د لوړ فریکونسۍ PCB

د ټیټ زیان لرونکي موادو څخه کار اخلي (لکه راجرز 4350B)، د کرښې عرض زغم ±0.01mm، د سیګنال پرت فاصلې کنټرول دقت ±5٪، او د امپیډنس کنټرول دقت ±5Ω سره.

د 5G بیس سټیشنونه (24.25-52.6GHz)، د سپوږمکۍ مخابرات (Ka band 26.5-40GHz)، د ملی میټر څپې رادار (77GHz)، د لوړ سرعت ډیټا مرکزونه (100Gbps+).

په کمیتي ډول د پیرامیټرو لکه د داخلولو ضایع (＜-3dB@10GHz)، د بیرته راستنیدو ضایع (＞-20dB@10GHz)، او کراسټالک (＜-30dB) لخوا ارزول کیږي.

د موادو مالیکولي جوړښت، تودوخې (د هر 10 ℃ لوړوالي لپاره Df 3٪-5٪ زیاتیږي)، او فریکونسۍ (د فریکونسۍ مربع سره Df زیاتیږي) پورې اړه لري.

راجرز 4350B (Dk=3.48، Df=0.0037)، ټیکونیک TLY-5 (Dk=2.2، Df=0.0009)، ایزولا 370HR (Dk=3.6، Df=0.004).

د ټیټ Dk مواد د لیږد ځنډ کموي (د مثال په توګه، Dk=2.2 مواد د FR-4 په پرتله 25٪ ګړندی ځنډ لري)، او ټیټ Df د سیګنال کمښت کموي (ضرر د FR-4 په پرتله 70٪ کم دی کله چې Df=0.001 وي).

د اوبو جذب د 0.5٪ څخه زیات د Dk د بدلون لامل کیږي. سپارښتنه کیږي چې د اوبو جذب

د 24-100GHz غوښتنلیکونو پوره کولو لپاره د Dk＜2.5 او Df＜0.001 سره موادو ته لومړیتوب ورکړئ (لکه Arlon AD255, Dk=2.5, Df=0.0008).

د المونیم اکسایډ سیرامیکونو اضافه کول کولی شي د موادو Tg 280℃+ ته لوړ کړي او د تودوخې پراخیدو ضخامت (CTE) 2-3ppm/℃ ته راټیټ کړي، د لوړې تودوخې ثبات ښه کړي.

په دودیزو پروسو کې، د کرښې پلنوالی/فاصله ≥50μm ده؛ پرمختللي پروسې کولی شي 30μm ته ورسیږي، چې د خنډ کنټرول مطابقت ته اړتیا لري.

د الکترومقناطیسي مداخلې کمولو لپاره، د بریښنا او ځمکې طبقو ترمنځ ≤0.1mm او د سیګنال او حوالې طبقو ترمنځ ≤0.05mm فاصله سره، متوازي سټکینګ وکاروئ.

عادي ویاس په 10GHz کې -3dB ضایع کوي. د بیک ډرلینګ کارول (د اضافي سټب اوږدوالی لرې کول) کولی شي ضایع له 60٪ څخه ډیر کم کړي.

د ښي زاویې له لارې تګ څخه ډډه وکړئ (انعکاس ۱۵٪ زیاتیږي)، ۴۵ درجې کونجونو ته لومړیتوب ورکړئ؛ د سیګنال لوپ ساحه کنټرول کړئ (

د CO₂ لیزر برمه کول (د اپرچر دقت ±5μm) وکاروئ ترڅو د میخانیکي برمه کولو څخه د ډیلامینیشن څخه مخنیوی وشي، د سوري دیوال ناهموارۍ Ra≤1.2μm سره.

د مسو د الکترو پرته پلیټینګ + د مسو د الکترو پلیټینګ څخه کار واخلئ، د مسو د طبقې ناهموارۍ Rz≤2μm کنټرول کړئ ترڅو د سطحې ضایع کم شي (د هر 1μm زیاتوالي سره ضایع 10٪ زیاتیږي).

د الکترولیس نکل ډوبولو سرو زرو (ENIG) چې ضخامت یې ۱-۳μm او د تماس مقاومت یې

د لامینیشن تودوخه باید د موادو Tg+30℃ (د مثال په توګه، د راجرز 4350B لامینیشن تودوخه 210-230℃) کې کنټرول شي، د 5-8MPa فشار سره ترڅو د ډیلامینیشن مخه ونیول شي.

د امپیډنس تسلسل معلومولو لپاره TDR (د وخت ډومین ریفلیکټومیټر) وکاروئ، د موقعیت انحراف له لارې د ایکس رې کشفولو لپاره (اجازه وړ ±0.05mm)، او د کرښې عرض زغم معلومولو لپاره AOI وکاروئ.

د ټیټ Df موادو څخه کار واخلئ، د مسو ورق ناهموارۍ غوره کړئ (RTF مسو ورق د RA مسو ورق په پرتله 30٪ کم زیان لري)، او د ټریس اوږدوالی لنډ کړئ.

د امپیډینس بې ثباتۍ وګورئ (لکه ویاس، نښلونکي)، د امپیډینس انحراف ډاډمن کړئ

د موازي ټریس اوږدوالی ډیر زیات د کراسټالک لامل کیږي. د 3W اصل ته د کرښې فاصله زیاتول (W د کرښې پلنوالی دی) او د ځمکې جلا کول کولی شي د کراسټالک 20dB کم کړي.

د ورته مقاومت کونکو سره پای ته ورسوئ (مقاومت = د لیږد لاین خنډ) او د تدریجي کرښې پلنوالي لیږدونو څخه کار واخلئ ترڅو د انعکاس ضریب له 0.1 څخه کم کړئ.

د بشپړ ځمکني سطحې سره ډال (خال

د مسو ورق له لارې د لیږد بهیر (تودوخې چالکتیا 398W/mK) 70٪، د موادو چلښت 20٪، او کنویکشن/ وړانګې 10٪ جوړوي.

د کثافت (≥200/cm²) له لارې تودوخه زیاته کړئ، د مسو غټ ورق (≥3oz) وکاروئ، او د تودوخې سینکونو سره یوځای کړئ ترڅو د تودوخې مقاومت 40٪ کم کړئ.

د المونیم سبسټریټ (170W/mK) > د مسو سبسټریټ (398W/mK) > عادي FR-4 (0.35W/mK).

د هر ۱۰ درجو لوړوالي لپاره، Dk ۰.۵٪-۱٪ زیاتیږي، او Df ۳٪-۵٪ زیاتیږي. سپارښتنه شوې عملیاتي تودوخه

د 0.3-0.5 ملي میتر قطر له لارې، د ≤1 ملي میتر فاصله ترڅو د تودوخې اغیزمن لیږد لارې ډاډمنې شي او د تودوخې مقاومت 30٪ کم شي.

د S-پیرامیټر ازموینه (S11، S21، او نور)، د امپیډینس ازموینه، د ډایالټریک ضایع ازموینه، د تودوخې سایکلینګ ازموینه (-40℃~125℃، 500 دورې).

S11 (د بیرته راستنیدو ضایع)، S21 (د ننوتلو ضایع). د ازموینې فریکونسۍ رینج د ±0.5dB دقت سره عملیاتي بینډ پوښي.

د موادو د هوا مقاومت تصدیق کولو لپاره د لندبل تودوخې ازموینه (85℃/85% RH، 1000h) او د مالګې سپرې ازموینه (5% NaCl، 24h) ترسره کړئ.

د انعکاس څپې اندازه کوي د ګام سیګنال په خپرولو سره د امپیډینس نا انقطاعاتو موندلو لپاره، چې تر 0.1 ملي میتر پورې ریزولوشن لري.

د وړانګو اخراج (≤-40dBμV/m@1GHz) او د شیلډ موثریت ازموینې (>60dB) ازموینې لپاره د انیکوک چیمبرونو څخه کار واخلئ.

د موادو د ډیلامینیشن څخه د مخنیوي لپاره د نایتروجن ریفلو سولډرینګ (د اکسیجن مینځپانګه

د لوړ فریکونسۍ نښلونکي لکه SMA، 2.92mm، 1.85mm، او نور غوره کړئ، د عملیاتي فریکونسۍ سره چې اړین بینډ او د داخلولو ضایع

د نښلونکو او PCBs ترمنځ د امپیډنس مطابقت ډاډمن کړئ، او د سولډر کولو وروسته ټرمینلونه پاک کړئ ترڅو زیان 15٪ کم شي.

د 24-52GHz بینډ اړتیاوې پوره کولو او د تودوخې ضایع کیدو (د بریښنا کثافت> 10W/cm²) او کوچني کولو مسلو حل کولو ته اړتیا ده.

د AEC-Q200 تصدیق پاس کړئ، د عملیاتي تودوخې -40 ℃ ~ 125 سره

IPC-4101 (د اساس موادو مشخصات)، IPC-6012 (د سخت بورډ منلو معیار)، IEEE 802.3 (د لوړ سرعت سیګنال معیار).

د MIL-PRF-55110 (مایکروویو سرکټونو) سره مطابقت لري، د عملیاتي تودوخې -55℃~125℃، د مالګې سپرې او مولډ ازموینې پاس کړې.

د AEC-Q200 (غیر فعال اجزا تصدیق) او ISO 26262 (فعال خوندیتوب) اړتیاوې پوره کوي.

د 3GPP TR 38.810 (بیس سټیشن تجهیزات) سره سمون خوري، د ننوتلو ضایع -15dB.

د NASA-STD-8739.3 (برېښنايي موادو) تعقیبوي، د 1000 ساعتونو لندبل تودوخې ازموینه پاس کړې، د Dk بدلون

د خورا ټیټ ضایع مواد (Df

CTE 1ppm/℃ ته راټیټ شو، د تودوخې چالکتیا 100W/mK ته لوړه شوه، پداسې حال کې چې ټیټ Dk (2.8) ساتل کیږي.

انعطاف منونکي مواد یو څه لوړ Dk (3.0-3.5) او 20%-30% لوړ Df لري، مګر د 3D روټینګ فعالوي.

د چاپیریال دوستانه مواد (لکه د کتان فایبر پر بنسټ) د Dk=3.2 او Df=0.004 سره، د مصرف کونکي برقیاتو لپاره مناسب دي.

Al₂O₃ سیرامیک سبسټریټ د Dk=9.8 او حرارتي چالکتیا 24W/mK سره، د بریښنا وسیلې ادغام لپاره مناسب دی.

الټیم ډیزاینر، کیډنس الیګرو، ANSYS HFSS (برقی مقناطیسي سمولیشن)، کیزایټ ADS (د سرکټ سمولیشن).

یو درې بعدي ماډل جوړ کړئ، د موادو پیرامیټرې او د سرحد شرایط تنظیم کړئ، د S- پیرامیټرې او د ساحې ویش د 5٪ څخه کم غلطۍ سره تقلید کړئ.

د سرکټ کچې سمولیشن ترسره کوي، د مطابقت وړ شبکې غوره کوي، د ننوتلو ضایع او بیرته راستنیدو ضایع وړاندوینه کوي، او د څو پورټ S-پیرامیټر تحلیل ملاتړ کوي.

د ±3Ω دننه تېروتنه، د اصلي پروسې پیرامیټرو سره کیلیبریشن ته اړتیا لري (لکه د مسو ورق ناهمواروالی، ډایالټریک ضخامت).

د ساحې د ویش پر بنسټ د ټریس ترتیب تنظیم کړئ، د پیرامیټر سکین کولو له لارې د خنډ مطابقت غوره کړئ، او د زیانونو کمولو لپاره په تکراري ډول ډیزاین کړئ.

د لیزر برمه کولو ماشین (دقت ±5μm)، د ویکیوم لامینیټر، د لوړ دقت ایچینګ ماشین (د کرښې عرض زغم ±0.01mm).

د CO₂ لیزر د غټو تختو (>1mm) لپاره مناسب دی چې لوی سوري لري (≥0.3mm)؛ د UV لیزر د پتلو تختو (

د خلا درجه

د ایچ فکتور ≥3:1، د اړخ ایچ اندازه

د کرښې پلنوالی/فاصله انحراف (±0.005mm)، شارټس/خلاص سرکټونه، لږترلږه د عیب اندازه 0.01mm کشف کولی شي.

د RoHS 2.0 سره مطابقت لري (د 6 خطرناکو موادو لکه سیسه او پارې محدودوي)، د هالوجن مینځپانګه د 900ppm څخه کمه ده.

د فاضله اوبو د درملنې وروسته د لیډ څخه پاک سولډرینګ، د درنو فلزاتو مینځپانګه 95٪).

د فزیکي کرشنګ + کیمیاوي تحلیل (د رغیدو کچه> 98٪) له لارې مس بیرته ترلاسه کړئ، او د رال ضایعاتو بې ضرره درملنه وکړئ.

د پولی لیکټیک اسید پر بنسټ مواد چې د Dk=3.3 او Df=0.005 سره، د تخریب کچه د کارولو وروسته د 180 ورځو په اوږدو کې له 80٪ څخه ډیر وي.

د چاپیریال پروسې لګښتونه ۱۰٪-۱۵٪ زیاتوي، خو اطاعت د جریمې خطرونو څخه مخنیوی کوي.

د مصنوعي ذهانت الګوریتمونه د روټینګ ټوپولوژي غوره کوي، د لاسي ډیزاین وخت 50٪ او د سیګنال ضایع 15٪ کموي.

پیچلي درې بعدي جوړښتونه فعالوي چې د پرتونو د سمون دقت ±0.05mm وي، مګر د موادو ضایع اوس مهال لوړ دی (Df=0.01).

د خورا ټیټ ضایع موادو (Df

د Dk

د سیګنال لارې لنډولو او د سیسټم ضایعات 30٪ کمولو لپاره د 2.5D/3D بسته بندۍ ټیکنالوژي غوره کوي.

د لوړې تودوخې او لوړ رطوبت لرونکي چاپیریالونو څخه ډډه وکړئ (د تودوخې

د سټبونو له لارې د اضافي لرې کولو لپاره د بیک ډرلینګ څخه کار واخلئ، د سټب اوږدوالی ≤1/8λ سره؛ د پرازیتي ظرفیت کمولو لپاره د سوري له لارې ریفلو سولډرینګ څخه کار واخلئ.

د ټیټ Dk (

د شبکې تحلیل کونکي سره د S-پیرامیټرونو ازموینه وکړئ، چې د S11 ≤ -15dB او د ځانګړتیا خنډ تېروتنه ±5Ω ته اړتیا لري؛ د انعکاس ضریب

د ډایالکټریک طبقې ضخامت 0.05-0.2 ملي متره، د مسو ورق ناهمواروالی Ra≤0.5μm؛ د څنګ پرتې طبقې د اورتوګونل، بریښنا/ځمکې طبقې فاصله

د فلزي محافظتي کینونو څخه کار واخلئ (د محافظتي موثریت ≥80dB) د تشې پلنوالي

د کرښې فاصله ≥3×د کرښې پلنوالی، اوږدوالی تېروتنه

ENIG نرمه سطحه او ټیټ زیان چمتو کوي؛ د OSP نری ضخامت د لوړ فریکونسۍ غوښتنلیکونو سره مناسب دی، د نکل طبقو څخه د مقناطیسي زیان مخه نیسي.

د SI/PI تصدیق کولو لپاره د بشپړ څپې الکترومقناطیسي سمولیشن لپاره HFSS/CST وکاروئ؛ د ≥10 فریکونسۍ نقطو کې د S-پیرامیټر سویپ تحلیل ترسره کړئ.

هغه مواد غوره کړئ چې د CTE ≤15ppm/℃ سره وي، د کثافت (≥20/cm²) له لارې تودوخه زیاته کړئ، او د فلز پر بنسټ د مسو پوښل شوي تختې وکاروئ.

د PTFE پر بنسټ د ټیټ Df موادو څخه کار واخلئ؛ د λ/4 ریزونانس شرایطو پوره کولو او د انرژۍ ضایع کمولو لپاره د ډایالټریک طبقې ضخامت غوره کړئ.

د کرښې د عرض زغم ±0.02mm د خنډ د کموالي لامل کیږي ±3Ω؛ د ډایالټریک ضخامت زغم ±0.01mm د Dk انحراف ±0.1 لامل کیږي، چې سخت کنټرول ته اړتیا لري.

د MLCC ترکیبونه (10nF/100nF/1μF) د بریښنا په داخل کې ځای په ځای کړئ؛ د بریښنا طبقه د ولټاژ ډومینونو ترمنځ د ≥50 ملی لیتر واټن سره وویشئ.

د فکسچر تماس خنډ