPa.

Berxwedana li hember tîrêjê (dikare li hember doza 10⁶Gy bisekine), sivik e (densiteya wê bi qasî 1/3 ji ya substratên metalî ye).

Testa çerxa germî (-40℃~125℃, 1000 car), testa germahiya şil (85℃/85% RH, 1000h).

Şikestina qata metalîzasyonê (demên çerxên têkçûna substrata Al₂O₃ DBC bi qasî 500-800 caran).

Qalindahiya 1 mm dikare li hember ≥5kV, voltaja destpêkirina dakêşana qismî > 2kV, li ber xwe bide.

Testa qelişîna teypê (teypa 3M 610), veqetandina qata metalî tune ye.

Di bin şert û mercên xebata normal de, ew dikare ji 10 salan zêdetir bigihîje, û di hawîrdorên germahiya bilind û şilbûna bilind de, ew ji 5 salan kurt dibe.

Tesbîtkirina tîrêjên X, mîkroskopa şopandina ultrasonîk (C-SAM), bi çareseriya heta 10μm.

Lerizîna sînusoîdal 5-2000Hz, lezdan 5g, 2 saetan bê şikestin dom dike.

Testa spreya xwêyê ya 96 demjimêran (çareseriya NaCl 5%), korozyona qata metalîzasyonê tune ye.

Modela laşê mirov (HBM) >2kV, modela makîneyê (MM) >200V.

-40℃~150℃, dema veguherînê

Bihayê substratên seramîk 5-10 caran ji FR4-ê ye, bi piranî ji ber materyal û pêvajoyên tevlihev.

Hilberîna girseyî, çêtirkirina pêvajoyê (wek mînak bikaranîna fîlma stûr li şûna fîlma zirav), hilbijartina materyalên erzan (wek mînak oksîda alumînyûmê ya %60).

Performansa îzolasyonê ya çêtir (bingeha metalî hewceyê tebeqeyên îzolasyonê ne), û katsayiya berfirehbûna germî bi çîpan re bêtir li hev tê.

Oksîda aluminumê (%60)

Cureyê materyalê, tevliheviya pêvajoyê, hejmara tebeqeyan, mezinahî, mîqdara fermanê.

Dikare bi rêya pêvajoya rigid-flex, bi zêdebûna lêçûnê ya 20%-30% were bidestxistin.

Ew ji sedî 15-20ê lêçûna giştî pêk tîne, û başkirina berhemê dikare bi girîngî wê kêm bike.

Dema ku mîqdara fermanê ji 5,000 parçeyan derbas bibe, lêçûna yekîneyê bi girîngî kêm dibe.

Çerxa pêşveçûnê ya dirêj (3-6 meh), lêçûna qalibê bilind (nêzîkî 50,000-100,000 yuan).

Performansa belavkirina germê ya substratên AlN 3 caran ji PCB-yên bingeha aluminiumê mezintir e, lê lêçûn 4 caran zêdetir e.

Bi pêçan ve hatî sabît kirin an jî bi lepika germî-guhêzbar ve hatî girêdan (berxwedana germî

Germahiya lûtkeya lehimkirina Reflow: 240-260℃, dem

Ji nû ve tê bikaranîn, lê germahiya bilind dikare bibe sedema şikestina seramîk bi rêjeya serkeftinê ya nêzîkî %70.

Bi paqijkirina ultrasonîk a IPA (alkolê îzopropîl) ji bo

Şilbûna jîngeha xebatê di navbera %40-60 de bihêlin û destbendên antîstatîk li xwe bikin.

Materyalên bi katsayiyên berfirehbûna germî yên wekhev hilbijêrin û valahiyan bi rûnê silîkonê yê germîguhêzbar tijî bikin.

Nayê pêşniyarkirin, ji ber ku stresa germî dikare bibe sedema şikestina seramîk.

Torka ji bo pêçên M3: 0.8-1.2N・m ji bo rêgirtina li kombûna stresê.

Xalên germ bi rêya wênekêşiya germî ya înfrared tespît bikin û girêdanê bi rêya ceribandina berxwedanê kontrol bikin.

Embarkirin: şilbûn

IPC-6012 (Taybetmendiya Performansê ji bo Tabloyên Çapkirî yên Hişk), MIL-P-55110 (Standarda Leşkerî).

Sertîfîkaya UL (berxwedêrê agir), sertîfîkaya RoHS (bê madeyên xeternak), ISO 9001.

Bi daxwazên hişk ên berxwedana vibrasyon û bandorê re li gorî ceribandina jîngehê ya MIL-STD-810G bicîh bînin.

Sertîfîkayên AEC-Q100 (çîp) û AEC-Q200 (pêkhateyên pasîf) hewce dike.

Li gorî rêziknameyên REACH yên YE tevbigerin, bi sînordarkirina karanîna madeyên xeternak ên wekî silindir û kadmiyûmê.

Nirxandina UL 94 V-0 (belavbûna agir tune), endeksa oksîjenê >%30.

Li gorî Pergala Rêveberiya Kalîteya Amûrên Tibbî ISO 13485 tevbigerin.

Pêdivî bi sertîfîkaya pergala rêveberiya kalîteya hewavaniyê ya AS9100 heye.

Li gorî standardên tîrêjên elektromagnetîk ên EN 55032 be, emîsyonên rêberkirî

Saziyên pejirandinê yên partiya sêyemîn: SGS, TÜV, Intertek.

Pêvajoya zeliqandinê kontrol bike (mînak, oksîdasyona pelê sifir a DBC) û rûyê wê ji nû ve pêvajo bike.

Şikestinên biçûk bi rezîna epoksî tijî bikin; ji bo şikestinên giran substratê biguherînin.

Profîla germahiya lehimkirinê rast bike û çalakiya herikînê kontrol bike (pola RA).

Têlan baştir bikin, materyalên bi sabîta dîelektrîkê ya kêm bikar bînin, û tebeqeyên erdê lê zêde bikin.

Rêyên veguhestina germî kontrol bikin û berxwedana germî biceribînin (armanc

Pêvajoya sinterkirinê ya neyeksan an jî kêmasiya sintera germî; pêvajoya çêkirinê baştir bikin.

Ji bo rakirina bermayiyên organîk bi plazmayê paqij bikin.

Testa berxwedana îzolasyonê (1000V DC) ji bo dîtina xalên rijandinê.

Pêçanên parastinê (mînak, pêçandina nîkel-zêr) xurt bikin û ji gazên korozîf dûr bisekinin.

Qalindahiya substratê zêde bike (≥0.5 mm) û sêwirana quncikê baştir bike.

Tenikkirin (

Nîtrîda silîkonê (Si₃N₄), bi germîgiriya bilind (100W/m・K) û hêz.

Çapkirina 3D ya seramîk bi rastbûna 50μm avahiyên belavkirina germê yên tevlihev pêk aniye.

Belavkirina germî bi rêya algorîtmayên simulasyonê baştir bike, û çerxa sêwirandinê bi rêjeya %30 kurt bike.

Di modulên hêzê yên SiC de bi rêjeya mezinbûna bazara salane ya ji% 20 zêdetir tê bikar anîn.

Windabûna dîelektrîkê ya kêm pêdiviyên ragihandinê yên frekanseke bilind pêk tîne, û tê payîn ku daxwaz heta sala 2025an %50 zêde bibe.

Pastên fîlmên stûr ên li ser bingeha avê şûna çareserkerên organîk digirin da ku emîsyonên VOC kêm bikin.

Zehmetî di hevahengkirina katsayiyên berfirehbûna germî de, ku pêdivî bi materyalên qata tamponê heye.

Lîtografiya EUV çerxên asta 10nm bi dest dixe, ku niha di qonaxa laboratûarê de ye.

Aramiya bilind di germahiyên nizm de dibe ku wan bike hilgirên çîpên kuantumê.

Berxwedana germahiya herî zêde: 800℃, ku materyalên metalîzasyonê yên germahiya bilind hewce dike (mînak, rêbaza molîbden-manganez).

Li hember zexta 100MPa li ber xwe didin û bi rêya pottingê parastina IP68 bi dest dixin.

Ji bo parastina tîrêjên notronê, seramîkên berxwedêr ên tîrêjê (mînak, silicon carbide) bikar bînin.

Kontrolkirina împedansa taybetmendî (50Ω) û kêmkirina windabûna dielektrîkê (tanδ

Strukturên belavkirina germê yên mîkro-kanalê bi dendika herikîna germê heta 100W/cm² qebûl bikin.

Pasîfîzasyona rûyê erdê, li gorî ceribandina biyolojîkî ya ISO 10993, pêdivî ye.

Berxwedana germahiya bilind û îzolasyon, karîgeriya pergalê bi rêjeya 1%-2% baştir dike.

Pêdiviyên îzolasyonê yên DC (HVDC) yên voltaja bilind bicîh bînin, li hember voltaja ≥10kV berxwe bidin.

Ji bo frekansên xwezayî, braketên şok-mijîner bi kar bînin û ji frekansên tehrîkkirina derveyî dûr bisekinin.

Bi çîpên MEMS re entegre bibin da ku piçûkkirin û sêwirana kêm-hêz bi dest bixin