PCB-и сафолӣ

Маводҳои маъмул иборатанд аз оксиди алюминий (Al₂O₃, покӣ 60%-96%), нитриди алюминий (AlN) ва оксиди бериллий (BeO, ки тадриҷан аз сабаби заҳролудӣ иваз карда мешавад). 96% оксиди алюминий беш аз 60% истифодаҳоро ташкил медиҳад.

Al₂O₃ (96%) тақрибан 25 Вт/м・К, AlN ба 170-230 Вт/м・К ва оксиди бериллий (BeO) тақрибан 250 Вт/м・К аст.

Оксиди алюминий (6-7 ppm/°C), нитриди алюминий (4.5 ppm/°C), нисбат ба FR4 18-22 ppm/°C хеле пасттар.

Дар ҳарорати хонагӣ, муқовимати изолятсияи субстратҳои Al₂O₃ >10¹⁴Ω ва муқовимати субстратҳои AlN >10¹³Ω аст.

Доимии диэлектрикии 96% оксиди алюминий тақрибан 9.8 (1 МГц) ва доимии AlN тақрибан 8.5 (1 МГц) аст.

Ҳарорати корӣ: -55℃ ~ 300℃, метавонад ҳарорати баланди кӯтоҳмуддати аз 800℃ зиёдро тоб оварад.

Сахтии Мохс 6-9 аст, оксиди алюминий (96%) ба сатҳи 7 мерасад ва бо душвории баланди коркард.

Al₂O₃ (96%) тақрибан 3.85 г/см³ ва AlN тақрибан 3.26 г/см³ мебошанд.

Талафоти диэлектрикии паст (танδ

Сатҳи азхудкунии об

Раванди плёнкаи ғафс (чопи экранӣ), раванди плёнкаи тунук (пошидан/бухор кардан), раванди якҷоя оташ задан (HTCC/LTCC) ва ғайра.

Ҳарорати пухтани HTCC 1500-1600℃, LTCC 850-900℃ аст; LTCC метавонад ҷузъҳои ғайрифаъолро бо арзиши баландтар муттаҳид кунад.

Раванди плёнкаи тунук метавонад паҳнои хат/фосилаи 10μm/10μm-ро ба даст орад ва раванди плёнкаи ғафс тақрибан 100μm/100μm-ро ташкил медиҳад.

Диаметри ҳадди ақали сӯрохи пармакунӣ бо лазер 50 мкм ва барои пармакунии механикӣ 100 мкм мебошад.

Пайванди мустақими мис (DBC), кафшери фаъоли металл (AMB), чопи плёнкаи ғафс.

Ғафсии қабати мисӣ одатан 0,1-0,3 мм аст, ҳадди аксар то 0,5 мм.

Қувваи пайванд >25Н/мм, вақти давраи гармӣ аз 1000 маротиба зиёд аст (-40℃~150℃).

Раванди плёнкаи тунук Ra

Буриши лазерӣ, буридани пора, буридани механикӣ. Дақиқии буриши лазерӣ ±25μm аст.

Ҳосилнокии коркарди плёнкаи тунук тақрибан 85%-90% ва коркарди плёнкаи ғафс тақрибан 90%-95% аст.

Аз тарҳи кунҷи тез, радиуси филе ≥0.2 мм худдорӣ кунед; дар минтақаҳое, ки фишори гармии мутамарказ доранд, сӯрохиҳои паҳншавии гармӣ илова кунед.

Тавассути пайваст кардани чипҳои флип, пайваст кардани сим, кафшери эвтектикӣ ва ғайра, пайваст кардани чипҳои флип муқовимати гармиро то 0.5℃/W дорад.

Истгоҳҳои пойгоҳии 5G (талафоти сигнал

Муқовимати гармиро кам кунед. Истифодаи субстратҳои AlN дар модулҳои IGBT метавонад муқовимати гармиро то 1.5℃/W кам кунад.

Онро дар блокҳои идоракунии муҳаррик (ECU) бо муқовимати аъло ба ҳарорати баланд ва муқовимати ларзиш истифода бурдан мумкин аст.

Субстратҳои паҳнкунии гармии LED бо қувваи баланд, ки муқовимати гармиро то 3℃/W паст кардан мумкин аст.

Барои фолгаи мисии 1 унсӣ дар ҳарорати 10°C, паҳнои хати 1 мм метавонад тақрибан 2А ҷараёнро интиқол диҳад.

Бо истифода аз равандҳои якҷояи оташгирӣ, LTCC метавонад ҳадди аксар беш аз 100 қабатро ба даст орад.

Қувваи хамшавии Al₂O₃ (96%) >300MPa ва қувваи AlN >350MPa.

Муқовимат ба радиатсия (метавонад ба миқдори 10⁶Gy тоб оварад), сабук (зичии тақрибан 1/3 қисми металлӣ).

Санҷиши давраи гармӣ (-40℃~125℃, 1000 маротиба), санҷиши гармии намӣ (85℃/85% RH, 1000 соат).

Шикастани қабати металлизатсия (давраи вайроншавии субстрати Al₂O₃ DBC тақрибан 500-800 маротиба).

Ғафсии 1 мм метавонад ба ≥5 кВ тоб оварад, шиддати ибтидоии қисман холӣшавӣ > 2 кВ.

Санҷиши пӯст кардани лента (лентаи 3M 610), ҷудошавии қабати металлӣ вуҷуд надорад.

Дар шароити муқаррарии корӣ, он метавонад ба зиёда аз 10 сол расад ва дар муҳитҳои ҳарорати баланд ва намӣ баланд, он то 5 сол кӯтоҳ карда мешавад.

Ошкоркунии рентгенӣ, микроскопи ултрасадоии сканеркунӣ (C-SAM), бо қарори то 10 мкм.

Лаблабуси синусоидалӣ 5-2000 Гц, шитоб 5 г, 2 соат бе тарқиш давом мекунад.

Санҷиши пошидани намак дар 96 соат (маҳлули 5% NaCl), зангзании қабати металлизатсия вуҷуд надорад.

Модели бадани инсон (HBM) >2 кВ, модели мошин (MM) >200 В.

-40℃~150℃, вақти табдил

Арзиши субстратҳои сафолӣ аз FR4 5-10 маротиба гаронтар аст, ки асосан аз сабаби маводҳо ва равандҳои мураккаб аст.

Истеҳсоли оммавӣ, беҳсозии равандҳо (масалан, истифодаи плёнкаи ғафс ба ҷои плёнкаи тунук), интихоби маводҳои арзон (масалан, оксиди алюминийи 60%).

Изолятсияи беҳтар (субстратҳои металлӣ ба қабатҳои изолятсия ниёз доранд) ва коэффитсиенти васеъшавии гармӣ бо чипҳо бештар мувофиқат мекунад.

Оксиди алюминий (60%)

Навъи мавод, мураккабии раванд, шумораи қабатҳо, андоза, миқдори фармоиш.

Инро метавон тавассути раванди сахти чандир ба даст овард, ки арзиши он аз 20% то 30% афзоиш меёбад.

Тақрибан 15%-20%-и арзиши умумиро ташкил медиҳад ва афзоиши ҳосил метавонад онро ба таври назаррас коҳиш диҳад.

Вақте ки миқдори фармоиш аз 5000 дона зиёд мешавад, арзиши воҳид ба таври назаррас коҳиш меёбад.

Давраи тӯлонии рушд (3-6 моҳ), арзиши баланди қолаб (тақрибан 50,000-100,000 юан).

Иқтидори парокандагии гармии субстратҳои AlN 3 маротиба аз PCB-ҳои алюминий аст, аммо арзиши онҳо 4 маротиба гаронтар аст.

Бо винтҳо мустаҳкам карда шудааст ё бо часпаки гармигузарон пайваст карда шудааст (муқовимати гармӣ

Ҳарорати авҷи кафшери дубора ҷараёнёбанда: 240-260℃, давомнокӣ

Қобили коркарди такрорӣ аст, аммо ҳарорати баланд метавонад боиси шикастани сафол бо сатҳи муваффақияти тақрибан 70% гардад.

Бо тозакунии ултрасадои IPA (спирти изопропилӣ) ба муддати

Намӣ дар муҳити корӣ дар сатҳи 40%-60% нигоҳ дошта шавад ва дастбандҳои зиддистатикӣ пӯшед.

Маводҳоеро бо коэффитсиентҳои шабеҳи васеъшавии гармӣ интихоб кунед ва холигоҳҳоро бо равғани силиконии гармгузарон пур кунед.

Тавсия дода намешавад, зеро фишори гармӣ метавонад боиси шикастани сафол гардад.

Моменти гардонанда барои винтҳои M3: 0.8-1.2N・m барои пешгирӣ аз консентратсияи фишор.

Нуқтаҳои гармро тавассути аксбардории гармии инфрасурх муайян кунед ва пайвастшавиро тавассути санҷиши муқовимат санҷед.

Нигоҳдорӣ: намӣ

IPC-6012 (Хусусиятҳои иҷроиш барои тахтаҳои чопии сахт), MIL-P-55110 (Стандарти ҳарбӣ).

Сертификатсияи UL (алангабардор), сертификатсияи RoHS (бе моддаҳои хатарнок), ISO 9001.

Санҷиши экологӣ бо талаботи қатъии муқовимат ба ларзиш ва зарба ба MIL-STD-810G ҷавобгӯ бошад.

Сертификатсияҳои AEC-Q100 (чипҳо) ва AEC-Q200 (ҷузъҳои ғайрифаъол)-ро талаб кунед.

Риояи қоидаҳои REACH-и ИА, ки истифодаи моддаҳои хатарнок ба монанди сурб ва кадмийро маҳдуд мекунанд.

Рейтинги UL 94 V-0 (паҳншавии аланга вуҷуд надорад), индекси оксиген >30%.

Риояи стандарти ISO 13485 Системаи идоракунии сифати дастгоҳҳои тиббиро риоя кунед.

Сертификатсияи системаи идоракунии сифати аэрокосмикии AS9100 талаб карда мешавад.

Риояи стандартҳои радиатсияи электромагнитии EN 55032, партовҳои гузаронидашуда

Мақомоти сертификатсияи тарафи сеюм: SGS, TÜV, Intertek.

Раванди пайвасткуниро (масалан, оксидшавии фолгаи мисии DBC) тафтиш кунед ва сатҳро аз нав коркард кунед.

Тарқишҳои ночизро бо қатрони эпоксидӣ пур кунед; барои тарқишҳои ҷиддӣ таҳкурсӣ иваз кунед.

Профили ҳарорати кафшерро танзим кунед ва фаъолияти ҷараёни обро (дараҷаи RA) назорат кунед.

Ноқилҳоро оптимизатсия кунед, аз маводҳои дорои доимии диэлектрикии паст истифода баред ва қабатҳои заминӣ илова кунед.

Роҳҳои гузариши гармиро тафтиш кунед ва муқовимати гармиро санҷед (ҳадаф

Раванди нобаробари синтезкунӣ ё рафъи нокифояи стресси гармӣ; раванди истеҳсолотро беҳбуд мебахшад.

Барои тоза кардани боқимондаҳои органикӣ бо плазма тоза кунед.

Санҷиши муқовимати изолятсия (1000V DC) барои муайян кардани нуқтаҳои шоридан.

Пӯшишҳои муҳофизатиро (масалан, пӯшиши никел-тиллоӣ) мустаҳкам кунед ва аз газҳои зангзананда худдорӣ намоед.

Ғафсии субстратро (≥0.5 мм) зиёд кунед ва тарҳи кунҷро беҳтар созед.

Тунуккунӣ (

Нитриди кремний (Si₃N₄), бо гармигузаронии баланд (100W/m・K) ва мустаҳкамӣ.

Чопи сеченакаи сафолӣ сохторҳои мураккаби паҳнкунии гармиро бо дақиқии 50 мкм амалӣ кардааст.

Тақсимоти гармиро тавассути алгоритмҳои симулятсия оптимизатсия кунед, ки давраи тарроҳиро 30% кӯтоҳ мекунад.

Дар модулҳои барқии SiC бо суръати афзоиши солонаи бозор беш аз 20% истифода мешавад.

Талафоти ками диэлектрикӣ ниёзҳои алоқаи басомади баландро қонеъ мекунад ва интизор меравад, ки талабот то соли 2025 50% афзоиш ёбад.

Хамираҳои плёнкаи ғафси обӣ ҳалкунандаҳои органикиро иваз мекунанд, то партовҳои VOC-ро кам кунанд.

Мушкилот дар мувофиқат кардани коэффитсиентҳои васеъшавии гармӣ, ки маводҳои қабати буфериро талаб мекунад.

Литографияи EUV ба схемаҳои сатҳи 10 нм ноил мегардад, ки айни замон дар марҳилаи озмоишгоҳӣ қарор доранд.

Устувории баланд дар ҳарорати паст метавонад онҳоро ба интиқолдиҳандагони чипҳои квантӣ табдил диҳад.

Муқовимати максималии ҳарорат: 800℃, ки маводҳои металлизатсияи ҳарорати баландро талаб мекунад (масалан, усули молибден-марганец).

Ба фишори 100MPa тоб оваред ва тавассути гулдонбандӣ ба ҳифзи IP68 ноил шавед.

Барои муҳофизат аз радиатсияи нейтронӣ аз сафолии ба радиатсия тобовар (масалан, карбиди кремний) истифода баред.

Импеданси хосро идора кунед (50Ω) ва талафоти диэлектрикиро кам кунед (tanδ

Сохторҳои паҳнкунии гармии микроканалӣ бо зичии ҷараёни гармӣ то 100 Вт/см²-ро қабул кунед.

Пассивизатсияи сатҳӣ талаб карда мешавад, ки ба озмоиши биологии ISO 10993 мувофиқат мекунад.

Муқовимати баланд ба ҳарорат ва изолятсия, ки самаранокии системаро 1%-2% беҳтар мекунад.

Ба талаботи изолятсияи DC (HVDC) ҷавобгӯ бошед, ба шиддати ≥10 кВ тоб оваред.

Аз кронштейнҳои зарбагиранда истифода баред ва аз басомадҳои ангезиши беруна барои басомади табиӣ худдорӣ кунед.

Барои ноил шудан ба миниатюризатсия ва тарҳрезии камқувват бо чипҳои MEMS ҳамгироӣ кунед