ಹೈ ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಪಿಸಿಬಿ

ಕಡಿಮೆ-ನಷ್ಟದ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ ರೋಜರ್ಸ್ 4350B), ರೇಖೆಯ ಅಗಲ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ ±0.01mm, ಸಿಗ್ನಲ್ ಲೇಯರ್ ಅಂತರ ನಿಯಂತ್ರಣ ನಿಖರತೆ ±5%, ಮತ್ತು ಪ್ರತಿರೋಧ ನಿಯಂತ್ರಣ ನಿಖರತೆ ±5Ω.

5G ಬೇಸ್ ಸ್ಟೇಷನ್‌ಗಳು (24.25-52.6GHz), ಉಪಗ್ರಹ ಸಂವಹನಗಳು (Ka ಬ್ಯಾಂಡ್ 26.5-40GHz), ಮಿಲಿಮೀಟರ್-ವೇವ್ ರಾಡಾರ್ (77GHz), ಹೈ-ಸ್ಪೀಡ್ ಡೇಟಾ ಸೆಂಟರ್‌ಗಳು (100Gbps+).

ಅಳವಡಿಕೆ ನಷ್ಟ (＜-3dB@10GHz), ರಿಟರ್ನ್ ನಷ್ಟ (＞-20dB@10GHz), ಮತ್ತು ಕ್ರಾಸ್‌ಟಾಕ್ (＜-30dB) ನಂತಹ ನಿಯತಾಂಕಗಳಿಂದ ಪರಿಮಾಣಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ.

ವಸ್ತುವಿನ ಆಣ್ವಿಕ ರಚನೆ, ತಾಪಮಾನ (ಪ್ರತಿ 10℃ ಏರಿಕೆಗೆ Df 3%-5% ರಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ), ಮತ್ತು ಆವರ್ತನ (ಆವರ್ತನದ ವರ್ಗದೊಂದಿಗೆ Df ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ) ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ.

ರೋಜರ್ಸ್ 4350B (Dk=3.48, Df=0.0037), ಟಕೋನಿಕ್ TLY-5 (Dk=2.2, Df=0.0009), ಐಸೋಲಾ 370HR (Dk=3.6, Df=0.004).

ಕಡಿಮೆ Dk ವಸ್ತುಗಳು ಪ್ರಸರಣ ವಿಳಂಬವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ (ಉದಾ, Dk=2.2 ವಸ್ತುಗಳು FR-4 ಗಿಂತ 25% ವೇಗದ ವಿಳಂಬವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ), ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ Df ಸಿಗ್ನಲ್ ಅಟೆನ್ಯೂಯೇಶನ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ (Df=0.001 ಆದಾಗ ನಷ್ಟವು FR-4 ಗಿಂತ 70% ಕಡಿಮೆ).

ನೀರಿನ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ >0.5% ರಷ್ಟು Dk ಏರಿಳಿತಗಳು 5% ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.

24-100GHz ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು Dk＜2.5 ಮತ್ತು Df＜0.001 (ಅರ್ಲಾನ್ AD255, Dk=2.5, Df=0.0008 ನಂತಹ) ಹೊಂದಿರುವ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಆದ್ಯತೆ ನೀಡಿ.

ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸೆರಾಮಿಕ್ಸ್ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸುವುದರಿಂದ ವಸ್ತು Tg ಅನ್ನು 280℃+ ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣಾ ಗುಣಾಂಕವನ್ನು (CTE) 2-3ppm/℃ ಗೆ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.

ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ, ರೇಖೆಯ ಅಗಲ/ಅಂತರ ≥50μm; ಮುಂದುವರಿದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು 30μm ತಲುಪಬಹುದು, ಇದಕ್ಕೆ ಪ್ರತಿರೋಧ ನಿಯಂತ್ರಣ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ.

ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ವಿದ್ಯುತ್ ಮತ್ತು ನೆಲದ ಪದರಗಳ ನಡುವೆ ≤0.1mm ಮತ್ತು ಸಿಗ್ನಲ್ ಮತ್ತು ಉಲ್ಲೇಖ ಪದರಗಳ ನಡುವೆ ≤0.05mm ಅಂತರದೊಂದಿಗೆ ಸಮ್ಮಿತೀಯ ಪೇರಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಬಳಸಿ.

ಸಾಮಾನ್ಯ ವಯಾಸ್ 10GHz ನಲ್ಲಿ -3dB ನಷ್ಟವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. ಬ್ಯಾಕ್-ಡ್ರಿಲ್ಲಿಂಗ್ (ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸ್ಟಬ್ ಉದ್ದವನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವುದು) ಬಳಸುವುದರಿಂದ ನಷ್ಟವನ್ನು 60% ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು.

ಬಲ-ಕೋನ ರೂಟಿಂಗ್ ಅನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಿ (ಪ್ರತಿಬಿಂಬವು 15% ರಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ), 45° ಮೂಲೆಗಳಿಗೆ ಆದ್ಯತೆ ನೀಡಿ; ಸಿಗ್ನಲ್ ಲೂಪ್ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಿ (ಸಿಗ್ನಲ್ ತರಂಗಾಂತರ)²/100.

ಯಾಂತ್ರಿಕ ಕೊರೆಯುವಿಕೆಯಿಂದ ಡಿಲಾಮಿನೇಷನ್ ತಪ್ಪಿಸಲು CO₂ ಲೇಸರ್ ಡ್ರಿಲ್ಲಿಂಗ್ (ಅಪರ್ಚರ್ ನಿಖರತೆ ±5μm) ಬಳಸಿ, ರಂಧ್ರ ಗೋಡೆಯ ಒರಟುತನ Ra≤1.2μm ಆಗಿರುತ್ತದೆ.

ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೆಸ್ ತಾಮ್ರದ ಲೋಹಲೇಪ + ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ತಾಮ್ರವನ್ನು ಬಳಸಿ, ತಾಮ್ರದ ಪದರದ ಒರಟುತನವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಿ, ಮೇಲ್ಮೈ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿ (ಒರಟಿನ ಪ್ರತಿ 1μm ಹೆಚ್ಚಳಕ್ಕೆ ನಷ್ಟವು 10% ರಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ).

1-3μm ದಪ್ಪ ಮತ್ತು ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರತಿರೋಧ

ಲ್ಯಾಮಿನೇಷನ್ ತಾಪಮಾನವನ್ನು Tg+30℃ (ಉದಾ. ರೋಜರ್ಸ್ 4350B ಲ್ಯಾಮಿನೇಷನ್ ತಾಪಮಾನ 210-230℃) ನಲ್ಲಿ ನಿಯಂತ್ರಿಸಬೇಕು, ಡಿಲಾಮಿನೇಷನ್ ತಪ್ಪಿಸಲು 5-8MPa ಒತ್ತಡದಲ್ಲಿ.

ಪ್ರತಿರೋಧದ ನಿರಂತರತೆಯನ್ನು ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲು TDR (ಸಮಯ-ಡೊಮೇನ್ ಪ್ರತಿಫಲನ ಮಾಪಕ), ಸ್ಥಾನ ವಿಚಲನದ ಮೂಲಕ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲು ಎಕ್ಸ್-ರೇ (ಅನುಮತಿಸಬಹುದಾದ ± 0.05 ಮಿಮೀ) ಮತ್ತು ರೇಖೆಯ ಅಗಲ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲು AOI ಬಳಸಿ.

ಕಡಿಮೆ ಡಿಎಫ್ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ, ತಾಮ್ರದ ಹಾಳೆಯ ಒರಟುತನವನ್ನು ಅತ್ಯುತ್ತಮಗೊಳಿಸಿ (ಆರ್‌ಟಿಎಫ್ ತಾಮ್ರದ ಹಾಳೆಯು ಆರ್‌ಎ ತಾಮ್ರದ ಹಾಳೆಗಿಂತ 30% ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ), ಮತ್ತು ಜಾಡಿನ ಉದ್ದವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿ.

ಪ್ರತಿರೋಧ ಸ್ಥಗಿತಗಳನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಿ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ ವಯಾಸ್, ಕನೆಕ್ಟರ್ಸ್), ಪ್ರತಿರೋಧ ವಿಚಲನವನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಿ

ಅತಿಯಾದ ಸಮಾನಾಂತರ ಟ್ರೇಸ್ ಉದ್ದವು ಕ್ರಾಸ್‌ಸ್ಟಾಕ್‌ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ರೇಖೆಯ ಅಂತರವನ್ನು 3W ತತ್ವಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚಿಸುವುದು (W ಎಂದರೆ ರೇಖೆಯ ಅಗಲ) ಮತ್ತು ನೆಲದ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯನ್ನು ಸೇರಿಸುವುದರಿಂದ ಕ್ರಾಸ್‌ಸ್ಟಾಕ್ ಅನ್ನು 20dB ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು.

ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ ಪ್ರತಿರೋಧಕಗಳೊಂದಿಗೆ ಕೊನೆಗೊಳಿಸಿ (ಪ್ರತಿರೋಧ = ಪ್ರಸರಣ ರೇಖೆಯ ಪ್ರತಿರೋಧ) ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಫಲನ ಗುಣಾಂಕವನ್ನು 0.1 ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಕ್ರಮೇಣ ರೇಖೆಯ ಅಗಲ ಪರಿವರ್ತನೆಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ.

ಸಂಪೂರ್ಣ ನೆಲದ ಸಮತಲವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಗುರಾಣಿ (ಅಂತರ

ತಾಮ್ರದ ಹಾಳೆಯ ಮೂಲಕ ವಾಹಕತೆ (ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ 398W/mK) 70%, ವಸ್ತು ವಾಹಕತೆ 20%, ಮತ್ತು ಸಂವಹನ/ವಿಕಿರಣ 10% ರಷ್ಟಿದೆ.

ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಮೂಲಕ ಶಾಖವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಿ (≥200/cm²), ದಪ್ಪ ತಾಮ್ರದ ಹಾಳೆಯನ್ನು ಬಳಸಿ (≥3oz), ಮತ್ತು ಶಾಖ ಸಿಂಕ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಿ ಉಷ್ಣ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು 40% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿ.

ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ತಲಾಧಾರ (170W/mK) > ತಾಮ್ರ ತಲಾಧಾರ (398W/mK) > ಸಾಮಾನ್ಯ FR-4 (0.35W/mK).

ಪ್ರತಿ 10℃ ಏರಿಕೆಗೆ, Dk 0.5%-1% ರಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು Df 3%-5% ರಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಶಿಫಾರಸು ಮಾಡಲಾದ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ

ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಶಾಖ ವಹನ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು 30% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು 0.3-0.5 ಮಿಮೀ ವ್ಯಾಸದ ಮೂಲಕ, ≤1 ಮಿಮೀ ಅಂತರವನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು.

S-ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಪರೀಕ್ಷೆ (S11, S21, ಇತ್ಯಾದಿ), ಪ್ರತಿರೋಧ ಪರೀಕ್ಷೆ, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ನಷ್ಟ ಪರೀಕ್ಷೆ, ತಾಪಮಾನ ಸೈಕ್ಲಿಂಗ್ ಪರೀಕ್ಷೆ (-40℃~125℃, 500 ಚಕ್ರಗಳು).

S11 (ರಿಟರ್ನ್ ನಷ್ಟ), S21 (ಇನ್ಸರ್ಷನ್ ನಷ್ಟ). ಪರೀಕ್ಷಾ ಆವರ್ತನ ಶ್ರೇಣಿಯು ±0.5dB ನಿಖರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅನ್ನು ಒಳಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

ವಸ್ತುವಿನ ಹವಾಮಾನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಲು ತೇವ ಶಾಖ ಪರೀಕ್ಷೆ (85℃/85% RH, 1000h) ಮತ್ತು ಉಪ್ಪು ಸ್ಪ್ರೇ ಪರೀಕ್ಷೆ (5% NaCl, 24h) ನಡೆಸಬೇಕು.

0.1mm ವರೆಗಿನ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್‌ನೊಂದಿಗೆ, ಪ್ರತಿರೋಧದ ಸ್ಥಗಿತಗಳನ್ನು ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲು ಹಂತದ ಸಂಕೇತವನ್ನು ಹೊರಸೂಸುವ ಮೂಲಕ ಪ್ರತಿಫಲನ ತರಂಗರೂಪವನ್ನು ಅಳೆಯುತ್ತದೆ.

ವಿಕಿರಣ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಗಳನ್ನು (≤-40dBμV/m@1GHz) ಮತ್ತು ಶೀಲ್ಡ್ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿತ್ವ ಪರೀಕ್ಷೆಯನ್ನು (>60dB) ಪರೀಕ್ಷಿಸಲು ಆಂಕೋಯಿಕ್ ಕೋಣೆಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ.

ವಸ್ತುವಿನ ಡಿಲೀಮಿನೇಷನ್ ಅನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು 230-250℃ ಗರಿಷ್ಠ ತಾಪಮಾನದೊಂದಿಗೆ ಸಾರಜನಕ ಮರುಪ್ರವಾಹ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವಿಕೆಯನ್ನು (ಆಮ್ಲಜನಕ ಅಂಶ

ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಮತ್ತು ಅಳವಡಿಕೆ ನಷ್ಟವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಆವರ್ತನಗಳೊಂದಿಗೆ

ಕನೆಕ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಪಿಸಿಬಿಗಳ ನಡುವೆ ಪ್ರತಿರೋಧ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಿ ಮತ್ತು ನಷ್ಟವನ್ನು 15% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕಿದ ನಂತರ ಟರ್ಮಿನಲ್‌ಗಳನ್ನು ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸಿ.

24-52GHz ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸುವ ಮತ್ತು ಶಾಖದ ಹರಡುವಿಕೆ (ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಂದ್ರತೆ >10W/cm²) ಮತ್ತು ಚಿಕಣಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಪರಿಹರಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ.

-40℃~125 ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನದೊಂದಿಗೆ AEC-Q200 ಪ್ರಮಾಣೀಕರಣವನ್ನು ಪಾಸ್ ಮಾಡಿ.

IPC-4101 (ಮೂಲ ವಸ್ತು ವಿವರಣೆ), IPC-6012 (ರಿಜಿಡ್ ಬೋರ್ಡ್ ಸ್ವೀಕಾರ ಮಾನದಂಡ), IEEE 802.3 (ಅತಿ ವೇಗದ ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾನದಂಡ).

MIL-PRF-55110 (ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು), ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ -55℃~125℃, ಉಪ್ಪು ಸ್ಪ್ರೇ ಮತ್ತು ಅಚ್ಚು ಪರೀಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ತೀರ್ಣವಾಗಿದೆ.

AEC-Q200 (ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಘಟಕ ಪ್ರಮಾಣೀಕರಣ) ಮತ್ತು ISO 26262 (ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಸುರಕ್ಷತೆ) ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ.

3GPP TR 38.810 (ಬೇಸ್ ಸ್ಟೇಷನ್ ಉಪಕರಣ), ಅಳವಡಿಕೆ ನಷ್ಟ -2dB@28GHz, ರಿಟರ್ನ್ ನಷ್ಟ > -15dB ಅನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ.

NASA-STD-8739.3 (ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳು) ಅನ್ನು ಅನುಸರಿಸುತ್ತದೆ, 1000-ಗಂಟೆಗಳ ತೇವ ಶಾಖ ಪರೀಕ್ಷೆಯಲ್ಲಿ ಉತ್ತೀರ್ಣವಾಗಿದೆ, Dk ಬದಲಾವಣೆ

ಅತಿ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ವಸ್ತುಗಳು (Df

CTE 1ppm/℃ ಗೆ ಇಳಿದಿದೆ, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆಯು 100W/mK ಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಕಡಿಮೆ Dk (2.8) ಅನ್ನು ಕಾಯ್ದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುವ ವಸ್ತುಗಳು ಸ್ವಲ್ಪ ಹೆಚ್ಚಿನ Dk (3.0-3.5) ಮತ್ತು 20%-30% ಹೆಚ್ಚಿನ Df ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಆದರೆ 3D ರೂಟಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತವೆ.

Dk=3.2 ಮತ್ತು Df=0.004 ಹೊಂದಿರುವ ಪರಿಸರ ಸ್ನೇಹಿ ವಸ್ತುಗಳು (ಲಿನಿನ್ ಫೈಬರ್ ಆಧಾರಿತ), ಗ್ರಾಹಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿವೆ.

Dk=9.8 ಮತ್ತು 24W/mK ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಹೊಂದಿರುವ Al₂O₃ ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರ, ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನ ಏಕೀಕರಣಕ್ಕೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ಆಲ್ಟಿಯಮ್ ಡಿಸೈನರ್, ಕ್ಯಾಡೆನ್ಸ್ ಅಲ್ಲೆಗ್ರೊ, ANSYS HFSS (ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್), ಕೀಸೈಟ್ ADS (ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್).

3D ಮಾದರಿಯನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ, ವಸ್ತು ನಿಯತಾಂಕಗಳು ಮತ್ತು ಗಡಿ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿಸಿ, S- ನಿಯತಾಂಕಗಳು ಮತ್ತು ಕ್ಷೇತ್ರ ವಿತರಣೆಯನ್ನು

ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್-ಮಟ್ಟದ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ ನೆಟ್‌ವರ್ಕ್‌ಗಳನ್ನು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾಗಿಸುತ್ತದೆ, ಅಳವಡಿಕೆ ನಷ್ಟ ಮತ್ತು ರಿಟರ್ನ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ಊಹಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬಹು-ಪೋರ್ಟ್ S-ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತದೆ.

±3Ω ಒಳಗೆ ದೋಷ, ನಿಜವಾದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ನಿಯತಾಂಕಗಳೊಂದಿಗೆ ಮಾಪನಾಂಕ ನಿರ್ಣಯದ ಅಗತ್ಯವಿದೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ ತಾಮ್ರದ ಹಾಳೆಯ ಒರಟುತನ, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ದಪ್ಪ).

ಕ್ಷೇತ್ರ ವಿತರಣೆಯ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಟ್ರೇಸ್ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಹೊಂದಿಸಿ, ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ ಮೂಲಕ ಪ್ರತಿರೋಧ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯನ್ನು ಅತ್ಯುತ್ತಮಗೊಳಿಸಿ ಮತ್ತು ನಷ್ಟಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಪುನರಾವರ್ತಿತವಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಿ.

ಲೇಸರ್ ಕೊರೆಯುವ ಯಂತ್ರ (ನಿಖರತೆ ± 5μm), ನಿರ್ವಾತ ಲ್ಯಾಮಿನೇಟರ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆಯ ಎಚ್ಚಣೆ ಯಂತ್ರ (ರೇಖೆಯ ಅಗಲ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ ± 0.01mm).

ದೊಡ್ಡ ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ (≥0.3mm) ದಪ್ಪ ಬೋರ್ಡ್‌ಗಳಿಗೆ (>1mm) ಸೂಕ್ತವಾದ CO₂ ಲೇಸರ್; ಸಣ್ಣ ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ (0.1-0.2mm) ತೆಳುವಾದ ಬೋರ್ಡ್‌ಗಳಿಗೆ (

ನಿರ್ವಾತ ಪದವಿ

ಎಚ್ಚಣೆ ಅಂಶ ≥3:1, ಫೈನ್-ಪಿಚ್ ರೂಟಿಂಗ್ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು ಸೈಡ್ ಎಚ್ಚಣೆ ಪ್ರಮಾಣ

ರೇಖೆಯ ಅಗಲ/ಅಂತರ ವಿಚಲನ (±0.005mm), ಶಾರ್ಟ್ಸ್/ಓಪನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು, ಕನಿಷ್ಠ ದೋಷದ ಗಾತ್ರ 0.01mm ಅನ್ನು ಪತ್ತೆ ಮಾಡಬಹುದು.

RoHS 2.0 (ಸೀಸ ಮತ್ತು ಪಾದರಸದಂತಹ 6 ಅಪಾಯಕಾರಿ ಪದಾರ್ಥಗಳನ್ನು ನಿರ್ಬಂಧಿಸುತ್ತದೆ), ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್ ಅಂಶ

ತ್ಯಾಜ್ಯ ನೀರಿನ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯ ನಂತರ ಸೀಸ-ಮುಕ್ತ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವ, ಭಾರ ಲೋಹ ಅಂಶ 0.1mg/L ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಇರುವ ಮತ್ತು ತುಣುಕುಗಳನ್ನು ಮರುಬಳಕೆ ಮಾಡುವ (ಚೇತರಿಕೆ ದರ > 95%) ಬಳಸಿ.

ಭೌತಿಕ ಪುಡಿಮಾಡುವಿಕೆ + ರಾಸಾಯನಿಕ ಕರಗುವಿಕೆ (ಚೇತರಿಕೆ ದರ > 98%) ಮೂಲಕ ತಾಮ್ರವನ್ನು ಹೊರತೆಗೆಯಿರಿ ಮತ್ತು ರಾಳ ತ್ಯಾಜ್ಯವನ್ನು ಹಾನಿಯಾಗದಂತೆ ಸಂಸ್ಕರಿಸಿ.

ಪಾಲಿಲ್ಯಾಕ್ಟಿಕ್ ಆಮ್ಲ ಆಧಾರಿತ ವಸ್ತುಗಳು Dk=3.3 ಮತ್ತು Df=0.005, ಬಳಕೆಯ ನಂತರ 180 ದಿನಗಳಲ್ಲಿ ಅವನತಿ ದರ 80% ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು.

ಪರಿಸರ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ವೆಚ್ಚವನ್ನು 10%-15% ರಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಅನುಸರಣೆಯು ದಂಡದ ಅಪಾಯಗಳನ್ನು ತಪ್ಪಿಸುತ್ತದೆ.

AI ಅಲ್ಗಾರಿದಮ್‌ಗಳು ರೂಟಿಂಗ್ ಟೋಪೋಲಜಿಯನ್ನು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾಗಿಸುತ್ತದೆ, ಹಸ್ತಚಾಲಿತ ವಿನ್ಯಾಸ ಸಮಯವನ್ನು 50% ಮತ್ತು ಸಿಗ್ನಲ್ ನಷ್ಟವನ್ನು 15% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

ಇಂಟರ್ಲೇಯರ್ ಜೋಡಣೆ ನಿಖರತೆ ±0.05mm ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಕೀರ್ಣ 3D ರಚನೆಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ವಸ್ತು ನಷ್ಟವು ಪ್ರಸ್ತುತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ (Df=0.01).

ಅತಿ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ವಸ್ತುಗಳು (Df

Dk

ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಸಿಸ್ಟಮ್ ನಷ್ಟವನ್ನು 30% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು 2.5D/3D ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆರ್ದ್ರತೆಯ ಪರಿಸರಗಳನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಿ (ತಾಪಮಾನ

ಸ್ಟಬ್‌ಗಳ ಮೂಲಕ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ತೆಗೆದುಹಾಕಲು ಬ್ಯಾಕ್-ಡ್ರಿಲ್ಲಿಂಗ್ ಬಳಸಿ, ಸ್ಟಬ್ ಉದ್ದ ≤1/8λ ಇರುತ್ತದೆ; ಪರಾವಲಂಬಿ ಧಾರಣವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಥ್ರೂ-ಹೋಲ್ ರಿಫ್ಲೋ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವಿಕೆಯನ್ನು ಬಳಸಿ.

ರೋಜರ್ಸ್ 4350B ಮತ್ತು ಐಸೋಲಾ 370HR ನಂತಹ ಕಡಿಮೆ Dk (

S11 ≤ -15dB ಮತ್ತು ವಿಶಿಷ್ಟ ಪ್ರತಿರೋಧ ದೋಷ ±5Ω ಅಗತ್ಯವಿರುವ ನೆಟ್‌ವರ್ಕ್ ವಿಶ್ಲೇಷಕದೊಂದಿಗೆ S-ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಪರೀಕ್ಷಿಸಿ; ಪ್ರತಿಫಲನ ಗುಣಾಂಕ

ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಪದರದ ದಪ್ಪ 0.05-0.2mm, ತಾಮ್ರದ ಹಾಳೆಯ ಒರಟುತನ Ra≤0.5μm; ಪಕ್ಕದ ಪದರವು ಲಂಬಕೋನೀಯವಾಗಿ ಗುರುತಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ವಿದ್ಯುತ್/ನೆಲದ ಪದರದ ಅಂತರ

ರೇಖೆಯ ಅಂತರ ≥3×ರೇಖೆಯ ಅಗಲ, ಉದ್ದ ದೋಷ

ENIG ನಯವಾದ ಮೇಲ್ಮೈ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ; OSP ಯ ತೆಳುವಾದ ದಪ್ಪವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ, ನಿಕಲ್ ಪದರಗಳಿಂದ ಕಾಂತೀಯ ನಷ್ಟವನ್ನು ತಪ್ಪಿಸುತ್ತದೆ.

SI/PI ಅನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಲು ಪೂರ್ಣ-ತರಂಗ ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್‌ಗಾಗಿ HFSS/CST ಬಳಸಿ; ≥10 ಆವರ್ತನ ಬಿಂದುಗಳಲ್ಲಿ S-ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಸ್ವೀಪ್ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ಮಾಡಿ.

CTE ≤15ppm/℃ ಇರುವ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಆರಿಸಿ, ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಮೂಲಕ ಶಾಖವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಿ (≥20/cm²), ಮತ್ತು ಲೋಹ ಆಧಾರಿತ ತಾಮ್ರ-ಹೊದಿಕೆಯ ಬೋರ್ಡ್‌ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ.

PTFE-ಆಧಾರಿತ ಕಡಿಮೆ Df ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ; λ/4 ಅನುರಣನ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿಯ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಪದರದ ದಪ್ಪವನ್ನು ಅತ್ಯುತ್ತಮಗೊಳಿಸಿ.

ರೇಖೆಯ ಅಗಲ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ ±0.02mm ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ±3Ω ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ; ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ದಪ್ಪ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ ±0.01mm Dk ವಿಚಲನವನ್ನು ±0.1 ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದಕ್ಕೆ ಕಟ್ಟುನಿಟ್ಟಿನ ನಿಯಂತ್ರಣದ ಅಗತ್ಯವಿದೆ.

ವಿದ್ಯುತ್ ಒಳಹರಿವಿನಲ್ಲಿ MLCC ಸಂಯೋಜನೆಗಳನ್ನು (10nF/100nF/1μF) ಇರಿಸಿ; ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡೊಮೇನ್‌ಗಳ ನಡುವೆ ≥50 ಮಿಲಿಯನ್ ಅಂತರದೊಂದಿಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಪದರವನ್ನು ವಿಭಜಿಸಿ.

ಫಿಕ್ಸ್ಚರ್ ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರತಿರೋಧ