Керамик PCB

Гадәти материалларга алюминий оксиды (Al₂O₃, 60%-96% сафлык), алюминий нитриды (AlN) һәм бериллий оксиды (BeO, токсиклыгы аркасында әкренләп алыштырыла) керә. Куллануның 60% тан артыгын алюминий оксиды тәшкил итә.

Al₂O₃ (96%) якынча 25Вт/м・К тәшкил итә, AlN 170-230Вт/м・К га җитә, ә бериллий оксиды (BeO) якынча 250Вт/м・К тәшкил итә.

Алюминий оксиды (6-7 ppm/°C), алюминий нитриды (4,5 ppm/°C), FR4'ның 18-22 ppm/°C күрсәткеченнән күпкә түбәнрәк.

Бүлмә температурасында Al₂O₃ нигезләренең изоляциягә каршылыгы >10¹⁴Ω, ә AlN нигезләренке >10¹³Ω.

96% алюминий оксидының диэлектрик даимилеге якынча 9,8 (1 МГц), ә AlNныкы якынча 8,5 (1 МГц) тәшкил итә.

Эш температурасы: -55℃ ~ 300℃, 800℃ тан артык кыска вакытлы югары температураларга чыдам.

Мохс катылыгы 6-9, алюминий оксиды (96%) 7 нче дәрәҗәгә җитә, эшкәртү авырлыгы югары.

Al₂O₃ (96%) якынча 3,85 г/см³, ә AlN якынча 3,26 г/см³ тәшкил итә.

Диэлектрик югалтулар түбән (танδ

Су сеңдерү дәрәҗәсе

Калын пленка процессы (экран бастыру), юка пленка процессы (сиптерү/парга әйләндерү), бергәләп яндыру процессы (HTCC/LTCC) һ.б.

HTCC блендерлау температурасы 1500-1600℃, LTCC 850-900℃; LTCC югарырак бәягә пассив компонентларны берләштерә ала.

Нечкә пленкалы процесс сызык киңлеге/аралыгы 10 мкм/10 мкм га кадәр җитә ала, ә калын пленкалы процесс якынча 100 мкм/100 мкм тәшкил итә.

Лазер бораулау өчен минималь тишек диаметры 50 мкм, ә механик бораулау өчен 100 мкм.

Турыдан-туры бакыр белән бәйләү (DBC), актив металл белән эретү (AMB), калын пленка белән бастыру.

Гадәти бакыр катламының калынлыгы 0,1-0,3 мм, максимум 0,5 мм га кадәр җитә.

Бәйләнеш ныклыгы > 25Н/мм, җылылык циклы вакыты 1000 тапкырдан артып китә (-40℃~150℃).

Юкка пленкалы эшкәртү Ra

Лазер белән кисү, ваклап турау, механик кисү. Лазер белән кисү төгәллеге ±25μm.

Нечкә пленкалы эшкәртү нәтиҗәсе якынча 85%-90%, ә калын пленкалы эшкәртү якынча 90%-95% тәшкил итә.

Кискен почмак конструкциясеннән, филе радиусы ≥0,2 мм булудан сакланыгыз; концентрацияләнгән җылылык көчәнеше булган урыннарда җылылык тарату тишекләре өстәгез.

Чипларны тоташтыру, чыбыкларны тоташтыру, эвтектик эретеп ябыштыру һ.б. аша. Чипларны тоташтыруның җылылыкка каршылыгы 0,5℃/W кадәр түбән.

5G база станцияләре (сигнал югалту

Термик каршылыкны киметү. IGBT модульләрендә AlN субстратларын куллану термик каршылыкны 1,5℃/W кадәр киметергә мөмкин.

Двигатель белән идарә итү блокларында (ECU) кулланырга мөмкин, югары температурага һәм тибрәнүгә бик яхшы чыдам.

Югары куәтле LED җылылык таратучы субстратлар, җылылык каршылыгы 3℃/W тан түбәнрәк кадәр киметелә.

10°C температура күтәрелгәндә 1 унция бакыр фольга өчен 1 мм киңлектәге сызык якынча 2А ток үткәрергә мөмкин.

Бергәләп яндыру процесслары аша үткәрелгәндә, LTCC күп дигәндә 100 дән артык катлам ясый ала.

Al₂O₃ (96%) > 300 МПа һәм AlN > 350 МПа бөгелүгә ныклык.

Нурланышка чыдамлы (10⁶Gy дозасына чыдам), җиңел (тыгызлыгы металл нигезләрнең якынча 1/3 өлеше).

Җылылык циклы сынауы (-40℃~125℃, 1000 тапкыр), дымлы җылылык сынауы (85℃/85% ныграк җылылык, 1000 сәгать).

Металлизация катламы ярылу (Al₂O₃ DBC субстратының җимерелү циклы якынча 500-800 тапкыр).

1 мм калынлык ≥5 кВ га чыдам, өлешчә разряд башлану көчәнеше > 2 кВ.

Тасманы чистарту тесты (3M 610 тасмасы), металл катламы аерылмый.

Гадәти эш шартларында ул 10 елдан артыкка җитәргә мөмкин, ә югары температуралы һәм югары дымлы мохиттә ул 5 елга кадәр кыскартыла.

Рентген нурларын ачыклау, ультратавыш сканерлау микроскопы (C-SAM), 10 мкм га кадәр ачыклык белән.

Синусоидаль тибрәнү 5-2000Гц, тизләнеш 5г, ярыкларсыз 2 сәгать дәвам итә.

96 сәгать тоз сиптерү сынавында (5% NaCl эремәсе) металлизация катламы коррозиягә дучар ителмәде.

Кеше тәне моделе (ГТМ) >2 кВ, машина моделе (ММ) >200 В.

-40℃~150℃, үзгәртү вакыты

Керамик субстратларның бәясе FR4 белән чагыштырганда 5-10 тапкыр кыйммәтрәк, нигездә, катлаулы материаллар һәм процесслар аркасында.

Күпләп җитештерү, процессны оптимальләштерү (мәсәлән, юка пленка урынына калын пленка куллану), арзан материаллар сайлау (мәсәлән, 60% алюминий оксиды).

Изоляция күрсәткечләре яхшырак (металл субстратлар өчен изоляция катламнары кирәк), һәм җылылык киңәю коэффициенты ватыклар белән күбрәк туры килә.

Алюминий оксиды (60%)

Материал төре, процесс катлаулылыгы, катламнар саны, зурлыгы, заказ күләме.

Каты-сыгылучан процесс аша ирешеп була, бәясе 20%-30% ка артып китә.

Гомуми чыгымнарның якынча 15% -20% ын тәшкил итә, һәм уңышны арттыру аны сизелерлек киметергә мөмкин.

Заказ күләме 5000 данәдән артып китсә, берәмлек бәясе сизелерлек кими.

Озын үсеш циклы (3-6 ай), югары калып бәясе (якынча 50,000-100,000 юань).

AlN субстратларының җылылык тарату күрсәткечләре алюминий нигезендәге PCBларга караганда 3 тапкыр артыграк, ләкин бәясе 4 тапкыр югарырак.

Винтлар белән беркетелә яки җылылык үткәргеч җилем белән беркетелә (җылылык каршылыгы

Рефлекторлы паяльнең иң югары температурасы: 240-260℃, озак вакыт

Кабат эшкәртергә мөмкин, ләкин югары температура керамик ярылуга китерергә мөмкин, уңыш күрсәткече якынча 70% тәшкил итә.

IPA (изопропил спирты) ультратавыш чистарту белән

Эш мохите дымлылыгын 40%-60% дәрәҗәсендә тотыгыз һәм антистатик беләзекләр киегез.

Охшаш җылылык киңәю коэффициентлары булган материалларны сайлагыз һәм бушлыкларны җылылык үткәрүчән силикон мае белән тутырыгыз.

Киңәш ителми, чөнки җылылык стрессы керамик ярылуга китерергә мөмкин.

M3 винтлары өчен момент: көчәнеш концентрациясен булдырмас өчен 0,8-1,2 Н・м.

Инфракызыл термик сурәтләү ярдәмендә кайнар нокталарны ачыклагыз һәм каршылык сынаулары ярдәмендә тоташуны тикшерегез.

Саклау: дымлылык

IPC-6012 (Каты басма такталар өчен эш сыйфаты), MIL-P-55110 (Хәрби стандарт).

UL сертификаты (ялкынга чыдам), RoHS сертификаты (куркыныч матдәләрсез), ISO 9001.

MIL-STD-810G әйләнә-тирә мохит сынауларын катгый тибрәнү һәм бәрелүгә чыдамлык таләпләре белән үтәгез.

AEC-Q100 (чиплар) һәм AEC-Q200 (пассив компонентлар) сертификатлары таләп ителә.

Кургаш һәм кадмий кебек куркыныч матдәләрне куллануны чикләүче EU REACH кагыйдәләрен үтәгез.

UL 94 V-0 рейтингы (ялкын таралмый), кислород индексы >30%.

ISO 13485 медицина җайланмалары сыйфатын идарә итү системасына туры килерлек.

AS9100 аэрокосмик сыйфат белән идарә итү системасы сертификациясен таләп итегез.

EN 55032 электромагнит нурланыш стандартларына туры килегез, үткәргеч чыгарулар

Өченче як сертификацияләү органнары: SGS, TÜV, Intertek.

Ябыштыру процессын тикшерегез (мәсәлән, DBC бакыр фольга оксидациясе) һәм өслекне яңадан эшкәртегез.

Кечкенә ярыкларны эпоксид сумала белән тутырыгыз; көчле ярыклар өчен нигезне алыштырыгыз.

Пыялагыч температурасы профилен көйләгез һәм агым активлыгын контрольдә тотыгыз (RA дәрәҗәсе).

Электр үткәргечләрен оптимальләштерегез, түбән диэлектрик даими материаллар кулланыгыз һәм җирләү катламнары өстәгез.

Җылылык үткәрү юлларын тикшерегез һәм җылылык каршылыгын тикшерегез (максат

Тигез булмаган блендерлау процессы яки җылылык стрессын киметү җитәрлек түгел; җитештерү процессын оптимальләштерегез.

Органик калдыкларны бетерү өчен плазма белән чистартыгыз.

Агып чыгу нокталарын табу өчен изоляциягә каршы тору сынауы (1000 В даими ток).

Саклагыч капламаларны ныгытыгыз (мәсәлән, никель-алтын каплама) һәм коррозияле газлардан сакланыгыз.

Субстрат калынлыгын арттырыгыз (≥0,5 мм) һәм почмак дизайнын оптимальләштерегез.

Нечкәләштерү (

Кремний нитриды (Si₃N₄), югары җылылык үткәрүчәнлеге (100 Вт/м・К) һәм ныклыгы белән.

Керамик 3D бастыру 50 мкм төгәллек белән катлаулы җылылык тарату структураларын гамәлгә ашырды.

Модельләштерү алгоритмнары ярдәмендә җылылык бүленешен оптимальләштерү, проектлау циклын 30% ка кыскарту.

Еллык базар үсеш темплары 20% тан артык булган SiC көч модульләрендә кулланыла.

Түбән диэлектрик югалтулар югары ешлыклы элемтә ихтыяҗларын канәгатьләндерә, сорау 2025 елга 50% ка артачак дип көтелә.

Су нигезендәге калын пленкалы пасталар органик эреткечләрне алыштыра, шуның белән очрый торган органик матдәләр чыгарылуын киметә.

Термик киңәю коэффициентларын туры китерүдә кыенлыклар, буфер катламы материаллары таләп ителә.

EUV литографиясе хәзерге вакытта лаборатория этабында, 10 нм дәрәҗәдәге схемаларга ирешә.

Түбән температураларда югары тотрыклылык аларны квант чиплары өчен ташучылар итә ала.

Максималь температурага чыдамлык: 800℃, югары температуралы металлизация материалларын таләп итә (мәсәлән, молибден-марганец ысулы).

100 МПа басымга чыдам һәм чүлмәкләр белән каплау аша IP68 саклауга ирешә.

Нейтрон нурланышын саклау өчен нурланышка чыдам керамика (мәсәлән, кремний карбиды) кулланыгыз.

Характеристик импедансны (50Ω) контрольдә тоту һәм диэлектрик югалтуларны киметү (танδ

100 Вт/см² кадәр җылылык агымы тыгызлыгы белән микроканаллы җылылык тарату структураларын кулланыгыз.

ISO 10993 биологик сынауларына туры китереп, өслек пассивациясе таләп ителә.

Югары температурага чыдамлык һәм изоляция, системаның нәтиҗәлелеген 1%-2% ка яхшырта.

Югары вольтлы даими ток (HVDC) изоляция таләпләренә туры килә, ≥10 кВ көчәнешкә чыдам.

Амортизацияне йотучы кронштейннар кулланыгыз һәм табигый ешлык өчен тышкы кузгату ешлыкларыннан сакланыгыз.

Миниатюризациягә һәм аз энергияле дизайнга ирешү өчен MEMS чиплары белән интеграцияләгез