اعلی تعدد پی سی بی

کم نقصان والے مواد (جیسے Rogers 4350B) کا استعمال کرتا ہے، جس میں لائن چوڑائی کی رواداری ±0.01mm، سگنل لیئر اسپیسنگ کنٹرول کی درستگی ±5%، اور impedance کنٹرول کی درستگی ±5Ω ہے۔

5G بیس اسٹیشنز (24.25-52.6GHz)، سیٹلائٹ کمیونیکیشنز (Ka band 26.5-40GHz)، ملی میٹر ویو ریڈار (77GHz)، تیز رفتار ڈیٹا سینٹرز (100Gbps+)۔

مقداری طور پر انسرشن نقصان (＜-3dB@10GHz)، واپسی کا نقصان (＞-20dB@10GHz)، اور crosstalk (＜-30dB) جیسے پیرامیٹرز کے ذریعے جانچا جاتا ہے۔

مادی مالیکیولر ڈھانچے، درجہ حرارت (ہر 10℃ کے اضافے کے لیے Df میں 3%-5% اضافہ ہوتا ہے) اور فریکوئنسی (فریکوئنسی کے مربع کے ساتھ Df بڑھتا ہے) سے متعلق۔

Rogers 4350B (Dk=3.48, Df=0.0037), Taconic TLY-5 (Dk=2.2, Df=0.0009), Isola 370HR (Dk=3.6, Df=0.004)۔

کم Dk مواد ٹرانسمیشن میں تاخیر کو کم کرتا ہے (مثال کے طور پر، Dk=2.2 مواد میں FR-4 کے مقابلے میں 25% زیادہ تاخیر ہوتی ہے)، اور کم Df سگنل کی کشیدگی کو کم کرتا ہے (Df=0.001 پر نقصان FR-4 سے 70% کم ہے)۔

پانی جذب>0.5% Dk اتار چڑھاؤ کا سبب بنتا ہے 5% سے زیادہ۔ پانی جذب کرنے والے مواد کو استعمال کرنے کی سفارش کی جاتی ہے

24-100GHz ایپلی کیشنز کو پورا کرنے کے لیے Dk＜2.5 اور Df＜0.001 (جیسے Arlon AD255, Dk=2.5, Df=0.0008) کے ساتھ مواد کو ترجیح دیں۔

ایلومینیم آکسائیڈ سیرامکس کو شامل کرنے سے مواد Tg کو 280℃+ تک بڑھا سکتا ہے اور تھرمل ایکسپینشن (CTE) کے گتانک کو 2-3ppm/℃ تک کم کر سکتا ہے، جس سے اعلی درجہ حرارت کے استحکام میں بہتری آتی ہے۔

روایتی عمل میں، لائن کی چوڑائی/اسپیسنگ ≥50μm؛ اعلی درجے کے عمل 30μm تک پہنچ سکتے ہیں، مائبادا کنٹرول میچنگ کی ضرورت ہوتی ہے۔

برقی مقناطیسی مداخلت کو کم کرنے کے لیے طاقت اور زمینی تہوں کے درمیان فاصلہ ≤0.1mm اور سگنل اور حوالہ جاتی تہوں کے درمیان ≤0.05mm کے ساتھ سڈول اسٹیکنگ کا استعمال کریں۔

عام ویاس 10GHz پر -3dB نقصان کا سبب بنتا ہے۔ بیک ڈرلنگ (اضافی سٹب کی لمبائی کو ہٹانے) کا استعمال 60% سے زیادہ نقصان کو کم کر سکتا ہے۔

دائیں زاویہ روٹنگ سے گریز کریں (انعکاس 15% بڑھ جاتا ہے)، 45° کونوں کو ترجیح دیں؛ کنٹرول سگنل لوپ ایریا

مکینیکل ڈرلنگ سے ڈیلامینیشن سے بچنے کے لیے CO₂ لیزر ڈرلنگ (اپرچر کی درستگی ±5μm) کا استعمال کریں، سوراخ کی دیوار کی کھردری Ra≤1.2μm کے ساتھ۔

الیکٹرو لیس کاپر پلیٹنگ + الیکٹروپلاٹنگ کاپر استعمال کریں، سطح کے نقصان کو کم کرنے کے لیے تانبے کی تہہ کی کھردری Rz≤2μm کو کنٹرول کریں (کھردری میں ہر 1μm اضافے کے لیے نقصان 10% بڑھ جاتا ہے)۔

1-3μm کی موٹائی اور رابطہ مزاحمت

لیمینیشن کے درجہ حرارت کو میٹریل Tg+30℃ پر کنٹرول کیا جانا چاہیے (مثال کے طور پر، راجرز 4350B لیمینیشن درجہ حرارت 210-230℃)، دباؤ 5-8MPa کے ساتھ ڈیلامینیشن سے بچنے کے لیے۔

رکاوٹ کے تسلسل کا پتہ لگانے کے لیے TDR (ٹائم ڈومین ریفلوکومیٹر)، پوزیشن انحراف (قابل اجازت ±0.05 ملی میٹر) کے ذریعے پتہ لگانے کے لیے ایکسرے اور لائن کی چوڑائی کی رواداری کا پتہ لگانے کے لیے AOI استعمال کریں۔

کم Df مواد استعمال کریں، تانبے کے ورق کی کھردری کو بہتر بنائیں (RTF تانبے کے ورق میں RA تانبے کے ورق سے 30% کم نقصان ہوتا ہے) اور ٹریس کی لمبائی کو مختصر کریں۔

مائبادی کی رکاوٹوں کو چیک کریں (جیسے ویاس، کنیکٹر)، مائبادی انحراف کو یقینی بنائیں

ضرورت سے زیادہ متوازی ٹریس کی لمبائی کراسسٹالک کا سبب بنتی ہے۔ 3W اصول (W لائن کی چوڑائی ہے) پر لائن کی جگہ کو بڑھانا اور زمینی تنہائی کو شامل کرنے سے کراسسٹالک کو 20dB تک کم کیا جا سکتا ہے۔

مماثل ریزسٹرس (مزاحمت = ٹرانسمیشن لائن مائبادا) کے ساتھ ختم کریں اور 0.1 سے نیچے ریفلیکشن گتانک کو کم کرنے کے لیے بتدریج لائن چوڑائی کی منتقلی کا استعمال کریں۔

مکمل زمینی جہاز کے ساتھ شیلڈ (گیپ

تانبے کے ورق (تھرمل چالکتا 398W/mK) کے ذریعے ترسیل 70%، مواد کی ترسیل 20%، اور کنویکشن/تابکاری 10% ہے۔

کثافت (≥200/cm²) کے ذریعے گرمی میں اضافہ کریں، موٹے تانبے کے ورق (≥3oz) کا استعمال کریں، اور حرارت کے سنک کے ساتھ مل کر تھرمل مزاحمت کو 40% تک کم کریں۔

ایلومینیم سبسٹریٹ (170W/mK) > کاپر سبسٹریٹ (398W/mK) > عام FR-4 (0.35W/mK)۔

ہر 10℃ اضافے کے لیے، Dk میں 0.5%-1% اضافہ ہوتا ہے، اور Df میں 3%-5% اضافہ ہوتا ہے۔ تجویز کردہ آپریٹنگ درجہ حرارت

قطر 0.3-0.5 ملی میٹر کے ذریعے، حرارت کی موثر ترسیل کے راستوں کو یقینی بنانے اور تھرمل مزاحمت کو 30% تک کم کرنے کے لیے فاصلہ ≤1 ملی میٹر۔

S-پیرامیٹر ٹیسٹنگ (S11, S21، وغیرہ)، رکاوٹ کی جانچ، ڈائی الیکٹرک نقصان کی جانچ، درجہ حرارت سائیکلنگ ٹیسٹنگ (-40℃~125℃، 500 سائیکل)۔

S11 (واپسی کا نقصان)، S21 (داخل کرنے کا نقصان)۔ ٹیسٹ فریکوئنسی رینج ±0.5dB کی درستگی کے ساتھ آپریٹنگ بینڈ کا احاطہ کرتی ہے۔

مواد کی موسمی مزاحمت کی تصدیق کے لیے نم گرمی کی جانچ (85℃/85% RH, 1000h) اور نمک کے سپرے ٹیسٹنگ (5% NaCl, 24h) کریں۔

0.1 ملی میٹر تک کی ریزولوشن کے ساتھ، مائبادی کی رکاوٹوں کا پتہ لگانے کے لیے ایک قدمی سگنل کو خارج کر کے عکاسی لہر کی پیمائش کرتا ہے۔

شعاعوں کے اخراج (≤-40dBμV/m@1GHz) اور شیلڈ تاثیر کی جانچ (>60dB) کی جانچ کرنے کے لیے اینیکوک چیمبرز کا استعمال کریں۔

مواد کی خرابی سے بچنے کے لیے 230-250℃ کے چوٹی درجہ حرارت کے ساتھ نائٹروجن ریفلو سولڈرنگ (آکسیجن کا مواد

مطلوبہ بینڈ اور اندراج نقصان

کنیکٹرز اور PCBs کے درمیان مائبادی کی مماثلت کو یقینی بنائیں، اور 15% نقصان کو کم کرنے کے لیے سولڈرنگ کے بعد ٹرمینلز کو صاف کریں۔

24-52GHz بینڈ کی ضروریات کو پورا کرنے اور گرمی کی کھپت (بجلی کی کثافت>10W/cm²) اور چھوٹے سے متعلق مسائل کو حل کرنے کی ضرورت ہے۔

AEC-Q200 سرٹیفیکیشن پاس کریں، آپریٹنگ درجہ حرارت -40℃~125 کے ساتھ

IPC-4101 (بنیادی مواد کی تفصیلات)، IPC-6012 (سخت بورڈ قبولیت کا معیار)، IEEE 802.3 (تیز رفتار سگنل کا معیار)۔

MIL-PRF-55110 (مائیکرو ویو سرکٹس)، آپریٹنگ درجہ حرارت -55℃~125℃، نمک کے اسپرے اور مولڈ ٹیسٹ پاس کرتا ہے۔

AEC-Q200 (غیر فعال جزو سرٹیفیکیشن) اور ISO 26262 (فنکشنل سیفٹی) کی ضروریات کو پورا کرتا ہے۔

3GPP TR 38.810 (بیس اسٹیشن کا سامان) سے ملتا ہے، اندراج کا نقصان -15dB۔

NASA-STD-8739.3 (الیکٹرانک مواد) کی پیروی کرتا ہے، 1000 گھنٹے کا نم ہیٹ ٹیسٹ پاس کرتا ہے، Dk تبدیلی

انتہائی کم نقصان والے مواد (Df

CTE کم ہو کر 1ppm/℃، تھرمل چالکتا 100W/mK تک بڑھ گئی، جبکہ کم Dk (2.8) کو برقرار رکھا گیا۔

لچکدار مواد میں قدرے زیادہ Dk (3.0-3.5) اور 20%-30% زیادہ Df ہوتے ہیں، لیکن 3D روٹنگ کو فعال کرتے ہیں۔

ماحول دوست مواد (جیسے لینن فائبر پر مبنی) Dk=3.2 اور Df=0.004 کے ساتھ، صارفین کے الیکٹرانکس کے لیے موزوں۔

Dk=9.8 اور تھرمل چالکتا 24W/mK کے ساتھ Al₂O₃ سیرامک ​​سبسٹریٹ، پاور ڈیوائس انٹیگریشن کے لیے موزوں ہے۔

Altium ڈیزائنر، Cadence Allegro، ANSYS HFSS (برقی مقناطیسی تخروپن)، Keysight ADS (سرکٹ سمولیشن)۔

ایک 3D ماڈل بنائیں، میٹریل پیرامیٹرز اور باؤنڈری کنڈیشنز سیٹ کریں، S-پیرامیٹرز اور فیلڈ ڈسٹری بیوشن کو خرابی

سرکٹ لیول سمولیشن کو انجام دیتا ہے، مماثل نیٹ ورکس کو بہتر بناتا ہے، اندراج کے نقصان اور واپسی کے نقصان کی پیش گوئی کرتا ہے، اور ملٹی پورٹ ایس پیرامیٹر تجزیہ کو سپورٹ کرتا ہے۔

±3Ω کے اندر خرابی، اصل عمل کے پیرامیٹرز کے ساتھ انشانکن کی ضرورت ہوتی ہے (جیسے تانبے کے ورق کی کھردری، ڈائی الیکٹرک موٹائی)۔

فیلڈ ڈسٹری بیوشن کی بنیاد پر ٹریس لے آؤٹ کو ایڈجسٹ کریں، پیرامیٹر سکیننگ کے ذریعے مائبادا میچنگ کو بہتر بنائیں، اور نقصانات کو کم کرنے کے لیے تکراری طور پر ڈیزائن کریں۔

لیزر ڈرلنگ مشین (درستگی ±5μm)، ویکیوم لیمینیٹر، ہائی پریسجن اینچنگ مشین (لائن کی چوڑائی رواداری ±0.01 ملی میٹر)۔

CO₂ لیزر موٹی بورڈز کے لیے موزوں ہے (>1 ملی میٹر) بڑے یپرچرز (≥0.3 ملی میٹر) کے ساتھ؛ چھوٹے یپرچرز (0.1-0.2 ملی میٹر) کے ساتھ پتلی بورڈز (

ویکیوم ڈگری

ایچ فیکٹر ≥3:1، ٹھیک پچ روٹنگ کی ضروریات کو پورا کرنے کے لیے سائیڈ ایچ کی مقدار

لائن کی چوڑائی / وقفہ کاری کے انحراف (±0.005mm)، شارٹس/اوپن سرکٹس، کم از کم خرابی کا سائز 0.01mm کا پتہ لگا سکتا ہے۔

RoHS 2.0 کی تعمیل کرتا ہے (6 خطرناک مادوں جیسے لیڈ اور پارے پر پابندی لگاتا ہے)، ہالوجن مواد

لیڈ فری سولڈرنگ، گندے پانی کے علاج کے بعد ہیوی میٹل مواد 95%)۔

جسمانی کرشنگ + کیمیائی تحلیل (بحالی کی شرح> 98٪) کے ذریعے تانبے کو بازیافت کریں، اور رال کے فضلے کا بے ضرر علاج کریں۔

پولی لیکٹک ایسڈ پر مبنی مواد جس میں Dk=3.3 اور Df=0.005، انحطاط کی شرح> 80% استعمال کے بعد 180 دنوں کے اندر۔

ماحولیاتی عمل سے لاگت میں 10%-15% اضافہ ہوتا ہے، لیکن تعمیل جرمانے کے خطرات سے بچتی ہے۔

AI الگورتھم روٹنگ ٹوپولوجی کو بہتر بناتے ہیں، دستی ڈیزائن کے وقت کو 50% اور سگنل کے نقصان کو 15% کم کرتے ہیں۔

پیچیدہ 3D ڈھانچے کو انٹر لیئر الائنمنٹ کی درستگی ±0.05mm کے ساتھ فعال کرتا ہے، لیکن مادی نقصان فی الحال زیادہ ہے (Df=0.01)۔

انتہائی کم نقصان والے مواد (Df

Dk

سگنل کے راستوں کو چھوٹا کرنے اور سسٹم کے نقصان کو 30% کم کرنے کے لیے 2.5D/3D پیکیجنگ ٹیکنالوجی کو اپناتا ہے۔

زیادہ درجہ حرارت اور زیادہ نمی والے ماحول سے پرہیز کریں (درجہ حرارت

سٹب کے ذریعے اضافی ہٹانے کے لیے بیک ڈرلنگ کا استعمال کریں، سٹب کی لمبائی کے ساتھ ≤1/8λ؛ پرجیوی گنجائش کو کم کرنے کے لیے تھرو ہول ریفلو سولڈرنگ کا استعمال کریں۔

کم Dk (

نیٹ ورک تجزیہ کار کے ساتھ S-پیرامیٹر کی جانچ کریں، جس میں S11 ≤ -15dB اور خصوصیت کی رکاوٹ کی خرابی ±5Ω کی ضرورت ہوتی ہے۔ عکاسی کے قابلیت

ڈائی الیکٹرک پرت کی موٹائی 0.05-0.2 ملی میٹر، تانبے کے ورق کی کھردری Ra≤0.5μm؛ ملحقہ تہہ آرتھوگونل، پاور/گراؤنڈ لیئر اسپیسنگ

گیپ چوڑائی

لائن میں وقفہ کاری ≥3×لائن کی چوڑائی، لمبائی کی خرابی

ENIG ہموار سطح اور کم نقصان فراہم کرتا ہے۔ OSP کی پتلی موٹائی اعلی تعدد ایپلی کیشنز کے مطابق ہے، نکل کی تہوں سے مقناطیسی نقصان سے بچتا ہے۔

SI/PI کی تصدیق کے لیے فل ویو برقی مقناطیسی تخروپن کے لیے HFSS/CST استعمال کریں۔ ≥10 فریکوئنسی پوائنٹس پر S-پیرامیٹر سویپ تجزیہ کریں۔

CTE ≤15ppm/℃ کے ساتھ مواد کا انتخاب کریں، کثافت (≥20/cm²) کے ذریعے حرارت بڑھائیں، اور دھات پر مبنی تانبے سے ملبوس بورڈ استعمال کریں۔

PTFE پر مبنی کم Df مواد استعمال کریں۔ λ/4 گونج کے حالات کو پورا کرنے اور توانائی کے نقصان کو کم کرنے کے لیے ڈائی الیکٹرک تہہ کی موٹائی کو بہتر بنائیں۔

لائن کی چوڑائی رواداری ±0.02mm رکاوٹ کا سبب بنتی ہے 波动 ±3Ω; ڈائی الیکٹرک موٹائی رواداری ±0.01mm Dk انحراف ±0.1 کا سبب بنتی ہے، سخت کنٹرول کی ضرورت ہوتی ہے۔

ایم ایل سی سی کے امتزاج (10nF/100nF/1μF) کو پاور انلیٹ پر رکھیں؛ وولٹیج ڈومینز کے درمیان ≥50mil وقفہ کے ساتھ پاور لیئر کو تقسیم کریں۔

فکسچر رابطہ رکاوٹ