সিরামিক পিসিবি

সাধারণ উপকরণগুলির মধ্যে রয়েছে অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড (Al₂O₃, 60%-96% বিশুদ্ধতা), অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড (AlN), এবং বেরিলিয়াম অক্সাইড (BeO, বিষাক্ততার কারণে ধীরে ধীরে প্রতিস্থাপিত হয়)। 60% এরও বেশি প্রয়োগের জন্য 96% অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড দায়ী।

Al₂O₃ (৯৬%) হল আনুমানিক ২৫ ওয়াট/মিটার・কে, AlN হল ১৭০-২৩০ ওয়াট/মিটার・কে, এবং বেরিলিয়াম অক্সাইড (BeO) হল প্রায় ২৫০ ওয়াট/মিটার・কে।

অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড (৬-৭ পিপিএম/°সে), অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড (৪.৫ পিপিএম/°সে), FR4 এর ১৮-২২ পিপিএম/°সে এর চেয়ে অনেক কম।

ঘরের তাপমাত্রায়, Al₂O₃ সাবস্ট্রেটের অন্তরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা >10¹⁴Ω, এবং AlN সাবস্ট্রেটের অন্তরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা >10¹³Ω।

৯৬% অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইডের ডাইইলেক্ট্রিক ধ্রুবক প্রায় ৯.৮ (১ মেগাহার্টজ), এবং AlN এর ধ্রুবক প্রায় ৮.৫ (১ মেগাহার্টজ)।

অপারেটিং তাপমাত্রা: -55℃~300℃, 800℃ এর বেশি স্বল্পমেয়াদী উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে।

মোহস কঠোরতা 6-9, অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড (96%) 7 স্তরে পৌঁছায়, উচ্চ প্রক্রিয়াকরণ অসুবিধা সহ।

Al₂O₃ (৯৬%) হল আনুমানিক ৩.৮৫ গ্রাম/সেমি³, এবং AlN হল প্রায় ৩.২৬ গ্রাম/সেমি³।

কম ডাইইলেক্ট্রিক লস (tanδ＜0.002), কম সিগন্যাল ট্রান্সমিশন বিলম্ব।

জল শোষণের হার

পুরু-ফিল্ম প্রক্রিয়া (স্ক্রিন প্রিন্টিং), পাতলা-ফিল্ম প্রক্রিয়া (স্পুটারিং/বাষ্পীভবন), সহ-ফায়ারিং প্রক্রিয়া (HTCC/LTCC), ইত্যাদি।

HTCC সিন্টারিং তাপমাত্রা 1500-1600℃, LTCC 850-900℃; LTCC উচ্চ খরচে প্যাসিভ উপাদানগুলিকে একীভূত করতে পারে।

পাতলা-ফিল্ম প্রক্রিয়াটি 10μm/10μm লাইন প্রস্থ/ব্যবধান অর্জন করতে পারে, এবং পুরু-ফিল্ম প্রক্রিয়াটি প্রায় 100μm/100μm।

লেজার ড্রিলিংয়ের জন্য সর্বনিম্ন গর্তের ব্যাস 50μm এবং যান্ত্রিক ড্রিলিংয়ের জন্য 100μm।

ডাইরেক্ট বন্ডিং কপার (DBC), অ্যাক্টিভ মেটাল ব্রেজিং (AMB), পুরু-ফিল্ম প্রিন্টিং।

সাধারণ তামার স্তরের পুরুত্ব 0.1-0.3 মিমি, সর্বোচ্চ 0.5 মিমি পর্যন্ত।

বন্ধন শক্তি> 25N/মিমি, তাপ চক্রের সময় 1000 বারের বেশি (-40℃~150℃)।

পাতলা-ফিল্ম প্রক্রিয়া Ra

লেজার কাটিং, ডাইসিং, যান্ত্রিক কাটিং। লেজার কাটার নির্ভুলতা ±25μm।

পাতলা-ফিল্ম প্রক্রিয়ার ফলন প্রায় 85%-90%, এবং পুরু-ফিল্ম প্রক্রিয়ার ফলন প্রায় 90%-95%।

তীব্র কোণ নকশা, ফিলেট ব্যাসার্ধ ≥0.2 মিমি এড়িয়ে চলুন; ঘনীভূত তাপীয় চাপযুক্ত এলাকায় তাপ অপচয় গর্ত যোগ করুন।

ফ্লিপ চিপ বন্ধন, তারের বন্ধন, ইউটেকটিক ওয়েল্ডিং ইত্যাদির মাধ্যমে। ফ্লিপ চিপ বন্ধনের তাপীয় প্রতিরোধ ক্ষমতা 0.5℃/W এর মতো কম।

৫জি বেস স্টেশন (সিগন্যাল লস

তাপ প্রতিরোধ ক্ষমতা হ্রাস করুন। IGBT মডিউলে AlN সাবস্ট্রেট ব্যবহার করলে তাপ প্রতিরোধ ক্ষমতা 1.5℃/W এ কমানো যায়।

ইঞ্জিন নিয়ন্ত্রণ ইউনিটে (ECU) ব্যবহার করা যেতে পারে, যার উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং কম্পন প্রতিরোধ ক্ষমতা চমৎকার।

উচ্চ-শক্তিসম্পন্ন LED তাপ অপচয় সাবস্ট্রেট, যার তাপ প্রতিরোধ ক্ষমতা 3℃/W এর নিচে হ্রাস করা যায়।

১০ ডিগ্রি সেলসিয়াস তাপমাত্রা বৃদ্ধির অধীনে ১ আউন্স তামার ফয়েলের জন্য, ১ মিমি লাইন প্রস্থ প্রায় ২A বহন করতে পারে।

সহ-ফায়ারিং প্রক্রিয়ার মাধ্যমে স্তূপীকৃত, LTCC সর্বাধিক 100 টিরও বেশি স্তর অর্জন করতে পারে।

Al₂O₃ (96%) >300MPa এবং AlN >350MPa এর নমনীয় শক্তি।

বিকিরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা (১০⁶Gy ডোজ সহ্য করতে পারে), হালকা (ঘনত্ব ধাতব স্তরের প্রায় ১/৩)।

তাপীয় চক্র পরীক্ষা (-40℃~125℃, 1000 বার), স্যাঁতসেঁতে তাপ পরীক্ষা (85℃/85% RH, 1000h)।

ধাতবকরণ স্তর ফাটল (Al₂O₃ DBC সাবস্ট্রেট ব্যর্থতার চক্র প্রায় 500-800 বার)।

১ মিমি পুরুত্ব ≥৫ কেভি, আংশিক স্রাব ইনসেপশন ভোল্টেজ>২ কেভি সহ্য করতে পারে।

টেপ পিলিং টেস্ট (3M 610 টেপ), কোনও ধাতব স্তর বিচ্ছিন্নতা নেই।

স্বাভাবিক কাজের পরিস্থিতিতে, এটি 10 ​​বছরেরও বেশি সময় ধরে পৌঁছাতে পারে এবং উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-আর্দ্রতা পরিবেশে, এটি 5 বছর পর্যন্ত ছোট করা হয়।

এক্স-রে সনাক্তকরণ, অতিস্বনক স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ (C-SAM), যার রেজোলিউশন 10μm পর্যন্ত।

সাইনোসয়েডাল কম্পন ৫-২০০০Hz, ত্বরণ ৫ গ্রাম, ফাটল ছাড়াই ২ ঘন্টা স্থায়ী।

৯৬ ঘন্টা লবণ স্প্রে পরীক্ষা (৫% NaCl দ্রবণ), ধাতবকরণ স্তরের কোনও ক্ষয় নেই।

মানবদেহের মডেল (HBM) >2kV, মেশিন মডেল (MM) >200V।

-40℃~150℃, রূপান্তর সময়

সিরামিক সাবস্ট্রেটের দাম FR4 এর তুলনায় 5-10 গুণ বেশি, মূলত জটিল উপকরণ এবং প্রক্রিয়ার কারণে।

ব্যাপক উৎপাদন, প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজেশন (যেমন পাতলা ফিল্মের পরিবর্তে পুরু ফিল্ম ব্যবহার করা), কম খরচের উপকরণ নির্বাচন করা (যেমন 60% অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড)।

উন্নত অন্তরণ কর্মক্ষমতা (ধাতু স্তরগুলির অন্তরণ স্তর প্রয়োজন), এবং তাপীয় প্রসারণের সহগ চিপগুলির সাথে আরও বেশি মিলে যায়।

অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড (60%) অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড (96%) অ্যালুমিনিয়াম

উপাদানের ধরণ, প্রক্রিয়া জটিলতা, স্তরের সংখ্যা, আকার, অর্ডারের পরিমাণ।

রিজিড-ফ্লেক্স প্রক্রিয়ার মাধ্যমে অর্জন করা যেতে পারে, যার খরচ ২০%-৩০% বৃদ্ধি পাবে।

মোট খরচের প্রায় ১৫%-২০% এর জন্য দায়ী, এবং ফলনের উন্নতি এটি উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করতে পারে।

যখন অর্ডারের পরিমাণ ৫,০০০ পিস ছাড়িয়ে যায়, তখন ইউনিট খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়।

দীর্ঘ বিকাশ চক্র (৩-৬ মাস), উচ্চ ছাঁচ খরচ (প্রায় ৫০,০০০-১০০,০০০ ইউয়ান)।

AlN সাবস্ট্রেটের তাপ অপচয় কর্মক্ষমতা অ্যালুমিনিয়াম-ভিত্তিক PCB-এর তুলনায় 3 গুণ বেশি, তবে খরচ 4 গুণ বেশি।

স্ক্রু দ্বারা স্থির করা হয়েছে অথবা তাপ পরিবাহী আঠালো (তাপ প্রতিরোধের

রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের সর্বোচ্চ তাপমাত্রা: 240-260℃, সময়কাল

পুনর্ব্যবহারযোগ্য, কিন্তু উচ্চ তাপমাত্রার কারণে সিরামিক ফাটল দেখা দিতে পারে যার সাফল্যের হার প্রায় ৭০%।

IPA (আইসোপ্রোপাইল অ্যালকোহল) আল্ট্রাসোনিক ক্লিনিং দিয়ে

কাজের পরিবেশের আর্দ্রতা ৪০%-৬০% বজায় রাখুন এবং অ্যান্টি-স্ট্যাটিক রিস্টব্যান্ড পরুন।

একই রকম তাপীয় প্রসারণ সহগযুক্ত উপকরণ নির্বাচন করুন এবং তাপীয় পরিবাহী সিলিকন গ্রীস দিয়ে শূন্যস্থান পূরণ করুন।

সুপারিশ করা হয় না, কারণ তাপীয় চাপের কারণে সিরামিক ফাটল দেখা দিতে পারে।

M3 স্ক্রুগুলির জন্য টর্ক: চাপের ঘনত্ব এড়াতে 0.8-1.2N・m।

ইনফ্রারেড থার্মাল ইমেজিংয়ের মাধ্যমে হটস্পট সনাক্ত করুন এবং প্রতিরোধ পরীক্ষার মাধ্যমে সংযোগ পরীক্ষা করুন।

সঞ্চয়স্থান: আর্দ্রতা

IPC-6012 (রিজিড প্রিন্টেড বোর্ডের জন্য পারফরম্যান্স স্পেসিফিকেশন), MIL-P-55110 (মিলিটারি স্ট্যান্ডার্ড)।

UL সার্টিফিকেশন (শিখা প্রতিরোধক), RoHS সার্টিফিকেশন (বিপজ্জনক পদার্থ-মুক্ত), ISO 9001।

কঠোর কম্পন এবং প্রভাব প্রতিরোধের প্রয়োজনীয়তা সহ MIL-STD-810G পরিবেশগত পরীক্ষার সাথে মিলিত হন।

AEC-Q100 (চিপস) এবং AEC-Q200 (প্যাসিভ কম্পোনেন্ট) সার্টিফিকেশন প্রয়োজন।

সীসা এবং ক্যাডমিয়ামের মতো বিপজ্জনক পদার্থের ব্যবহার সীমিত করে EU REACH নিয়ম মেনে চলুন।

UL 94 V-0 রেটিং (কোনও শিখা ছড়িয়ে নেই), অক্সিজেন সূচক >30%।

ISO 13485 মেডিকেল ডিভাইস মান ব্যবস্থাপনা সিস্টেম মেনে চলুন।

AS9100 এরোস্পেস কোয়ালিটি ম্যানেজমেন্ট সিস্টেম সার্টিফিকেশন প্রয়োজন।

EN 55032 ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক বিকিরণ মান মেনে চলুন, পরিচালিত নির্গমন

তৃতীয় পক্ষের সার্টিফিকেশন সংস্থা: SGS, TÜV, Intertek।

বন্ধন প্রক্রিয়া (যেমন, ডিবিসি তামার ফয়েল জারণ) পরীক্ষা করুন এবং পৃষ্ঠটি পুনরায় প্রক্রিয়া করুন।

ছোটখাটো ফাটলগুলো ইপোক্সি রজন দিয়ে পূরণ করুন; গুরুতর ফাটলের জন্য সাবস্ট্রেট প্রতিস্থাপন করুন।

সোল্ডারিং তাপমাত্রা প্রোফাইল সামঞ্জস্য করুন এবং ফ্লাক্স কার্যকলাপ নিয়ন্ত্রণ করুন (RA গ্রেড)।

ওয়্যারিং অপ্টিমাইজ করুন, কম ডাইইলেক্ট্রিক ধ্রুবক উপকরণ ব্যবহার করুন এবং গ্রাউন্ডিং স্তর যুক্ত করুন।

তাপ পরিবাহিতা পথ পরিদর্শন করুন এবং তাপ প্রতিরোধের পরীক্ষা করুন (লক্ষ্য

অসম সিন্টারিং প্রক্রিয়া বা অপর্যাপ্ত তাপীয় চাপ উপশম; উৎপাদন প্রক্রিয়াটি অপ্টিমাইজ করুন।

জৈব অবশিষ্টাংশ অপসারণের জন্য প্লাজমা দিয়ে পরিষ্কার করুন।

লিকেজ পয়েন্ট সনাক্ত করার জন্য ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্স পরীক্ষা (1000V DC)।

প্রতিরক্ষামূলক আবরণ (যেমন, নিকেল-সোনার প্রলেপ) শক্তিশালী করুন এবং ক্ষয়কারী গ্যাস এড়িয়ে চলুন।

সাবস্ট্রেটের পুরুত্ব (≥0.5 মিমি) বৃদ্ধি করুন এবং কোণার নকশাটি অপ্টিমাইজ করুন।

পাতলা করা (

সিলিকন নাইট্রাইড (Si₃N₄), উচ্চ তাপ পরিবাহিতা (100W/m・K) এবং শক্তি সহ।

সিরামিক 3D প্রিন্টিং 50μm নির্ভুলতার সাথে জটিল তাপ অপচয় কাঠামো বাস্তবায়ন করেছে।

সিমুলেশন অ্যালগরিদমের মাধ্যমে তাপীয় বিতরণ অপ্টিমাইজ করুন, নকশা চক্রকে 30% কমিয়ে আনুন।

SiC পাওয়ার মডিউলগুলিতে ব্যবহৃত হয় যার বার্ষিক বাজার বৃদ্ধির হার ২০% এর বেশি।

কম ডাইইলেক্ট্রিক লস উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি যোগাযোগের চাহিদা পূরণ করে, ২০২৫ সালের মধ্যে চাহিদা ৫০% বৃদ্ধি পাবে বলে আশা করা হচ্ছে।

জল-ভিত্তিক পুরু-ফিল্ম পেস্টগুলি VOC নির্গমন কমাতে জৈব দ্রাবকগুলিকে প্রতিস্থাপন করে।

তাপীয় সম্প্রসারণ সহগ মেলাতে অসুবিধা, বাফার স্তর উপকরণের প্রয়োজন।

EUV লিথোগ্রাফি 10nm-স্তরের সার্কিট অর্জন করে, বর্তমানে পরীক্ষাগার পর্যায়ে রয়েছে।

কম তাপমাত্রায় উচ্চ স্থিতিশীলতা এগুলিকে কোয়ান্টাম চিপের বাহক করে তুলতে পারে।

সর্বোচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা: 800℃, উচ্চ-তাপমাত্রার ধাতবকরণ উপকরণের প্রয়োজন (যেমন, মলিবডেনাম-ম্যাঙ্গানিজ পদ্ধতি)।

১০০ এমপিএ চাপ সহ্য করুন এবং পটিং এর মাধ্যমে IP68 সুরক্ষা অর্জন করুন।

নিউট্রন বিকিরণকে রক্ষা করতে বিকিরণ-প্রতিরোধী সিরামিক (যেমন, সিলিকন কার্বাইড) ব্যবহার করুন।

বৈশিষ্ট্যগত প্রতিবন্ধকতা (50Ω) নিয়ন্ত্রণ করুন এবং ডাইইলেক্ট্রিক ক্ষতি (ট্যানδ

১০০ ওয়াট/সেমি² পর্যন্ত তাপ প্রবাহ ঘনত্ব সহ মাইক্রো-চ্যানেল তাপ অপচয় কাঠামো গ্রহণ করুন।

ISO 10993 জৈবিক পরীক্ষার সাথে সঙ্গতিপূর্ণ, পৃষ্ঠের প্যাসিভেশন প্রয়োজন।

উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ এবং অন্তরণ, সিস্টেমের দক্ষতা 1%-2% উন্নত করে।

উচ্চ-ভোল্টেজ ডিসি (HVDC) অন্তরণ প্রয়োজনীয়তা পূরণ করুন, ভোল্টেজ ≥10kV সহ্য করতে পারে।

প্রাকৃতিক ফ্রিকোয়েন্সির জন্য শক-শোষণকারী বন্ধনী ব্যবহার করুন এবং বাহ্যিক উত্তেজনা ফ্রিকোয়েন্সি এড়িয়ে চলুন।

ক্ষুদ্রাকৃতিকরণ এবং কম-পাওয়ার ডিজাইন অর্জনের জন্য MEMS চিপগুলির সাথে একীভূত করুন