הויך-פרעקווענץ פּקב

ניצט נידעריק-פארלוסט מאַטעריאַלן (אַזאַ ווי ראָדזשערס 4350B), מיט ליניע ברייט טאָלעראַנץ ±0.01 מם, סיגנאַל שיכטע ספּייסינג קאָנטראָל אַקיעראַסי ±5%, און ימפּידאַנס קאָנטראָל אַקיעראַסי ±5Ω.

5G באַזע סטאַנציעס (24.25-52.6GHz), סאַטעליט קאָמוניקאַציע (Ka באַנד 26.5-40GHz), מילימעטער-כוואַליע ראַדאַר (77GHz), הויך-גיכקייַט דאַטן צענטערס (100Gbps+).

קוואַנטיטאַטיוו עוואַלויִרט דורך פּאַראַמעטערס אַזאַ ווי ינסערשאַן אָנווער (-20dB@10GHz), און קראָסטאָלק (

פֿאַרבונדן מיט מאַטעריאַל מאָלעקולאַרער סטרוקטור, טעמפּעראַטור (Df וואַקסט מיט 3%-5% פֿאַר יעדע 10℃ העכערונג), און אָפֿטקייט (Df וואַקסט מיטן קוואַדראַט פֿון אָפֿטקייט).

ראָדזשערס 4350B (Dk=3.48, Df=0.0037), טאַקאָניק TLY-5 (Dk=2.2, Df=0.0009), איזאָלאַ 370HR (Dk=3.6, Df=0.004).

נידעריקע Dk מאַטעריאַלן רעדוצירן טראַנסמיסיע פאַרהאַלטונג (למשל, Dk=2.2 מאַטעריאַלן האָבן 25% שנעלערע פאַרהאַלטונג ווי FR-4), און נידעריקע Df רעדוצירט סיגנאַל פֿאַרשוואַכונג (דער אָנווער איז 70% נידעריקער ווי FR-4 ווען Df=0.001).

וואַסער אַבזאָרפּציע >0.5% פאַראורזאַכט Dk פלוקטואַציעס העכער 5%. עס איז רעקאָמענדירט צו נוצן מאַטעריאַלן מיט וואַסער אַבזאָרפּציע

פּריאָריטיזירן מאַטעריאַלן מיט Dk

צולייגן אַלומינום אָקסייד קעראַמיק קען פאַרגרעסערן דעם מאַטעריאַל Tg צו 280 ℃+ און רעדוצירן דעם קאָעפיציענט פון טערמישער יקספּאַנשאַן (CTE) צו 2-3 ppm/℃, און פֿאַרבעסערן הויך-טעמפּעראַטור פעסטקייט.

אין קאַנווענשאַנעל פּראָצעסן, ליניע ברייט/ספּייסינג ≥50μm; אַוואַנסירטע פּראָצעסן קענען דערגרייכן 30μm, וואָס ריקווייערז ימפּידאַנס קאָנטראָל מאַטשינג.

ניצט סימעטרישער סטעקינג, מיט א ספעיסמענט ≤0.1 מ״מ צווישן מאַכט און גראַונד לייַערס און ≤0.05 מ״מ צווישן סיגנאַל און רעפערענץ לייַערס צו רעדוצירן עלעקטראָמאַגנעטישע ינטערפיראַנס.

געוויינטלעכע וויאַס פאַראורזאַכן -3dB אָנווער ביי 10GHz. ניצן צוריק-דרילינג (אַראָפּנעמען איבעריקע שטומפּ לענג) קען רעדוצירן אָנווער מיט איבער 60%.

פֿאַרמײַדן רעכט-ווינקל רוטינג (רעפֿלעקציע פֿאַרגרעסערט זיך מיט 15%), געבן פּריאָריטעט צו 45° ווינקלען; קאָנטראָל סיגנאַל שלייף שטח

ניצט CO₂ לאַזער דרילינג (אַפּערטשער אַקיעראַסי ±5μm) צו ויסמיידן דעלאַמיניישאַן פון מעכאַניש דרילינג, מיט לאָך וואַנט ראַפנאַס Ra≤1.2μm.

ניצט עלעקטראָלעס קופּער פּלייטינג + עלעקטראָפּלייטינג קופּער, קאָנטראָלירט קופּער שיכט ראַפנאַס Rz≤2μm צו רעדוצירן ייבערפלאַך אָנווער (פאַרלוסט ינקריסיז מיט 10% פֿאַר יעדער 1μm פאַרגרעסערן אין ראַפנאַס).

עלעקטראָלעס ניקעל אימערשאַן גאָלד (ENIG) מיט אַ גרעב פון 1-3μm און קאָנטאַקט קעגנשטעל

לאַמינאַציע טעמפּעראַטור זאָל זיין קאַנטראָולד ביי מאַטעריאַל Tg+30℃ (למשל, ראָדזשערס 4350B לאַמינאַציע טעמפּעראַטור 210-230℃), מיט אַ דרוק פון 5-8MPa צו ויסמיידן דעלאַמינאַציע.

ניצט TDR (צייט-דאָמעין רעפלעקטאָמעטער) צו דעטעקטירן ימפּידאַנס קאָנטיניואַטי, X-שטראַל צו דעטעקטירן דורך פּאָזיציע דיווייישאַן (ערלויבט ±0.05 מם), און AOI צו דעטעקטירן ליניע ברייט טאָלעראַנץ.

ניצט נידעריק-Df מאַטעריאַלן, אָפּטימיזירט קופּער שטער ראַפנאַס (RTF קופּער שטער האט 30% נידעריקער אָנווער ווי RA קופּער שטער), און פאַרקירצט די שפּור לענג.

קאָנטראָלירט אימפּעדאַנס דיסקאַנטיניואַטיז (אַזאַ ווי וויאַס, קאַנעקטאָרס), זיכערט אַז אימפּעדאַנס דיווייישאַן

איבערגעטריבענע פאראלעלע טרעיס לענג ברענגט קראָסטאָלק. פארגרעסערן ליניע ספּייסינג צום 3W פּרינציפּ (W איז ליניע ברייט) און צולייגן גראַונד איזאָלאַציע קען רעדוצירן קראָסטאָלק מיט 20dB.

ענדיקן מיט פּאַסיקע רעזיסטאָרן (קעגנשטעל = טראַנסמיסיע ליניע ימפּעדאַנס) און נוצן גראַדואַלע ליניע ברייט טראַנזישאַנז צו רעדוצירן די רעפלעקציע קאָעפיציענט אונטער 0.1.

א שילד מיט א פולשטענדיגע גראונד פלאך (שפאלט

קאַנדאַקשאַן דורך קופּער פאָליע (טערמישע קאַנדאַקטיוויטי 398W/mK) איז פאַראַנטוואָרטלעך פֿאַר 70%, מאַטעריאַל קאַנדאַקשאַן 20%, און קאָנוועקשאַן/ראַדיאַציע 10%.

פֿאַרגרעסערן היץ דורך געדיכטקייט (≥200/קמ²), ניצן דיקע קופּערנע פֿאָליע (≥3oz), און קאָמבינירן מיט היץ זינקען צו רעדוצירן טערמישע קעגנשטעל מיט 40%.

אַלומינום סאַבסטראַט (170W/mK) > קופּער סאַבסטראַט (398W/mK) > געוויינטלעכע FR-4 (0.35W/mK).

פֿאַר יעדע 10℃ העכערונג, וואַקסט Dk מיט 0.5%-1%, און Df וואַקסט מיט 3%-5%. די רעקאָמענדירטע אָפּערירן טעמפּעראַטור איז

דורך דיאַמעטער 0.3-0.5 מם, ספּייסינג ≤1 מם צו ענשור עפעקטיוו היץ קאַנדאַקשאַן פּאַטס און רעדוצירן טערמאַל קעגנשטעל מיט 30%.

S-פּאַראַמעטער טעסטינג (S11, S21, אאז"וו), ימפּידאַנס טעסטינג, דיעלעקטריש אָנווער טעסטינג, טעמפּעראַטור סייקלינג טעסטינג (-40℃~125℃, 500 סייקאַלז).

S11 (צוריקקער פארלוסט), S21 (אינסערשאַן פארלוסט). די טעסט פרעקווענץ קייט דעקט דעם אפערירן בענד מיט א גענויקייט פון ±0.5dB.

דורכפירן א טעסטן אויף א פייכטן היץ (85℃/85% RH, 1000 שעה) און א זאלץ שפריץ טעסטן (5% NaCl, 24 שעה) צו באשטעטיגן דעם וועטער קעגנשטעל פונעם מאטעריאל.

מעסט די רעפלעקציע כוואַליעפאָרם דורך אויסלאָזן אַ שריט סיגנאַל צו געפֿינען ימפּידאַנס דיסקאַנטינעואַטיז, מיט אַ רעזאָלוציע פון ​​ביז 0.1 מם.

ניצט אַנעקאָוישע קאַמערן צו פּרובירן שטראַלנדיקע ימישאַנז (≤-40dBμV/m@1GHz) און שילד עפעקטיווקייט טעסטינג (>60dB).

ניצט נייטראָגען ריפלאָו סאַדערינג (זויערשטאָף אינהאַלט

אויסקלייבן הויך-פרעקווענץ קאַנעקטאָרס ווי SMA, 2.92 מם, 1.85 מם, אאז"וו, מיט אָפּערייטינג פרעקווענצן וואָס דעקן די פארלאנגטע באַנד און ינסערשאַן אָנווער

זיכער מאַכן אַז די אימפּעדאַנס איז צוגעפּאַסט צווישן די קאַנעקטאָרס און פּקבס, און רייניקן די טערמינאַלן נאָך סאָלדערינג צו רעדוצירן די פארלוסט מיט 15%.

דארף טרעפן די 24-52GHz באַנד רעקווייערמענץ און סאָלווע היץ דיסיפּיישאַן (מאַכט געדיכטקייט >10W/cm²) און מיניאַטוריזאַציע פּראָבלעמען.

דורכגיין AEC-Q200 סערטיפיקאציע, מיט אן אפערירנדיקן טעמפעראטור פון -40℃~125

IPC-4101 (באַזע מאַטעריאַל ספּעציפֿיקאַציע), IPC-6012 (שטײַף ברעט אַקסעפּטאַנס סטאַנדאַרט), IEEE 802.3 (הויך-גיכקייַט סיגנאַל סטאַנדאַרט).

עקזיסטירט מיט MIL-PRF-55110 (מייקראָוועוו קרייזן), אַפּערייטינג טעמפּעראַטור -55℃~125℃, דורכגעגאנגען זאַלץ שפּריץ און פורעם טעסץ.

טרעפט די AEC-Q200 (פּאַסיווע קאָמפּאָנענט סערטיפיקאַציע) און ISO 26262 (פאַנגקשאַנאַל זיכערהייט) רעקווייערמענץ.

טרעפט 3GPP TR 38.810 (באַזע סטאַנציע עקוויפּמענט), ינסערשאַן אָנווער -15dB.

פאלגט NASA-STD-8739.3 (עלעקטראנישע מאַטעריאַלן), דורכגעגאנגען 1000-שעה פייַכט היץ טעסט, Dk ענדערונג

מאַטעריאַלן מיט גאָר נידעריקע פארלוסט (Df

CTE איז רעדוצירט געוואָרן צו 1ppm/℃, טערמישע קאַנדאַקטיוויטי איז געשטיגן צו 100W/mK, בשעת מען האַלט אָן אַ נידעריקן Dk (2.8).

פלעקסיבלע מאַטעריאַלן האָבן אַ ביסל העכערע Dk (3.0-3.5) און 20%-30% העכערע Df, אָבער ערמעגלעכן 3D רוטינג.

עקאָ-פרייַנדלעך מאַטעריאַלן (אַזאַ ווי ליין פיברע-באַזירט) מיט Dk=3.2 און Df=0.004, פּאַסיק פֿאַר קאָנסומער עלעקטראָניק.

Al₂O₃ קעראַמיש סאַבסטראַט מיט Dk=9.8 און טערמישע קאַנדאַקטיוויטי 24W/mK, פּאַסיק פֿאַר אינטעגראַציע פון ​​מאַכט דעוויסעס.

אַלטיום דיזיינער, קאַדענס אַלעגראָ, ANSYS HFSS (עלעקטראָמאַגנעטישע סימיאַליישאַן), קיזייט ADS (קרייז סימיאַליישאַן).

בויען אַ 3D מאָדעל, שטעלן מאַטעריאַל פּאַראַמעטערס און גרענעץ באדינגונגען, סימולירן S-פּאַראַמעטערס און פעלד פאַרשפּרייטונג מיט אַ טעות

פירט אויס קרייַז-לעוועל סימולאַציע, אָפּטימיזירט מאַטשינג נעטוואָרקס, פאָרויסזאָגט ינסערשאַן אָנווער און צוריקקער אָנווער, און שטיצט מולטי-פּאָרט S-פּאַראַמעטער אַנאַליז.

טעות אין ±3Ω, וואָס דאַרף קאַליבראַציע מיט פאַקטישע פּראָצעס פּאַראַמעטערס (אַזאַ ווי קופּער שטער ראַפנאַס, דיעלעקטרישע גרעב).

אַדזשאַסטירן טראַסע אויסלייג באַזירט אויף פעלד פאַרשפּרייטונג, אָפּטימיזירן ימפּידאַנס מאַטשינג דורך פּאַראַמעטער סקאַנינג, און איטעראַטיוולי פּלאַן צו רעדוצירן לאָססעס.

לאַזער בויער מאַשין (אַקיעראַסי ±5μm), וואַקוום לאַמינאַטאָר, הויך-פּינקטלעך עטשינג מאַשין (ליניע ברייט טאָלעראַנץ ±0.01mm).

CO₂ לאַזער פּאַסיק פֿאַר דיקע ברעטער (>1 מ״מ) מיט גרויסע עפענונגען (≥0.3 מ״מ); UV לאַזער פּאַסיק פֿאַר דינע ברעטער (

וואַקוום גראַד

עטשינג פאַקטאָר ≥3:1, ענשורינג זייַט עטשינג סומע

קען דעטעקטירן ליניע ברייט/אָפּנייגונג פון ליניע (±0.005 מ״מ), קורץ-שאָרטן/אָפענע קרייזן, מינימום דעפעקט גרייס 0.01 מ״מ.

ענטשפּרעכט RoHS 2.0 (באַגרענעצט 6 געפערלעכע סובסטאַנצן ווי בליי און קוועקזילבער), האַלאָגען אינהאַלט

ניצט בליי-פֿרײַע לאָטירונג, שווערע מעטאַל אינהאַלט 95%).

צוריקקריגן קופּער דורך פיזישע צעקוועטשונג + כעמישע אויפלעזונג (אויפקום ראטע > 98%), און שעדלעך באַהאַנדלען רעזין אָפּפאַל.

פּאָלילאַקטיק זויער-באַזירטע מאַטעריאַלן מיט Dk=3.3 און Df=0.005, דעגראַדאַציע קורס > 80% אין 180 טעג נאָך נוצן.

ענווייראָמענטאַלע פּראָצעסן פאַרגרעסערן קאָסטן מיט 10%-15%, אָבער קאַנפאָרמאַטי פֿאַרמייַדט שטראָף ריסקס.

קינסטלעכע אינטעליגענץ אַלגעריטמען אָפּטימיזירן רוטינג טאָפּאָלאָגיע, רעדוצירן מאַנועלע פּלאַן צייט מיט 50% און סיגנאַל אָנווער מיט 15%.

ערמעגליכט קאָמפּלעקסע 3D סטרוקטורן מיט צווישן-שיכטן אויסריכטונג אַקיעראַסי ±0.05 מם, אָבער מאַטעריאַל אָנווער איז דערווייַל הויך (Df=0.01).

פארלאנגט מאַטעריאַלן מיט גאָר נידעריקע פארלוסט (Df

פארלאנגט מאַטעריאַלן מיט Dk

ניצט 2.5D/3D פּאַקאַדזשינג טעכנאָלאָגיע צו פאַרקירצן סיגנאַל פּאַטס און רעדוצירן סיסטעם אָנווער מיט 30%.

פֿאַרמײַדן הויך-טעמפּעראַטור און הויך-פֿײַכטקייט סביבות (טעמפּעראַטור

ניצט צוריק-בויערן צו באַזייַטיקן איבעריקע דורך-שטאַבס, מיט אַ שטאַמב לענג ≤1/8λ; ניצט דורכ-לאָך ריפלאָו סאָלדערינג צו רעדוצירן פּאַראַזיטישע קאַפּאַסיטאַנס.

געבן פריאריטעט צו מאַטעריאַלן מיט נידעריקע Dk (

טעסט S-פאראמעטערס מיט א נעץ אנאליזירער, וואס פארלאנגט S11 ≤ -15dB און א כאראקטעריסטישע אימפעדאנץ עראר ±5Ω; ניצט TDR צו באאבאכטן רעפלעקציע קאעפיציענט

דיעלעקטרישע שיכט גרעב 0.05-0.2 מם, קופּער שטער ראַפנאַס Ra≤0.5μm; שכנים שיכט שפּורן אָרטאָגאָנאַל, מאַכט/ערד שיכט ספּייסינג

ניצט מעטאַלענע שילדינג קאַנס (שילדינג עפעקטיווקייט ≥80dB) מיט גאַפּ ברייט

ליניע-אויסשטאנד ≥3×ליניע ברייט, לענג טעות

ENIG גיט א גלאטן אויבערפלאך און נידריגן פארלוסט; OSP'ס דין גרעב איז פּאַסיק פֿאַר הויך-פֿרעקווענץ אַפּליקאַציעס, פֿאַרמייַדנדיק מאַגנעטישן פארלוסט פֿון ניקאַל לייַערס.

ניצט HFSS/CST פאר פול-כוואַליע עלעקטראָמאַגנעטישע סימולאַציע צו וועריפיצירן SI/PI; דורכפירן S-פּאַראַמעטער סוויפּ אַנאַליז ביי ≥10 פרעקווענץ פונקטן.

אויסקלייבן מאַטעריאַלן מיט CTE ≤15ppm/℃, פֿאַרגרעסערן היץ דורך געדיכטקייט (≥20/cm²), און ניצן מעטאַל-באַזירטע קופּער-באדעקטע ברעטער.

ניצט PTFE-באזירטע נידעריק Df מאַטעריאַלן; אָפּטימיזירט דיעלעקטרישע שיכט גרעב צו טרעפן λ/4 רעזאָנאַנס באדינגונגען און רעדוצירן ענערגיע אָנווער.

ליניע ברייט טאָלעראַנץ ±0.02 מם פירט צו אַן ימפּידאַנס פון ±3Ω; דיעלעקטריק גרעב טאָלעראַנץ ±0.01 מם פירט צו אַן אָפּנייגונג פון ±0.1 אויף דער Dk סיסטעם, וואָס דאַרף שטרענג קאָנטראָל.

שטעלט MLCC קאָמבינאַציעס (10nF/100nF/1μF) ביים מאַכט אַרייַנגאַנג; צעטיילט די מאַכט שיכט מיט ≥50mil ווייַטקייט צווישן וואָלטידזש דאָמעינען.

פֿיקסטשור קאָנטאַקט אימפּעדאַנס