სქელი სპილენძის PCB

ეს ეხება სპილენძის ფოლგის სისქის ≥3 უნცია (105 მკმ) მქონე დაბეჭდილ მიკროსქემურ დაფებს, რომლებიც გამოიყენება მაღალი სიმძლავრის კვების წყაროებში, საავტომობილო ელექტრონიკაში და ა.შ.

საერთო სპეციფიკაციები მოიცავს 3oz, 4oz, 5oz, 6oz, მაქსიმუმ 20oz.

წარმოების ღირებულება 30%-80%-ით მეტია გრავირების სირთულის, ელექტროპლაკონირების ხანგრძლივი დროისა და ჯართის მაღალი მაჩვენებლის გამო.

3 უნცია სპილენძის ფოლგისთვის ჩვეულებრივია 8მილი/8მილი, ხოლო სპეციალური პროცესებით შესაძლებელია 5მილი/5მილი მიღწეული იქნას.

სპილენძის ფენის ერთგვაროვნების უზრუნველსაყოფად საჭიროა ხანგრძლივი დალექვა. ხვრელის სპილენძის სისქემ 25-75 მკმ უნდა მიაღწიოს და ხვრელის ღიობებსა და კედლებს შორის სისქის სხვაობაც შესაძლოა წარმოიშვას.

ჩვეულებრივ, 0.8-1.2, რომლის გაზრდა 1.5-მდე შესაძლებელია ეტაპობრივი გრავირებით ან ლაზერული ფორმირებით.

გაზარდეთ სითბოს გაფრქვევის გამტარი არხები (აპერტურა ≥0.4 მმ), გამოიყენეთ ლითონის ბაზაზე დამზადებული თბოგამტარი მასალები და დააპროექტეთ დიდი ფართობის სპილენძის ფოლგის ფენები.

1 უნცია სპილენძის ფოლგის შემთხვევაში, ცალმხრივი გაყვანილობის დენის გამტარუნარიანობა 10℃ ტემპერატურის მატებისას დაახლოებით 1 ა/მმ-ია, ხოლო 3 უნცია შეიძლება გაიზარდოს 2.5-3 ა/მმ-მდე.

რაც უფრო სქელია სპილენძის ფოლგა, მით უფრო უარესია მოქნილობა. მოხრა არ არის რეკომენდებული 6 უნციაზე მეტი წონის მქონე ნაკეთობებისთვის, ხოლო 3 უნცია წონის მქონე ნაკეთობებისთვის მოხრის მინიმალური რადიუსი ≥5 მმ-ია.

ხაზის სიგანის ზღვარი ≥20%, მინიმალური აპერტურა ≥0.3 მმ, სპილენძის ხვრელის სისქე ≥25μm და სატესტო წერტილების სიმკვრივის გაზრდა.

ბრუნვის სიჩქარე 20%-30%-ით დაბალია ჩვეულებრივ დაბეჭდილ დაფასთან შედარებით (დაახლოებით 60,000-80,000 ბრუნი წუთში), ხოლო მიწოდების სიჩქარეა 0.02-0.04 მმ/ბრ/წთ.

ENIG გამოდგება მაღალი სიხშირის სიგნალებისთვის. OSP-ს აქვს დაბალი ღირებულება, მაგრამ სუსტი დაჟანგვისადმი მდგრადობა. მყარი მოოქროვილი საფარი გამოდგება მაღალი დატენვის კონექტორებისთვის.

10 გჰც სიხშირის დიაპაზონში, 6 უნცია სპილენძის ფოლგის სიგნალის დანაკარგი დაახლოებით 1.5 დბ/ინჩით მეტია, ვიდრე 1 უნციასი.

სიმეტრიული სპილენძის ფოლგის დიზაინი, ლამინირების ტემპერატურა 180-200℃, წნევა 100-150psi, გაგრილების სიჩქარე ≤3℃/წთ.

IPC სტანდარტი ≤12.5μm, მაღალსიჩქარიანი სიგნალებისთვის საჭიროა ≤5μm, რომლის გაუმჯობესება შესაძლებელია ქიმიური სპილენძის დალექვით + ელექტრომოლარიზაციის შევსებით.

ინდუსტრიის საშუალო მაჩვენებელი 75%-85%-ია, ხოლო 6 უნციაზე მეტი ქილის მოსავლიანობა შესაძლოა 70%-ზე დაბლა დაეცეს.

ახალი ენერგიის სატრანსპორტო საშუალებები (დამტენი პილები, ინვერტორები), სამრეწველო კვების წყაროები, სერვერის კვების წყაროები, აერონავტიკა და სხვა სფეროები.

ტრადიციული 0.8-1.2 მილი ძაბვის მაღალი ძაბვის აპლიკაციებისთვის საჭიროა 1.5-2 მილი, რომელიც უნდა ფარავდეს სპილენძის ფოლგას ცოცვის თავიდან ასაცილებლად.

შეამცირეთ სპეციალური პროცესები, გააერთიანეთ სპილენძის ფოლგის სისქე, გაზარდეთ პარტიის ზომა და თავიდან აიცილეთ ძალიან ბევრი ბრმა/დამარხული ვილა.

მჟავე სპილენძის მოოქროვილი ხსნარის დამუშავების სიმძლავრე დაახლოებით 100-150 აჰ/ლ-ია და სპილენძის იონებისა და ქლორიდის იონების კონცენტრაციები რეგულარულად უნდა გაანალიზდეს.

აქერცვლის სიმტკიცე ≥1.5N/მმ (1oz), 3 უნციას სჭირდება ≥2.5N/მმ.

გამოიყენეთ მაღალი Tg სუბსტრატი (≥170℃), ერთგვაროვანი ლამინირების წნევა და ბურღვის შემდეგ დროულად მოაშორეთ ბურღვის ნარჩენები.

ტუტე გრავირების ხსნარის ტემპერატურა 45-55℃, კუთრი წონა 1.2-1.3, შესხურების წნევა 0.8-1.2MPa.

ვია უნდა იყოს 100%-ით დაფარული შედუღების ნიღბით, ხოლო ღიობის ზომა 0.2-0.3 მმ-ით დიდი უნდა იყოს ღიობზე, რათა თავიდან იქნას აცილებული შედუღების გადმოდინება.

სპილენძის ფოლგის სისქის ცვლილებები იწვევს წინაღობის რყევებს. აუცილებელია ხაზის სიგანისა და დიელექტრიკის სისქის სიმულირება და ოპტიმიზაცია ±5%-იანი ტოლერანტობით.

ტრადიციული პროცესი 0.3 მმ-ია, ლაზერული ბურღვით კი 0.15 მმ-ს აღწევს, თუმცა ეს მაღალი ფასით ხასიათდება.

მან უნდა გაიაროს 260℃/10 წამში სამჯერადი ჩაძირვის ტესტი თუნუქში, ხვრელის კედლის გამოყოფის ან სპილენძის ფოლგის აშრევების გარეშე.

როდესაც უხეშობა Ra> 3μm-ია, სიგნალის დანაკარგი იზრდება 10%-15%-ით და საჭიროა დაბალი უხეშობის სპილენძის ფოლგა (VLP).

გამოიყენეთ ბადისებრი სპილენძის ფოლგის დიზაინი, გაზარდეთ დენის შუნტის ბილიკები და საკვანძო ბილიკების ხაზის სიგანე ≥10 მილი.

ჩვეულებრივი ≥4 მილი, მაღალი ძაბვისთვის საჭიროა ≥8 მილი, რათა თავიდან იქნას აცილებული აფეთქება.

დენის სიმკვრივე 0.8-1.2A/dm², დანამატის კონცენტრაციის ზუსტი კონტროლი და ელექტროპლატირების დრო 2-3-ჯერ მეტია ჩვეულებრივ PCB-ზე.

გამოიყენეთ 3D ოპტიკური საზომი ინსტრუმენტი, რომლის დეფორმაცია ≤0.7% და ლოკალური დეფორმაცია ≤0.1 მმ-ია.

ჩაძირვის დრო ≤3 წამი, დასველების კუთხე

პანელის დიზაინის ოპტიმიზაცია, სასაზღვრო ნარჩენების შემცირება და საფეხუროვანი სპილენძის ფოლგის სისქის ზონირების დიზაინის დანერგვა.

პალადიუმის იონის კონცენტრაცია 0.02-0.05 გ/ლ, ტემპერატურა 30-35℃, დრო 10-15 წუთი ხვრელის კედლის ერთგვაროვანი დაფარვის უზრუნველსაყოფად.

1 მილიმეტრიან დიელექტრიკულ სისქეს შეუძლია გაუძლოს დაახლოებით 500 ვოლტს, ხოლო იზოლაციისა და სპილენძის ფოლგის დაშორება უნდა იყოს დაპროექტებული ძაბვის დონის მიხედვით.

შენახვის ტენიანობა ≤40%, ტემპერატურა ≤25℃, ზედაპირის დამუშავების შემდეგ დროული შეფუთვა, ტენიანობისგან დაცული პარკების + საშრობების გამოყენებით.

ფრეზის საჭრელის სიჩქარე 25,000-30,000 ბრუნი წუთში, მიწოდების სიჩქარე 800-1200 მმ/წთ კიდების დაბურცვის თავიდან ასაცილებლად.

აცხვეთ 150-160℃ ტემპერატურაზე 60-90 წუთის განმავლობაში, სიმტკიცე ≥2H და ადჰეზია წარმატებით გადის განივი ჭრის ტესტს.

გაყოფილი არეალის სიგანე ≥20 მილი, თავიდან აიცილეთ მწვავე კუთხეები და დააკავშირეთ სხვადასხვა სიმძლავრის ფენები გამტარი მასივებით.

ვიკერსის სიმტკიცე ≥80HV მექანიკური დაზიანებისა და ცვეთის თავიდან ასაცილებლად.

DES პროცესი, კალიუმის პერმანგანატის კონცენტრაცია 80-100 გ/ლ, ტემპერატურა 60-70℃, დრო 15-20 წუთი.

გამოიყენეთ დაბალი Dk/Df დიელექტრიკული მასალები, აკონტროლეთ სპილენძის ფოლგის უხეშობა და ოპტიმიზაცია გაუკეთეთ დამიწების სიბრტყის უწყვეტობას.

ლამინირების შემდეგ გამოწვა, დაძაბულობის მოსახსნელად 120-150℃ ტემპერატურაზე 2-3 საათის განმავლობაში შენახვა.

მან უნდა გაუძლოს იზოპროპილის სპირტით, ფლუქსით და ა.შ. გაწმენდას შეშუპების ან ფერის შეცვლის გარეშე.

დაშორება ≥20 მილი, თავიდან აიცილეთ ხშირი გადახურება და შესაძლებელია ქლიავის ყვავილის განლაგების გამოყენება.

პულსური ელექტრომობილიზაციის ტექნოლოგია, ანოდსა და დაფას შორის 10-15 სმ დაშორება და ანოდის ხსნადობის რეგულარული შემოწმება.

ლაზერული ბურღვის ღირებულება დაახლოებით 3-5-ჯერ მეტია, მაგრამ უფრო მაღალი სიზუსტით და უფრო მცირე დიაფრაგმით.

ვერცხლის ჩაძირვით შედუღება სწრაფია, ENIG-ს აქვს მაღალი საიმედოობა, ხოლო OSP-ს შედუღების დასრულება 72 საათში სჭირდება.

თერმული სტრესის შესამცირებლად შეარჩიეთ სუბსტრატი, რომლის CTE მსგავსია სპილენძის ფოლგის (მაგალითად, მაღალი Tg FR-4 დაახლოებით 14 ppm/℃ CTE-ით).

IPC სტანდარტი მოითხოვს ≤10 ფორს/სმ²-ს, ხოლო მაღალი საიმედოობის აპლიკაციებისთვის - ≤5 ფორს/სმ²-ს, რომლის გაუმჯობესება შესაძლებელია ნახვრეტების ელექტრომობილიზაციით.

ბალიშის დიამეტრი = ხვრელის დიამეტრი + 0.6 მმ (ჩვეულებრივი) და სქელ სპილენძის კორპუსებში გრავირების გადახრის კომპენსაციისთვის საჭიროა 0.1-0.2 მმ-ით გაზრდა.

შავ შედუღების რეზისტს აქვს ძლიერი სითბოს შთანთქმის უნარი, ზედაპირის ტემპერატურა 3-5°C-ით მაღალია თეთრ შედუღების რეზისტთან შედარებით, თუმცა მცირე გავლენას ახდენს სითბოს საერთო გაფრქვევაზე.

ნიკელის ფენის სისქე 3-5 მკმ, ოქროს ფენის სისქე 0.05-0.1 მკმ, მოოქროვილი ხსნარის pH 4.8-5.2, ტემპერატურა 85-90℃.

გამოიყენება ქიმიური მიკროგრავიტაჟის პროცესი, რომლის დროსაც მიკროგრავიტაჟის რაოდენობა კონტროლდება 0.5-1 მკმ-ზე, ან მექანიკური დაფქვის დამუშავებით.

ჩვეულებრივი სატესტო ძაბვაა 1000 ვ ცვლადი დენი/1 წუთი, ხოლო მაღალი ძაბვის აპლიკაციებისთვის საჭიროა მისი გაზრდა 2000-5000 ვ ცვლადი დენიდან.

3 უნცია სპილენძის ფოლგის ქვეშ, ცალმხრივი გაყვანილობის სიმკვრივე რეკომენდებულია ≤15 სმ²/100 სმ²-ზე, ხოლო მრავალშრიანი დაფები უნდა აბალანსებდეს სიგნალის მთლიანობას და დენის გამტარუნარიანობას.

მექანიკური დატვირთვის ქვეშ მოტეხილობის თავიდან ასაცილებლად, წაგრძელების კოეფიციენტი უნდა იყოს ≥20%.

±50μm (ჩვეულებრივი) და მაღალსიჩქარიანი დაფები უნდა გაუმჯობესდეს ±25μm-მდე, ლაზერული პოზიციონირების სისტემის გამოყენებით.

მან უნდა გაუძლოს ხელახალი შედუღებას 280℃ ტემპერატურაზე 5 წამის განმავლობაში ბუშტუკების ან ბზარების გაჩენის გარეშე.

90°-იანი კუთხის აშრევების ტესტი გამოიყენება სიგანის ერთეულზე აშრევების ძალის ჩასაწერად, სტანდარტული ≥1.5 ნ/მმ-ით.

ცუდი ელექტრომოლარიზაციის თავიდან ასაცილებლად, ბრმა ხვრელის სიღრმისა და ხვრელის დიამეტრის თანაფარდობა (ასპეციის თანაფარდობა) ≤3:1 უნდა იყოს.

კოროზიისადმი მდგრადობის უზრუნველსაყოფად, უელექტრო ნიკელის მოპირკეთების ფენაში ფოსფორის შემცველობა 7%-9%-ზე უნდა იყოს კონტროლირებადი.

გამოიყენება დაფარული ფრეზები (მაგალითად, TiAlN საფარით) და ფრეზები რეგულარულად იცვლება (იცვლება დამუშავების ყოველ 50-100㎡-ში).

აკონტროლეთ წინაღობის უწყვეტობა, შეამცირეთ Via Stub-ის სიგრძე, გამოიყენეთ დიფერენციალური სიგნალის გადაცემა და დაამატეთ დამცავი ფენა.

±10% (ჩვეულებრივი) და მაღალი სიზუსტის აპლიკაციები უნდა კონტროლდებოდეს ±5%-ის ფარგლებში.

განივი ჭრის ტესტი ტარდება და ის კვალიფიცირებულად ითვლება, თუ ლენტის აქერცვლის შემდეგ ზედაპირის ფართობი ≤5%-ია.

დენის გამტარობისა და სიგნალის დაბრუნების დასაბალანსებლად გამოიყენება ბადისებრი ფორმის სპილენძის ჩამოსხმა (ბადის ინტერვალი ≤10 მილი).

დაჭიმვის ძაბვა ≤15MPa, შეკუმშვის ძაბვა ≤10MPa, სპილენძის ფოლგის დეფორმაციის თავიდან ასაცილებლად.

ფისის ნარჩენების ან ბურღვის ნარჩენების არარსებობა, რაც დადასტურებულია მეტალოგრაფიული ჭრილის დაკვირვებით.

85℃/85% RH ტემპერატურაზე 168 საათის განმავლობაში დაძველების შემდეგ, ფერის სხვაობა ΔE≤3.

Ra მნიშვნელობის გასაზომად გამოიყენება ზედაპირის პროფილერი, ხოლო ჩვეულებრივი სპილენძის ფოლგის Ra ​​არის ≤5μm.

ერთი 0.5 მმ-იანი გამტარი მილით შესაძლებელია დაახლოებით 0.5-1 ა დენის გატარება, ხოლო გამტარი მილების რაოდენობა უნდა განისაზღვროს დენის ფაქტობრივი მოთხოვნის მიხედვით.

სპილენძის ფენის სისქის გასაზომად სხვადასხვა პოზიციაზე გამოიყენება რენტგენის ფლუორესცენტული სპექტრომეტრი (XRF), გადახრით ≤10%.

კონტურის განზომილების ტოლერანტობა ±0.1 მმ, კუთხის გადახრა ±0.5°.

შეუსაბამეთ ტერმინალის წინაღობა, ოპტიმიზაცია გაუკეთეთ კვალის ტოპოლოგიას და შეამცირეთ მართი კუთხის კვალი და წინაღობის წყვეტა.

მსუბუქი დაჟანგვის დამუშავება შესაძლებელია ქიმიური მიკროგრავირებით, ხოლო ძლიერი დაჟანგვის შემთხვევაში საჭიროა ზედაპირის ხელახლა დამუშავება.

ეკრანის დაჭიმულობა 25-35N/cm, საწმენდი ჯოხის წნევა 3-5kg/cm, სიჩქარე 30-50mm/s.

დენის და მიწის ფენა მიმდებარეა, სიგნალის ფენები შუაშია ჩასმული და საშუალო სისქის ერთგვაროვნება კონტროლდება.

გამოიყენება მიკრო-ვიკერსის სიმტკიცის ტესტერი, რომლის სატესტო წერტილებს შორის მანძილი ≥0.5 მმ-ია და აღებულია საშუალო მნიშვნელობა.

გამოიყენება მარკირების წერტილის პოზიციონირება, ხოლო გადახრა აღმოჩენილი და კომპენსირებულია AOI მოწყობილობით.

500 შეხების (500 გრამიანი წნევის) შემდეგ, შესამჩნევი ცვეთა ან სპილენძის ხილვადობა არ შეინიშნება.

გამოიყენეთ ბუფერული ფენის მასალები (მაგალითად, თბოგამტარი წებოვანი ფირები) ან დააპროექტეთ დაძაბულობის შემამსუბუქებელი ჭრილები.

შესაძლებელია ფისის დამაგრება + ზედაპირის ელექტრომოლარიზაცია, ან შედუღების პასტით შევსება და შემდეგ გამკვრივება.

გაზის გამტარობის მეთოდი ან მეტალოგრაფიული მიკროსკოპით დაკვირვება გამოიყენება ერთეულ ფართობზე ფორების რაოდენობის გამოსათვლელად.

ძალიან მაღალი სიჩქარე იწვევს ბურუსების წარმოქმნას, ხოლო ძალიან დაბალი სიჩქარე გავლენას ახდენს ეფექტურობაზე, რომლის კორექტირებაც სპილენძის ფოლგის სისქის მიხედვით უნდა მოხდეს.

გაზარდეთ კვალის დაშორება (≥3W წესი), ჩასვით დამიწების დამცავი ხაზები და ოპტიმიზაცია გაუკეთეთ მარშრუტიზაციის ფენების განაწილებას.

ნარჩენი დაძაბულობა გამოიწვევს სპილენძის ფოლგის დეფორმაციას და ბზარების გაჩენას, რაც ამცირებს გრძელვადიან საიმედოობას.

ლოკალური დეფექტების ხელით ხელახლა დაბეჭდვა შესაძლებელია, ხოლო დიდი ფართობის დეფექტების ხელახლა დაბეჭდვა და გამოსწორებაა საჭირო.

გამტარი მილების დაშორების ≥20 მილი, რიცხვი გამოითვლება დენის გატარების მოთხოვნის მიხედვით და ისინი სიმეტრიულად არის განაწილებული.

შინაგანი სტრესის მნიშვნელობის რაოდენობრივი განსაზღვრისთვის გამოიყენება რენტგენის დიფრაქციის მეთოდი ან დაძაბულობის რგოლის ტესტი.

მაღალი უხეშობა გამოიწვევს არათანაბარ ელექტრომობილიზაციას და გაზრდის სპილენძის ხვრელების სისქის სხვაობას.

ულტრაიისფერი დაბერების ტესტის (500 საათი) შემდეგ, არ აღინიშნება ფერის შეცვლა ან ცარცისებრი ლაქები.

მყარი ოქროს მოოქროვების ჩასმისა და ამოღების ვადა 1000-ჯერ მეტია, ხოლო ჩაძირვის პროცესში ოქროს მოპოვება დაახლოებით 50-100-ჯერ გრძელდება.

ბრმა და დამარხული ვილების ღირებულება 30%-50%-ით მეტია, ვიდრე გამტარი ნახვრეტების ღირებულება და ღირებულების ზრდა უფრო მნიშვნელოვანია სქელი სპილენძის შემთხვევაში.