Seramik nga PCB

Ang kasagarang mga materyales naglakip sa aluminum oxide (Al₂O₃, 60%-96% nga kaputli), aluminum nitride (AlN), ug beryllium oxide (BeO, hinayhinay nga gipulihan tungod sa pagkahilo). 96% nga aluminum oxide ang naglangkob sa kapin sa 60% sa mga aplikasyon.

Ang Al₂O₃ (96%) kay gibana-bana nga 25W/m・K, ang AlN moabot sa 170-230W/m・K, ug ang beryllium oxide (BeO) kay gibana-bana nga 250W/m・K.

Aluminum oxide (6-7 ppm/°C), aluminum nitride (4.5 ppm/°C), mas ubos kay sa 18-22 ppm/°C sa FR4.

Sa temperatura sa kwarto, ang insulation resistance sa Al₂O₃ substrates kay >10¹⁴Ω, ug ang sa AlN substrates kay >10¹³Ω.

Ang dielectric constant sa 96% aluminum oxide mga 9.8 (1MHz), ug ang sa AlN mga 8.5 (1MHz).

Temperatura sa pag-operate: -55℃~300℃, makasugakod sa mubo nga panahon nga taas nga temperatura nga molapas sa 800℃.

Ang katig-a sa Mohs kay 6-9, ang aluminum oxide (96%) moabot sa lebel 7, nga adunay taas nga kalisud sa pagproseso.

Ang Al₂O₃ (96%) gibana-bana nga 3.85g/cm³, ug ang AlN gibana-bana nga 3.26g/cm³.

Ubos nga dielectric loss (tanδ

Rate sa pagsuhop sa tubig

Proseso sa baga nga film (screen printing), proseso sa nipis nga film (sputtering/evaporation), proseso sa co-firing (HTCC/LTCC), ug uban pa.

Ang temperatura sa sintering sa HTCC kay 1500-1600℃, ang LTCC kay 850-900℃; Ang LTCC maka-integrate og mga passive component nga mas mahal.

Ang proseso sa nipis nga pelikula makab-ot ang gilapdon/gilay-on sa linya nga 10μm/10μm, ug ang proseso sa baga nga pelikula mga 100μm/100μm.

Ang minimum nga diametro sa lungag para sa laser drilling kay 50μm, ug para sa mechanical drilling kay 100μm.

Direktang pagbugkos sa tumbaga (DBC), aktibong pagpabra sa metal (AMB), baga nga pag-imprinta.

Ang kasagarang gibag-on sa lut-od sa tumbaga kay 0.1-0.3mm, hangtod sa 0.5mm sa pinakataas.

Kusog sa pagbugkos >25N/mm, ang oras sa siklo sa kainit molapas sa 1000 ka pilo (-40℃~150℃).

Proseso sa nipis nga pelikula nga Ra

Pagputol gamit ang laser, pagtadtad, mekanikal nga pagputol. Ang katukma sa pagputol gamit ang laser kay ±25μm.

Ang ani sa proseso sa nipis nga pelikula mga 85%-90%, ug ang ani sa proseso sa baga nga pelikula mga 90%-95%.

Likayi ang disenyo nga acute angle, fillet radius ≥0.2mm; pagdugang og mga lungag sa pagpalapad sa kainit sa mga lugar nga adunay concentrated thermal stress.

Pinaagi sa flip chip bonding, wire bonding, eutectic welding, ug uban pa. Ang flip chip bonding adunay thermal resistance nga ubos ra sa 0.5℃/W.

Mga 5G base station (pagkawala sa signal

Pakunhuran ang resistensya sa kainit. Ang paggamit sa AlN substrates sa IGBT modules makapakunhod sa resistensya sa kainit ngadto sa 1.5℃/W.

Mahimong gamiton sa mga engine control unit (ECU), nga adunay maayo kaayong resistensya sa taas nga temperatura ug resistensya sa pag-uyog.

Mga high-power LED heat dissipation substrates, nga adunay thermal resistance nga mapakunhod ngadto sa ubos sa 3℃/W.

Para sa 1oz nga copper foil nga mosaka ang temperatura og 10℃, ang 1mm nga gilapdon sa linya makadala og gibana-bana nga 2A.

Pinaagi sa mga proseso sa co-firing, ang LTCC makakab-ot og labaw sa 100 ka mga lut-od sa pinakadaghan.

Ang kusog sa pag-flex sa Al₂O₃ (96%) >300MPa, ug ang sa AlN >350MPa.

Resistensiya sa radyasyon (makasugakod sa 10⁶Gy nga dosis), gaan (densidad nga mga 1/3 sa metal nga substrates).

Pagsulay sa siklo sa kainit (-40℃~125℃, 1000 ka pilo), pagsulay sa kainit sa basa (85℃/85% RH, 1000h).

Pagliki sa metallization layer (mga oras sa siklo sa pagkapakyas sa substrate sa Al₂O₃ DBC mga 500-800 ka beses).

Ang gibag-on nga 1mm makasugakod sa ≥5kV, partial discharge inception voltage >2kV.

Pagsulay sa pagpanit sa teyp (3M 610 tape), walay pagkatangtang sa metal nga lut-od.

Ubos sa normal nga mga kondisyon sa pagtrabaho, kini mahimong moabot ug sobra sa 10 ka tuig, ug sa mga palibot nga taas ang temperatura ug taas ang humidity, kini gipamubo ngadto sa 5 ka tuig.

Pag-detect sa X-ray, ultrasonic scanning microscope (C-SAM), nga adunay resolusyon nga hangtod sa 10μm.

Sinusoidal nga pag-uyog 5-2000Hz, akselerasyon 5g, molungtad og 2 ka oras nga walay mga liki.

96h nga pagsulay sa pag-spray sa asin (5% nga solusyon sa NaCl), walay kaagnasan sa layer sa metalisasyon.

Modelo sa lawas sa tawo (HBM) >2kV, modelo sa makina (MM) >200V.

-40℃~150℃, oras sa pagkakabig

Ang gasto sa mga seramikong substrate kay 5-10 ka pilo kay sa FR4, kasagaran tungod sa komplikado nga mga materyales ug proseso.

Produksyon nga daghanan, pag-optimize sa proseso (sama sa paggamit og baga nga film imbes nga nipis nga film), pagpili og barato nga mga materyales (sama sa 60% aluminum oxide).

Mas maayo nga performance sa insulation (ang mga metal substrates nagkinahanglan og mga insulation layer), ug ang coefficient sa thermal expansion mas nahiuyon sa mga chips.

Aluminum oxide (60%)

Klase sa materyal, pagkakomplikado sa proseso, gidaghanon sa mga lut-od, gidak-on, gidaghanon sa order.

Mahimo kining makab-ot pinaagi sa rigid-flex nga proseso, nga adunay pagtaas sa gasto nga 20%-30%.

Kini nagkantidad og mga 15%-20% sa kinatibuk-ang gasto, ug ang pag-uswag sa ani makapakunhod niini pag-ayo.

Kon ang gidaghanon sa order molapas sa 5,000 ka piraso, ang presyo sa matag usa mokunhod pag-ayo.

Taas nga siklo sa pag-uswag (3-6 ka bulan), taas nga gasto sa agup-op (mga 50,000-100,000 yuan).

Ang performance sa heat dissipation sa AlN substrates kay 3 ka pilo kay sa aluminum-based PCBs, apan ang gasto kay 4 ka pilo nga mas taas.

Giayo gamit ang mga turnilyo o gibugkos gamit ang thermal conductive adhesive (thermal resistance

Kinatas-ang temperatura sa reflow soldering: 240-260℃, gidugayon

Mahimo kining gamiton pag-usab, apan ang taas nga temperatura mahimong hinungdan sa pagliki sa seramiko nga adunay rate sa kalampusan nga mga 70%.

Limpyohi gamit ang IPA (isopropyl alcohol) ultrasonic cleaning sulod sa

Ipadayon ang kaumog sa palibot sa operasyon sa 40%-60% ug pagsul-ob og anti-static wristbands.

Pagpili og mga materyales nga adunay parehas nga thermal expansion coefficients ug pun-i ang mga kal-ang gamit ang thermal conductive silicone grease.

Dili girekomenda, tungod kay ang thermal stress mahimong hinungdan sa pagliki sa ceramic.

Torque para sa M3 nga mga turnilyo: 0.8-1.2N・m aron malikayan ang konsentrasyon sa stress.

Makita ang mga hotspot pinaagi sa infrared thermal imaging ug susiha ang koneksyon pinaagi sa resistance testing.

Pagtipig: humidity

IPC-6012 (Espisipikasyon sa Pagganap para sa mga Rigid Printed Board), MIL-P-55110 (Estandard sa Militar).

Sertipikasyon sa UL (dili masunog), sertipikasyon sa RoHS (walay delikado nga substansiya), ISO 9001.

Makab-ot ang MIL-STD-810G nga pagsulay sa kalikopan nga adunay estrikto nga mga kinahanglanon sa pagbatok sa pag-vibrate ug impact.

Kinahanglan ang mga sertipikasyon sa AEC-Q100 (mga chips) ug AEC-Q200 (mga passive component).

Pagsunod sa mga regulasyon sa EU REACH, nga naglimite sa paggamit sa mga delikado nga substansiya sama sa lead ug cadmium.

UL 94 V-0 rating (walay pagkaylap sa siga), indeks sa oksiheno >30%.

Pagsunod sa ISO 13485 nga sistema sa pagdumala sa kalidad sa mga medikal nga aparato.

Kinahanglan ang sertipikasyon sa sistema sa pagdumala sa kalidad sa aerospace nga AS9100.

Pagsunod sa mga sumbanan sa electromagnetic radiation sa EN 55032, mga emisyon nga

Mga lawas sa sertipikasyon sa ikatulo nga partido: SGS, TÜV, Intertek.

Susiha ang proseso sa pag-bonding (pananglitan, DBC copper foil oxidation) ug iproseso pag-usab ang nawong.

Pun-i og epoxy resin ang gagmay nga mga liki; ilisi ang substrate kon grabe na ang mga liki.

I-adjust ang profile sa temperatura sa pagsolder ug kontrola ang flux activity (RA grade).

I-optimize ang mga wiring, gamita ang mga materyales nga ubos ang dielectric constant, ug idugang ang mga grounding layer.

Susiha ang mga agianan sa thermal conduction ug sulayi ang thermal resistance (target

Dili patas nga proseso sa sintering o dili igo nga paghupay sa thermal stress; i-optimize ang proseso sa paggama.

Limpyohi gamit ang plasma aron makuha ang mga organikong salin.

Pagsulay sa resistensya sa insulasyon (1000V DC) aron makit-an ang mga punto sa pagtulo.

Palig-ona ang mga panalipod nga taklap (pananglitan, nickel-gold plating) ug likayi ang mga makadaot nga gas.

Dugangi ang gibag-on sa substrate (≥0.5mm) ug i-optimize ang disenyo sa kanto.

Pagnipis (

Silicon nitride (Si₃N₄), nga adunay taas nga thermal conductivity (100W/m・K) ug kusog.

Ang ceramic 3D printing nakab-ot ang komplikado nga mga istruktura sa pagpawala sa kainit nga adunay katukma nga 50μm.

I-optimize ang thermal distribution pinaagi sa simulation algorithms, nga makapamubo sa design cycle og 30%.

Gigamit sa mga SiC power module nga adunay tinuig nga rate sa pagtubo sa merkado nga sobra sa 20%.

Ang ubos nga dielectric loss makatubag sa mga panginahanglanon sa high-frequency communication, diin ang panginahanglan gilauman nga motubo og 50% sa 2025.

Ang mga water-based thick-film pastes mopuli sa mga organic solvents aron makunhuran ang mga emisyon sa VOC.

Kalisod sa pagpares sa mga thermal expansion coefficients, nga nanginahanglan og mga materyales sa buffer layer.

Ang EUV lithography nakakab-ot sa 10nm-level circuits, nga karon anaa sa laboratory stage.

Ang taas nga kalig-on sa ubos nga temperatura mahimong makahimo kanila nga mga tigdala sa mga quantum chips.

Kinatas-ang resistensya sa temperatura: 800℃, nga nanginahanglan og mga materyales nga metalisahon nga taas og temperatura (pananglitan, pamaagi sa molybdenum-manganese).

Makasugakod sa 100MPa nga presyur ug makab-ot ang proteksyon sa IP68 pinaagi sa pag-pot.

Gamita ang mga seramik nga dili masudlan sa radyasyon (pananglitan, silicon carbide) aron mapanalipdan ang radyasyon sa neutron.

Kontrolaha ang characteristic impedance (50Ω) ug pakunhuran ang dielectric loss (tanδ

Pagsagop og mga micro-channel heat dissipation structure nga adunay heat flux density hangtod sa 100W/cm².

Gikinahanglan ang surface passivation, nga nagsunod sa ISO 10993 biological testing.

Taas nga resistensya sa temperatura ug insulasyon, nga nagpauswag sa kahusayan sa sistema sa 1%-2%.

Makab-ot ang mga kinahanglanon sa high-voltage DC (HVDC) insulation, ang boltahe makasugakod sa ≥10kV.

Gamita ang mga shock-absorbing bracket ug likayi ang mga external excitation frequencies para sa natural frequency.

I-integrate sa mga MEMS chips aron makab-ot ang miniaturization ug low-power nga disenyo