მაღალსიჩქარიანი PCB

აუცილებელია თანაბარი სიგრძის კონტროლის (შეცდომა ±5 მილიმეტრის ფარგლებში), წინაღობის შესაბამისობის (საერთო 50Ω/75Ω) და 3 ვატიანი დაშორების პრინციპის დაცვა (ხაზის სიგანის 3-ჯერ მეტი ჯვარედინი საუბრის თავიდან ასაცილებლად).

სიგნალის არეკვლის შესამცირებლად გამოიყენეთ შესაბამისი რეზისტორები (წყაროსთან მიმდევრობით ან ტერმინალთან პარალელური), ტრასის უწყვეტი წინაღობის კონტროლი და მართი კუთხის ტრასების თავიდან აცილება (არეკვლა იზრდება 30%-ით).

შედგება თანაბარი სიგრძის, თანაბარი მანძილისა და საპირისპირო პოლარობის სიგნალის ხაზების წყვილისგან, მას აქვს ძლიერი ჩარევის საწინააღმდეგო უნარი და საერთო რეჟიმის უარყოფის კოეფიციენტი, რომელიც აღემატება 40 დბ-ს.

ის შემოაქვს პარაზიტულ ტევადობას (დაახლოებით 0.5 pF) და ინდუქციურობას (დაახლოებით 1 nH). ღეროს სიგრძის შესამცირებლად რეკომენდებულია უკუბურღვის პროცესი.

როგორც წესი, 4-16 ფენის გამოყენებისას, დენის და დამიწების ფენა მჭიდროდ არის დაკავშირებული, ხოლო დიელექტრიკის სისქე კონტროლდება 0.1-0.3 მმ-ზე, წინაღობის სტაბილურობის უზრუნველსაყოფად.

ეს დამოკიდებულია ხაზის სიგანეზე/დაშორებაზე (მაგალითად, 0.1 მმ/0.1 მმ) და BGA არეალში მარშრუტიზაციის სიმჭიდროვემ შეიძლება მიაღწიოს 100-150 კვალს/სმ²-მდე.

გაზარდეთ ხაზებს შორის დაშორება, ჩასვით მიწის ხაზის იზოლაცია და მოერიდეთ 100 მილიმეტრზე მეტი სიგრძის პარალელური კვალის გამოყენებას, რამაც შეიძლება შეამციროს ჯვარედინი სიგნალი 50%-ზე მეტით.

ის ამცირებს სიგნალის დანაკარგს (დაახლოებით 3dB), ზოგავს ზედაპირულ სივრცეს და ზრდის მარშრუტიზაციის სიმკვრივეს 20%-30%-ით.

დიელექტრული მუდმივის (FR4 დაახლოებით 4.4), ხაზის სიგანისა და დიელექტრიკის სისქის მიხედვით დამახასიათებელი წინაღობის გამოსათვლელად გამოიყენეთ SI9000-ის მსგავსი ინსტრუმენტები.

იზოლაციისთვის გამოიყენეთ მინიმუმ 0.1 მმ დიელექტრიკული ფენა და კვების ფენის გაყოფისას მოერიდეთ გაყოფილ არეალზე გატარებას.

მაღალი სიხშირის მასალები, როგორიცაა Rogers 4350B (Dk=3.66, Df=0.004) და Isola FR408HR (Dk=3.8, Df=0.007).

დაბალი დიელექტრული მუდმივა (Dk) ამცირებს გადაცემის შეფერხებას, ხოლო დაბალი დიელექტრული დანაკარგის ტანგენსი (Df) ამცირებს სიგნალის შესუსტებას (დანაკარგის შემცირება 0.5 დბ-ით 10 გჰც-ზე).

როგორც წესი, მაღალ ტემპერატურაზე განზომილებიანი სტაბილურობის უზრუნველსაყოფად, ტყვიის გარეშე შედუღებისთვის საჭიროა Tg≥150℃, ხოლო Tg≥170℃.

წყლის შთანთქმა გამოიწვევს Dk მნიშვნელობის ზრდას (დაახლოებით 5%), რაც გაზრდის სიგნალის გადაცემის დაყოვნებას. უნდა შეირჩეს მასალები, რომელთა წყლის შთანთქმის მაჩვენებელი

ის უნდა შეესაბამებოდეს ჩიპის CTE-ს (დაახლოებით 6-10 ppm/℃), რათა თავიდან იქნას აცილებული თერმული სტრესით გამოწვეული შედუღების შეერთების ბზარები.

მაღალი სიხშირის აპლიკაციებისთვის, სიგნალის დანაკარგის შესამცირებლად აირჩიეთ RTF (უკუდამუშავებული) სპილენძის ფოლგა ზედაპირის უხეშობით Ra

ხანძარსაწინააღმდეგო უსაფრთხოების უზრუნველსაყოფად, ის უნდა შეესაბამებოდეს UL94 V-0 სტანდარტს.

როდესაც ტემპერატურა ±20℃-ით იცვლება, Dk რყევა

დაბალი დანაკარგების მქონე მასალებს მაღალი ფასი აქვთ. სიგნალის სიხშირის მიხედვით შეარჩიეთ შესაბამისი მასალები (მაგალითად, გაუმჯობესებული FR4 10 გჰც-ზე ნაკლები სიხშირისთვის).

მას უნდა გაუძლოს ქიმიკატებს, როგორიცაა ამორტიზატორები და შედუღების ფლუსები, რომელთა კოროზიის სიჩქარე

ბურღვა → მოოქროვა → ნიმუშის გადატანა → გრავირება → შედუღების ნიღაბი → ზედაპირის დამუშავება (მაგალითად, ჩაძირვით ოქრო, OSP), ±0.05 მმ სიზუსტის კონტროლით.

სიგნალის ფენა ≥18μm და სიმძლავრის ფენა ≥35μm დენის გამტარობისა და სიგნალის მთლიანობის უზრუნველსაყოფად.

გამოიყენეთ ლაზერული პირდაპირი ვიზუალიზაციის (LDI) ტექნოლოგია ±0.02 მმ ხაზის სიგანის ტოლერანტობით და ≥3 გრავირების კოეფიციენტით.

შედუღების ნიღბის სისქე 0.02-0.05 მმ-ია. ზედმეტი სისქე გავლენას მოახდენს წინაღობაზე. რეკომენდებულია ძირითადი სიგნალის ხაზებისთვის ფანჯრების გაღება.

მაღალი სიხშირის სიგნალებისთვის აირჩიეთ ჩაძირვითი ოქრო (Au ფენა 0.05-0.1μm) ან ვერცხლის ზედაპირის დამუშავება

პიკური რეფლუორაციის შედუღების ტემპერატურაა 245-255℃, ხოლო თხევადი ფაზის დრო 60-90s, რათა უზრუნველყოფილი იყოს შედუღების სახსრის IMC ფენის სისქე 1-3μm.

0201 კომპონენტების განლაგების სიზუსტეა ±0.05 მმ, ხოლო QFP მოწყობილობების ქინძისთავების ოფსეტი

ელექტრული მუშაობის უზრუნველსაყოფად გამოიყენეთ წყალზე დამზადებული ან ნახევრადწყლიანი საწმენდი საშუალება

მაღალსიჩქარიანი კვალის დაზიანების თავიდან ასაცილებლად გამოიყენეთ ფრეზირება ან ლაზერული პანელის ჭრა

გამოაცხვეთ 120°C-ზე 2-4 საათის განმავლობაში, რათა დაფამ მოაშოროთ ტენიანობა და თავიდან აიცილოთ დაფის აფეთქება შედუღების დროს.

გამოიყენეთ ქსელის ანალიზატორი (მაგალითად, Keysight N5244B), რომლის სატესტო სიხშირის დიაპაზონი 1-40 გჰც-ია და შეცდომა ±5%.

თვალის დიაგრამის ტესტი (თვალის სიმაღლე ≥80%, თვალის სიგანე ≥70%), S-პარამეტრის ტესტი (S11 -3dB).

BGA შედუღების შეერთებებში შიდა სიცარიელეების (სიცარიელის თანაფარდობა

მას შეუძლია მოკლე ჩართვის, ღია წრედების, კომპონენტების განლაგების გადახრის (სიზუსტე ± 0.02 მმ) და პოლარობის შეცდომების აღმოჩენა.

ელექტრო კავშირების სისწორის უზრუნველსაყოფად, ძირითადი კვანძების ტესტირების დაფარვა ≥95%-ია.

არ საჭიროებს რაიმე სახის მოწყობილობას, მას შეუძლია მაღალი სიმკვრივის დაბეჭდილი დაფების ტესტირება, ხოლო ტესტირების სიჩქარე წუთში 50-100 ქულაა.

მაღალი ტემპერატურა და ტენიანობა (85℃/85% RH, 1000 სთ), თერმული შოკი (-40℃~125℃, 1000 ციკლი).

ტესტის ძაბვაა 500 ვ, ხოლო იზოლაციის წინააღმდეგობაა ≥10 გΩ სიგნალის იზოლაციის უზრუნველსაყოფად.

სატესტო ძაბვაა 1000 ვოლტი 1 წუთის განმავლობაში ავარიის ან გადახურების გარეშე.

ჩაასხით 235℃-იან თუნუქის ღუმელში, დასველების დროით 95%.

მასალის დიდი დანაკარგი, წინაღობის შეუსაბამობა, ძალიან გრძელი ტრასები (შესუსტება იზრდება 2 დბ-ით ყოველ 10 სმ-ზე) და ძალიან ბევრი გამტარი.

ოპტიმიზაცია გაუკეთეთ დაბოლოების რეზისტორებს, დაარეგულირეთ კვალის ტოპოლოგია და შეამცირეთ გამტარი ზოლებისა და კონექტორების რაოდენობა.

დაამატეთ დამცავი ფენა, შეცვალეთ მარშრუტიზაციის მიმართულება და ჩასვით დამიწების ხაზის იზოლაცია, რათა შემცირდეს ჯვარედინი ხმაურის სიხშირე 30%-50%-ით.

გამყოფი კონდენსატორების რაოდენობის გაზრდა (0.1μF+10μF კომბინაცია), კვების ფენის განლაგების ოპტიმიზაცია და კვების წყაროს გზის შემცირება.

გადაჭარბებული თერმული დატვირთვა, CTE-ის შეუსაბამობა, შედუღების ტემპერატურის მრუდის არასწორი ცვლადი და ხელახალი დამუშავების სიჩქარე უნდა იყოს

გამოიყენეთ მფრინავი ზონდის ტესტერი ან მიკროომმეტრი 0.1 მΩ-მდე სიზუსტით და პოზიციონირების ფუნქციით.

მხარს უჭერს მილიმეტრიან ტალღურ სიხშირის დიაპაზონებს (24-40 გჰც), დაბალ დანაკარგს (დანაკარგი

100 გბიტი/წმ+ გადაცემის სიჩქარე, კარგი სიგნალის მთლიანობა და მაღალი სიმკვრივის ურთიერთდაკავშირების (HDI) ტექნოლოგიის მხარდაჭერა.

მრავალი სიმძლავრის ფენა, მაღალსიჩქარიანი უკანა პანელები (დანაკარგი

დიდი მოცულობის მონაცემების დამუშავება (გამტარობა 1 ტბ/წმ+), ჯვარედინი ჩარევისა და შეფერხების კონტროლის საჭიროება, 200 კვალის/სმ²-ზე მეტი გაყვანილობის სიმკვრივით.

სამუშაო ტემპერატურა -40℃~125℃, AEC-Q100 სერტიფიკატის გავლა და 15 წელზე მეტი მომსახურების ვადა.

მსუბუქი დიზაინი (სიმკვრივე 100,000 საათი) და რადიაციული წინააღმდეგობა.

სამედიცინო ელექტროუსაფრთხოების სტანდარტების (IEC 60601) დაცვა, სიგნალის ჩარევის შემთხვევაში

იზოლაციის ფენების დამატება, ეკრანირებული კონექტორების გამოყენება, დამიწების სისტემების ოპტიმიზაცია, ჩარევის საწინააღმდეგო შესაძლებლობების 40%-ით გაუმჯობესებით.

ჩვეულებრივი მასალების (მაგალითად, FR4) გამოყენება, პროცესების გამარტივება და დიზაინის ოპტიმიზაცია, ხარჯების 20%-30%-ით შემცირებით.

ლითონის ბაზაზე დამზადებული PCB-ების ან თერმული გამტარი მასივების გამოყენებით, თერმული წინაღობით 30%-ით შემცირებული და ზედაპირის ტემპერატურით

Ansys HFSS, Cadence Sigrity, ADS, სიმულაციის სიზუსტის შეცდომით

ენერგო ქსელის მოდელის აგება და სიმძლავრის ხმაურის (ტალღური ტალღა

შემავალი სიგნალის აწევის დრო (

ჩარევის წყაროების და მსხვერპლის ხაზების განსაზღვრა, მანძილისა და სიგრძის დაყენება, სიმულაციის შედეგით და გაზომვის შეცდომით

სისტემის მუშაობის შესაფასებლად სიგნალის გადაცემის დანაკარგის (S21) და არეკვლის (S11) ანალიზი.

დროის დომენის ან სიხშირის დომენის სიმულაციის გამოყენებით, ფოკუსირება ხმაურზე 100kHz-100MHz სიხშირის დიაპაზონში.

გამოსხივების ინტენსივობის (

გარემოს ტემპერატურის, სითბოს გაფრქვევის კოეფიციენტის და ენერგომოხმარების დაყენება, თერმული განაწილების შეცდომით

წინაღობის, თვალის დიაგრამების და S-პარამეტრების შედარება და განსხვავებების მიზეზების ანალიზი (მაგალითად, პარაზიტული პარამეტრები და პროცესის შეცდომები).

სიგნალის, სიმძლავრის, თერმული და მექანიკური მახასიათებლების ყოვლისმომცველი ანალიზი, ოპტიმიზირებული დიზაინის ეფექტურობით, რომელიც 40%-ით გაუმჯობესდა.

IPC-6012 (დაბეჭდილი დაფის მუშაობის სპეციფიკაციები), IEEE 802.3 (Ethernet სტანდარტები), JEDEC (შეფუთვის სტანდარტები).

GB/T 4588 (ბეჭდური მიკროსქემის დაფების ზოგადი სპეციფიკაციები), SJ/T 11364 (ელექტრონული საინფორმაციო პროდუქტების დაბინძურების კონტროლი).

მათ შორის წინაღობის კონტროლი, გაყვანილობის წესები, ფენების დასტის დიზაინი, ელექტრომაგნიტური თავსებადობის მოთხოვნები და ა.შ., სპეციფიკაციების სულ 12 ძირითადი კატეგორია.

ხაზის სიგანის ტოლერანტობა ±10%, ხვრელის დიამეტრის ტოლერანტობა ±0.05 მმ, ზედაპირის უხეშობა Ra

RoHS 2.0-ის (6 საშიში ნივთიერების შეზღუდვა) და REACH-ის (224 ნივთიერების კონტროლი) შესაბამისად.

ელექტროუსაფრთხოებისა და ელექტრომაგნიტური თავსებადობის უზრუნველსაყოფად საჭიროა UL, CE, FCC სერთიფიკატების გავლა.

ISO 9001 ხარისხის მართვის სისტემის შესაბამისად, პროცესის შესაძლებლობების ინდექსით CPK ≥1.33.

GJB 362B სტანდარტის (დაბეჭდილი დაფების ზოგადი სპეციფიკაციები) შესაბამისობა, გარემოზე ადაპტირების უფრო მკაცრი მოთხოვნებით.

ISO 13485-ის (სამედიცინო მოწყობილობების ხარისხის მართვის სისტემა) შესაბამისობა, 100%-იანი მიკვლევადობის მოთხოვნებით.

IATF 16949-ის შესაბამისად, პროდუქტის თანმიმდევრულობის კვალიფიკაციის მაჩვენებლით ≥99.5%.

უფრო მაღალი სიხშირეები (ტერაჰერცული სიხშირის დიაპაზონები), უფრო დაბალი დანაკარგები (Df

ხელოვნური ინტელექტი ახდენს გაყვანილობის ოპტიმიზაციას (ეფექტურობა გაიზარდა 60%-ით), პროგნოზირებს სიგნალის მთლიანობის პრობლემებს და ინტელექტუალურად წარმოქმნის დიზაინის წესებს.

რთული სტრუქტურების სწრაფი წარმოების განხორციელება 0.1 მმ სიზუსტით და ხარჯების 30%-ით შემცირებით.