உயர் அதிர்வெண் PCB

குறைந்த இழப்புப் பொருட்களைப் பயன்படுத்துகிறது (ரோஜர்ஸ் 4350B போன்றவை), வரி அகல சகிப்புத்தன்மை ±0.01மிமீ, சிக்னல் அடுக்கு இடைவெளி கட்டுப்பாட்டு துல்லியம் ±5%, மற்றும் மின்மறுப்பு கட்டுப்பாட்டு துல்லியம் ±5Ω.

5G அடிப்படை நிலையங்கள் (24.25-52.6GHz), செயற்கைக்கோள் தொடர்புகள் (Ka அலைவரிசை 26.5-40GHz), மில்லிமீட்டர்-அலை ரேடார் (77GHz), அதிவேக தரவு மையங்கள் (100Gbps+).

செருகல் இழப்பு (＜-3dB@10GHz), திரும்பும் இழப்பு (＞-20dB@10GHz), மற்றும் குறுக்குநிலை (＜-30dB) போன்ற அளவுருக்கள் மூலம் அளவு ரீதியாக மதிப்பிடப்படுகிறது.

பொருள் மூலக்கூறு அமைப்பு, வெப்பநிலை (ஒவ்வொரு 10℃ உயர்வுக்கும் Df 3%-5% அதிகரிக்கிறது), மற்றும் அதிர்வெண் (அதிர்வெண் இருமடியுடன் Df அதிகரிக்கிறது) ஆகியவற்றுடன் தொடர்புடையது.

ரோஜர்ஸ் 4350B (Dk=3.48, Df=0.0037), டகோனிக் TLY-5 (Dk=2.2, Df=0.0009), ஐசோலா 370HR (Dk=3.6, Df=0.004).

குறைந்த Dk பொருட்கள் பரிமாற்ற தாமதத்தைக் குறைக்கின்றன (எ.கா., Dk=2.2 பொருட்கள் FR-4 ஐ விட 25% வேகமான தாமதத்தைக் கொண்டுள்ளன), மேலும் குறைந்த Df சமிக்ஞைத் தணிப்பைக் குறைக்கிறது (Df=0.001 ஆக இருக்கும்போது இழப்பு FR-4 ஐ விட 70% குறைவாகும்).

நீர் உறிஞ்சுதல் >0.5% 5% ஐ விட அதிகமாக Dk ஏற்ற இறக்கங்களை ஏற்படுத்துகிறது.

24-100GHz பயன்பாடுகளைப் பூர்த்தி செய்ய Dk＜2.5 மற்றும் Df＜0.001 (Arlon AD255, Dk=2.5, Df=0.0008 போன்றவை) கொண்ட பொருட்களுக்கு முன்னுரிமை கொடுங்கள்.

அலுமினியம் ஆக்சைடு மட்பாண்டங்களைச் சேர்ப்பது பொருள் Tg ஐ 280℃+ ஆக அதிகரிக்கலாம் மற்றும் வெப்ப விரிவாக்க குணகத்தை (CTE) 2-3ppm/℃ ஆகக் குறைத்து, உயர் வெப்பநிலை நிலைத்தன்மையை மேம்படுத்தலாம்.

வழக்கமான செயல்முறைகளில், கோட்டு அகலம்/இடைவெளி ≥50μm; மேம்பட்ட செயல்முறைகள் 30μm ஐ அடையலாம், இதற்கு மின்மறுப்பு கட்டுப்பாட்டு பொருத்தம் தேவைப்படுகிறது.

மின்காந்த குறுக்கீட்டைக் குறைக்க, சக்தி மற்றும் தரை அடுக்குகளுக்கு இடையில் ≤0.1 மிமீ இடைவெளியும், சமிக்ஞை மற்றும் குறிப்பு அடுக்குகளுக்கு இடையில் ≤0.05 மிமீ இடைவெளியும் கொண்ட சமச்சீர் அடுக்கி வைப்பைப் பயன்படுத்தவும்.

சாதாரண வயஸ்கள் 10GHz இல் -3dB இழப்பை ஏற்படுத்துகின்றன. பின்-துளையிடுதலைப் பயன்படுத்துதல் (அதிகப்படியான ஸ்டப் நீளத்தை நீக்குதல்) இழப்பை 60% க்கும் அதிகமாகக் குறைக்கலாம்.

வலது கோண வழித்தடத்தைத் தவிர்க்கவும் (பிரதிபலிப்பு 15% அதிகரிக்கிறது), 45° மூலைகளுக்கு முன்னுரிமை கொடுங்கள்; சிக்னல் லூப் பகுதியை (சிக்னல் அலைநீளம்)²/100 கட்டுப்படுத்தவும்.

இயந்திர துளையிடுதலில் இருந்து சிதைவைத் தவிர்க்க CO₂ லேசர் துளையிடுதலை (துளை துல்லியம் ±5μm) பயன்படுத்தவும், துளை சுவர் கடினத்தன்மை Ra≤1.2μm உடன்.

மேற்பரப்பு இழப்பைக் குறைக்க, மின்முலாம் பூசுதல் + மின்முலாம் பூசுதல் செம்பு ஆகியவற்றைப் பயன்படுத்தி, செப்பு அடுக்கு கடினத்தன்மையை Rz≤2μm கட்டுப்படுத்தவும் (ஒவ்வொரு 1μm கடினத்தன்மை அதிகரிப்பிற்கும் இழப்பு 10% அதிகரிக்கிறது).

1-3μm தடிமன் மற்றும் தொடர்பு எதிர்ப்பு

லேமினேஷன் வெப்பநிலையை Tg+30℃ (எ.கா., ரோஜர்ஸ் 4350B லேமினேஷன் வெப்பநிலை 210-230℃) இல் கட்டுப்படுத்த வேண்டும், இதனால் டிலாமினேஷனைத் தவிர்க்க 5-8MPa அழுத்தம் இருக்க வேண்டும்.

மின்மறுப்பு தொடர்ச்சியைக் கண்டறிய TDR (நேர-டொமைன் பிரதிபலிப்பான்), நிலை விலகல் வழியாகக் கண்டறிய எக்ஸ்-ரே (அனுமதிக்கக்கூடிய ± 0.05 மிமீ) மற்றும் வரி அகல சகிப்புத்தன்மையைக் கண்டறிய AOI ஆகியவற்றைப் பயன்படுத்தவும்.

குறைந்த Df பொருட்களைப் பயன்படுத்தவும், செப்புப் படலத்தின் கடினத்தன்மையை மேம்படுத்தவும் (RTF செப்புப் படலம் RA செப்புப் படலத்தை விட 30% குறைவான இழப்பைக் கொண்டுள்ளது), மற்றும் சுவடு நீளத்தைக் குறைக்கவும்.

மின்மறுப்பு தொடர்ச்சியின்மைகளைச் சரிபார்க்கவும் (வயாக்கள், இணைப்பிகள் போன்றவை), மின்மறுப்பு விலகலை

அதிகப்படியான இணையான சுவடு நீளம் குறுக்குவெட்டுக்கு காரணமாகிறது. வரி இடைவெளியை 3W கொள்கைக்கு (W என்பது வரி அகலம்) அதிகரிப்பதும், தரை தனிமைப்படுத்தலைச் சேர்ப்பதும் குறுக்குவெட்டை 20dB குறைக்கலாம்.

பொருந்தக்கூடிய மின்தடையங்களுடன் (எதிர்ப்பு = பரிமாற்றக் கோடு மின்மறுப்பு) முடித்து, பிரதிபலிப்பு குணகத்தை 0.1 க்குக் கீழே குறைக்க படிப்படியாக வரி அகல மாற்றங்களைப் பயன்படுத்தவும்.

முழுமையான தரைத்தளத்துடன் கூடிய கவசம் (இடைவெளி

செப்புத் தகடு வழியாக வெப்பக் கடத்தல் (வெப்பக் கடத்துத்திறன் 398W/mK) 70%, பொருள் கடத்தல் 20%, மற்றும் வெப்பச்சலனம்/கதிர்வீச்சு 10% ஆகும்.

அடர்த்தி (≥200/cm²) வழியாக வெப்பத்தை அதிகரிக்கவும், தடிமனான செப்புப் படலத்தை (≥3oz) பயன்படுத்தவும், மேலும் வெப்ப மடுக்களுடன் இணைத்து வெப்ப எதிர்ப்பை 40% குறைக்கவும்.

அலுமினிய அடி மூலக்கூறு (170W/mK) > செப்பு அடி மூலக்கூறு (398W/mK) > சாதாரண FR-4 (0.35W/mK).

ஒவ்வொரு 10℃ உயர்வுக்கும், Dk 0.5%-1% அதிகரிக்கிறது, மேலும் Df 3%-5% அதிகரிக்கிறது. பரிந்துரைக்கப்பட்ட இயக்க வெப்பநிலை

0.3-0.5 மிமீ விட்டம் கொண்ட, பயனுள்ள வெப்ப கடத்தும் பாதைகளை உறுதி செய்வதற்கும் வெப்ப எதிர்ப்பை 30% குறைப்பதற்கும் ≤1 மிமீ இடைவெளி.

S-அளவுரு சோதனை (S11, S21, முதலியன), மின்மறுப்பு சோதனை, மின்கடத்தா இழப்பு சோதனை, வெப்பநிலை சுழற்சி சோதனை (-40℃~125℃, 500 சுழற்சிகள்).

S11 (திரும்ப இழப்பு), S21 (செருகும் இழப்பு). சோதனை அதிர்வெண் வரம்பு ±0.5dB துல்லியத்துடன் இயக்க அலைவரிசையை உள்ளடக்கியது.

பொருள் வானிலை எதிர்ப்பைச் சரிபார்க்க ஈரப்பத வெப்ப சோதனை (85℃/85% RH, 1000h) மற்றும் உப்பு தெளிப்பு சோதனை (5% NaCl, 24h) ஆகியவற்றை நடத்தவும்.

0.1மிமீ வரை தெளிவுத்திறனுடன், மின்மறுப்பு தொடர்ச்சிகளைக் கண்டறிய ஒரு படி சமிக்ஞையை வெளியிடுவதன் மூலம் பிரதிபலிப்பு அலைவடிவத்தை அளவிடுகிறது.

கதிர்வீச்சு உமிழ்வுகளை (≤-40dBμV/m@1GHz) மற்றும் கேடய செயல்திறன் சோதனையை (>60dB) சோதிக்க எதிரொலி அறைகளைப் பயன்படுத்தவும்.

பொருள் சிதைவைத் தவிர்க்க 230-250℃ உச்ச வெப்பநிலையுடன் நைட்ரஜன் மறுபாய்வு சாலிடரிங் (ஆக்ஸிஜன் உள்ளடக்கம்

தேவையான அலைவரிசை மற்றும் செருகும் இழப்பை உள்ளடக்கிய இயக்க அதிர்வெண்கள் கொண்ட SMA, 2.92mm, 1.85mm போன்ற உயர் அதிர்வெண் இணைப்பிகளைத் தேர்ந்தெடுக்கவும்

இணைப்பிகள் மற்றும் PCB-களுக்கு இடையில் மின்மறுப்பு பொருத்தத்தை உறுதிசெய்து, சாலிடரிங் செய்த பிறகு டெர்மினல்களை சுத்தம் செய்து 15% இழப்பைக் குறைக்கவும்.

24-52GHz அலைவரிசை தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய வேண்டும் மற்றும் வெப்பச் சிதறல் (சக்தி அடர்த்தி >10W/cm²) மற்றும் மினியேட்டரைசேஷன் சிக்கல்களைத் தீர்க்க வேண்டும்.

-40℃~125 இயக்க வெப்பநிலையுடன், AEC-Q200 சான்றிதழில் தேர்ச்சி பெறுங்கள்.

IPC-4101 (அடிப்படை பொருள் விவரக்குறிப்பு), IPC-6012 (கடுமையான பலகை ஏற்றுக்கொள்ளும் தரநிலை), IEEE 802.3 (அதிவேக சமிக்ஞை தரநிலை).

MIL-PRF-55110 (மைக்ரோவேவ் சர்க்யூட்கள்), இயக்க வெப்பநிலை -55℃~125℃ உடன் இணங்குகிறது, உப்பு தெளிப்பு மற்றும் அச்சு சோதனைகளில் தேர்ச்சி பெற்றது.

AEC-Q200 (செயலற்ற கூறு சான்றிதழ்) மற்றும் ISO 26262 (செயல்பாட்டு பாதுகாப்பு) தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்கிறது.

3GPP TR 38.810 (அடிப்படை நிலைய உபகரணங்கள்), செருகல் இழப்பு -15dB ஆகியவற்றைச் சந்திக்கிறது.

NASA-STD-8739.3 (மின்னணு பொருட்கள்) ஐப் பின்பற்றுகிறது, 1000 மணிநேர ஈரப்பத வெப்ப சோதனையில் தேர்ச்சி பெற்றது, Dk மாற்றம்

மிகக் குறைந்த இழப்பு பொருட்கள் (Df

CTE 1ppm/℃ ஆகக் குறைக்கப்பட்டது, வெப்ப கடத்துத்திறன் 100W/mK ஆக அதிகரித்தது, அதே நேரத்தில் குறைந்த Dk (2.8) ஐப் பராமரித்தது.

நெகிழ்வான பொருட்கள் சற்று அதிக Dk (3.0-3.5) மற்றும் 20%-30% அதிக Df ஐக் கொண்டுள்ளன, ஆனால் 3D ரூட்டிங்கை இயக்குகின்றன.

Dk=3.2 மற்றும் Df=0.004 கொண்ட சுற்றுச்சூழலுக்கு உகந்த பொருட்கள் (லினன் ஃபைபர் போன்றவை), நுகர்வோர் மின்னணு சாதனங்களுக்கு ஏற்றது.

Dk=9.8 மற்றும் 24W/mK வெப்ப கடத்துத்திறன் கொண்ட Al₂O₃ பீங்கான் அடி மூலக்கூறு, மின் சாதன ஒருங்கிணைப்புக்கு ஏற்றது.

ஆல்டியம் டிசைனர், கேடென்ஸ் அலெக்ரோ, ANSYS HFSS (மின்காந்த உருவகப்படுத்துதல்), கீசைட் ADS (சுற்று உருவகப்படுத்துதல்).

ஒரு 3D மாதிரியை உருவாக்கவும், பொருள் அளவுருக்கள் மற்றும் எல்லை நிபந்தனைகளை அமைக்கவும், S-அளவுருக்கள் மற்றும் புல விநியோகத்தை

சுற்று-நிலை உருவகப்படுத்துதலைச் செய்கிறது, பொருந்தக்கூடிய நெட்வொர்க்குகளை மேம்படுத்துகிறது, செருகும் இழப்பு மற்றும் திரும்பும் இழப்பைக் கணிக்கிறது, மேலும் பல-போர்ட் S-அளவுரு பகுப்பாய்வை ஆதரிக்கிறது.

±3Ω க்குள் பிழை, உண்மையான செயல்முறை அளவுருக்களுடன் (செப்பு படலத்தின் கடினத்தன்மை, மின்கடத்தா தடிமன் போன்றவை) அளவுத்திருத்தம் தேவைப்படுகிறது.

புலப் பரவலின் அடிப்படையில் சுவடு அமைப்பைச் சரிசெய்யவும், அளவுரு ஸ்கேனிங் மூலம் மின்மறுப்பு பொருத்தத்தை மேம்படுத்தவும், இழப்புகளைக் குறைக்க மீண்டும் மீண்டும் வடிவமைக்கவும்.

லேசர் துளையிடும் இயந்திரம் (துல்லியம் ± 5μm), வெற்றிட லேமினேட்டர், உயர் துல்லிய பொறித்தல் இயந்திரம் (கோடு அகல சகிப்புத்தன்மை ± 0.01 மிமீ).

பெரிய துளைகள் (≥0.3 மிமீ) கொண்ட தடிமனான பலகைகளுக்கு (>1 மிமீ) CO₂ லேசர் பொருத்தமானது; சிறிய துளைகள் (0.1-0.2 மிமீ) கொண்ட மெல்லிய பலகைகளுக்கு (

வெற்றிட அளவு

எட்ச் காரணி ≥3:1, ஃபைன்-பிட்ச் ரூட்டிங் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய பக்க எட்ச் அளவு

வரி அகலம்/இடைவெளி விலகல் (±0.005மிமீ), ஷார்ட்ஸ்/திறந்த சுற்றுகள், குறைந்தபட்ச குறைபாடு அளவு 0.01மிமீ ஆகியவற்றைக் கண்டறிய முடியும்.

RoHS 2.0 உடன் இணங்குகிறது (ஈயம் மற்றும் பாதரசம் போன்ற 6 அபாயகரமான பொருட்களை கட்டுப்படுத்துகிறது), ஆலசன் உள்ளடக்கம்

கழிவு நீர் சுத்திகரிப்புக்குப் பிறகு, ஈயம் இல்லாத சாலிடரிங், கன உலோக உள்ளடக்கம் 95%).

உடல் ரீதியாக நொறுக்குதல் + வேதியியல் கரைப்பு (மீட்பு விகிதம் > 98%) மூலம் தாமிரத்தை மீட்டெடுக்கவும், பிசின் கழிவுகளை பாதிப்பில்லாமல் சுத்திகரிக்கவும்.

Dk=3.3 மற்றும் Df=0.005 கொண்ட பாலிலாக்டிக் அமிலம் சார்ந்த பொருட்கள், பயன்பாட்டிற்குப் பிறகு 180 நாட்களுக்குள் சிதைவு விகிதம் 80% க்கும் அதிகமாக.

சுற்றுச்சூழல் செயல்முறைகள் செலவுகளை 10%-15% அதிகரிக்கின்றன, ஆனால் இணக்கம் அபராத அபாயங்களைத் தவிர்க்கிறது.

AI வழிமுறைகள் ரூட்டிங் டோபாலஜியை மேம்படுத்துகின்றன, கைமுறை வடிவமைப்பு நேரத்தை 50% மற்றும் சிக்னல் இழப்பை 15% குறைக்கின்றன.

இடை அடுக்கு சீரமைப்பு துல்லியம் ±0.05மிமீ கொண்ட சிக்கலான 3D கட்டமைப்புகளை செயல்படுத்துகிறது, ஆனால் பொருள் இழப்பு தற்போது அதிகமாக உள்ளது (Df=0.01).

மிகக் குறைந்த இழப்புப் பொருட்கள் (Df

Dk

சிக்னல் பாதைகளைக் குறைக்கவும், கணினி இழப்பை 30% குறைக்கவும் 2.5D/3D பேக்கேஜிங் தொழில்நுட்பத்தை ஏற்றுக்கொள்கிறது.

அதிக வெப்பநிலை மற்றும் அதிக ஈரப்பதம் உள்ள சூழல்களைத் தவிர்க்கவும் (வெப்பநிலை

≤1/8λ நீளமுள்ள, அதிகப்படியான ஸ்டப்களை அகற்ற பின்-துளையிடுதலைப் பயன்படுத்தவும்; ஒட்டுண்ணி கொள்ளளவைக் குறைக்க, துளை வழியாக மறுபாய்வு சாலிடரிங் பயன்படுத்தவும்.

ரோஜர்ஸ் 4350B மற்றும் ஐசோலா 370HR போன்ற குறைந்த Dk (

S11 ≤ -15dB மற்றும் சிறப்பியல்பு மின்மறுப்பு பிழை ±5Ω தேவைப்படும் நெட்வொர்க் பகுப்பாய்வி மூலம் S-அளவுருக்களைச் சோதிக்கவும்; பிரதிபலிப்பு குணகம்

மின்கடத்தா அடுக்கு தடிமன் 0.05-0.2மிமீ, செப்பு படலம் கடினத்தன்மை Ra≤0.5μm; அருகிலுள்ள அடுக்கு செங்குத்து தடயங்கள், சக்தி/தரை அடுக்கு இடைவெளி

இடைவெளி அகலம்

வரி இடைவெளி ≥3×வரி அகலம், நீளப் பிழை

ENIG மென்மையான மேற்பரப்பு மற்றும் குறைந்த இழப்பை வழங்குகிறது; OSP இன் மெல்லிய தடிமன் உயர் அதிர்வெண் பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றது, நிக்கல் அடுக்குகளிலிருந்து காந்த இழப்பைத் தவிர்க்கிறது.

SI/PI ஐ சரிபார்க்க முழு-அலை மின்காந்த உருவகப்படுத்துதலுக்கு HFSS/CST ஐப் பயன்படுத்தவும்; ≥10 அதிர்வெண் புள்ளிகளில் S-அளவுரு ஸ்வீப் பகுப்பாய்வைச் செய்யவும்.

CTE ≤15ppm/℃ உள்ள பொருட்களைத் தேர்ந்தெடுத்து, அடர்த்தி வழியாக வெப்பத்தை அதிகரிக்கவும் (≥20/cm²), மேலும் உலோக அடிப்படையிலான செம்பு பூசப்பட்ட பலகைகளைப் பயன்படுத்தவும்.

PTFE-அடிப்படையிலான குறைந்த Df பொருட்களைப் பயன்படுத்துங்கள்; λ/4 அதிர்வு நிலைமைகளைப் பூர்த்தி செய்து ஆற்றல் இழப்பைக் குறைக்க மின்கடத்தா அடுக்கு தடிமனை மேம்படுத்தவும்.

கோட்டு அகல சகிப்புத்தன்மை ±0.02மிமீ மின்மறுப்பை ஏற்படுத்துகிறது ±3Ω; மின்கடத்தா தடிமன் சகிப்புத்தன்மை ±0.01மிமீ Dk விலகலை ஏற்படுத்துகிறது ±0.1, இதற்கு கடுமையான கட்டுப்பாடு தேவைப்படுகிறது.

மின் நுழைவாயிலில் MLCC சேர்க்கைகளை (10nF/100nF/1μF) வைக்கவும்; மின்னழுத்த டொமைன்களுக்கு இடையில் ≥50 மில்லியன் இடைவெளியுடன் மின் அடுக்கைப் பிரிக்கவும்.

ஃபிக்சர் தொடர்பு மின்மறுப்பு