ჩაშენებული PCB

ჩაშენებული PCB არის მიკროსქემის დაფა, რომლის შიდა ფენებში პირდაპირ ჩაშენებულია ელექტრონული კომპონენტები (მაგალითად, ჩიპები, რეზისტორები და კონდენსატორები), რაც ამცირებს ზომას და აუმჯობესებს მუშაობას.

ჩაშენებულ PCB-ებს შეუძლიათ ზოგიერთი კომპონენტის დამალვა სივრცის შემცირებისა და სიგნალის ბილიკების შემოკლების მიზნით; ჩვეულებრივ PCB-ებზე კომპონენტები ძირითადად ზედაპირზეა დამონტაჟებული.

შესაფერისია ზომისა და შესრულების მაღალი მოთხოვნების მქონე სცენარებისთვის, როგორიცაა სმარტფონები, ტარებადი მოწყობილობები, ავტომობილის რადარები და აერონავტიკული აღჭურვილობა.

მოთხოვნების ანალიზი → სქემატური დიზაინი → განლაგების დაგეგმვა (ჩაშენებული კომპონენტების ჩათვლით) → მარშრუტიზაციის დიზაინი (ფოკუსირება სიგნალის მთლიანობაზე) → დიზაინის წესის შემოწმება → დაფის ფაილის გამომავალი.

გაითვალისწინეთ დიელექტრიკული მუდმივა, დანაკარგების კოეფიციენტი და თერმული გაფართოების კოეფიციენტი. მაღალი სიხშირის აპლიკაციებისთვის აირჩიეთ დაბალი დიელექტრიკული მუდმივის და დაბალი დანაკარგების მქონე მასალები; მაღალი თერმული სტაბილურობისთვის აირჩიეთ მასალები დაბალი თერმული გაფართოების კოეფიციენტებით.

კომპონენტების განლაგება ფუნქციური მოდულების მიხედვით სიგნალის ბილიკების შესამცირებლად; სითბოს წარმომქმნელი კომპონენტების გაფანტვა სითბოს გაფრქვევის მიზნით; მგრძნობიარე კომპონენტების ხმაურის წყაროებისგან მოშორებით განთავსება; პროცესის მიზანშეწონილობის განხილვა.

რეზისტორები მზადდება დიელექტრიკულ ფენაზე რეზისტენტული მასალების დამატებით; კონდენსატორები იყენებენ მაღალი დიელექტრიკულ მასალებს, რომლებიც დაფარულია სპილენძის ფოლგაზე ან სუბსტრატებზე; ინდუქტორები მზადდება ფენებს შორის სპირალური ხვეულების მეშვეობით.

უზრუნველყავით საიმედო ელექტრო კავშირები, გაითვალისწინეთ სითბოს გაფრქვევა, ტესტირებადობა და მოვლა-პატრონობა და დაიცავით ჩიპების მწარმოებლების დიზაინის სახელმძღვანელო მითითებები.

ენერგიის მოხმარების მიხედვით დაგეგმეთ კვების და დამიწების ფენები, უზრუნველყავით კვების სიბრტყის მთლიანობა, შეამცირეთ შიდა წინააღმდეგობა და ძაბვის ვარდნა და უზრუნველყავით სტაბილური კვების წყარო.

აკონტროლეთ ტრასის სიგრძე, გონივრულად დააყენეთ ტრასის სიგანე და დაშორება ჯვარედინი საუბრის შესამცირებლად, შეუსაბამეთ მაღალი სიჩქარის სიგნალებს წინაღობა და შეამცირეთ გამტარი პარაზიტული პარამეტრების გავლენა.

მასალებისა და მარშრუტიზაციის დიზაინის მიხედვით, სათანადო დიზაინის შემთხვევაში, მას შეუძლია მიაღწიოს რამდენიმე გბიტ/წმ ან მეტს, მაგალითად, 10 გბიტ/წმ-ზე მეტს მაღალი დონის საკომუნიკაციო მოწყობილობებში.

გამოიყენეთ ფორმულები, როგორიცაა მიკროზოლიანი ხაზის ფორმულა (Z0 = (87/√(εr+1.41))×ln(5.98H/(0.8W+T))) ან ზოლიანი ხაზის ფორმულები, ან გამოთვლებისთვის გამოიყენეთ დიზაინის პროგრამული უზრუნველყოფა.

გავლენას ახდენს მასალის დანაკარგი (დიელექტრიკული/გამტარის დანაკარგი), კვალის სიგრძე, სიგნალის სიხშირე, გამტარი არხების რაოდენობა და წინაღობის შეუსაბამობა.

გამოყავით ანალოგური და ციფრული სქემების განლაგება, დაიცავით მგრძნობიარე სიგნალები, უზრუნველყავით კვების და დამიწების სიბრტყეების მთლიანობა, გამოიყენეთ ფილტრის სქემები და ოპტიმიზაცია გაუკეთეთ ტრასებს მარყუჟის ფართობის შესამცირებლად.

დააყენეთ დიდი დამიწების სიბრტყეები, გაზარდეთ დამიწების გამტარი არხები, შეამცირეთ დამიწების ბილიკები და სიხშირის მიხედვით აირჩიეთ ერთწერტილიანი/მრავალწერტილიანი/ჰიბრიდული დამიწება.

გავლენის შესაფასებლად და ოპტიმიზაციისთვის, სიმულაციური პროგრამული უზრუნველყოფის გამოყენებით გააანალიზეთ ისეთი პარამეტრები, როგორიცაა ელექტრო ქსელის წინაღობა, ძაბვის ვარდნა და დენის განაწილება.

ძლიერი ჩარევის საწინააღმდეგო უნარი, საერთო რეჟიმის ჩარევის ჩახშობა, გადაცემის სიჩქარისა და საიმედოობის გაუმჯობესება და მაღალი სიმკვრივის მარშრუტიზაციის ხელშეწყობა.

შეინარჩუნეთ სიგრძის შესაბამისობა (განსხვავება გადაცემის მანძილის ≤ 10%, რომელიც შეესაბამება სიგნალის აღმავალი კიდეს), ერთგვაროვანი ტრასის სიგანე და დაშორება, მართვის წინაღობა (მაგ., 100Ω) და თავიდან აიცილეთ ჯვარედინი ჩარევა.

გამტარი მილების ზომის მინიმუმამდე დაყვანა, ანტი-ბალიშის გაზრდა, დამიწების გამტარი მილების დამატება მის გარშემო და ასპექტის თანაფარდობის კონტროლი (≤6).

სიგნალის მთლიანობის, სიმძლავრის მთლიანობის და ელექტრომაგნიტური იმპულსების სიმულაციური ანალიზის ჩატარება და პროტოტიპების ტესტირება (მაგ., ქსელის ანალიზატორებისა და ოსცილოსკოპის გამოყენებით).

განისაზღვრება კომპონენტის სიმაღლით, ფენების რაოდენობით, მექანიკური სიმტკიცით და გამოყენების სცენარებით, როგორიცაა 0.5-1.5 მმ მობილური ტელეფონების PCB-ებისთვის და 1.6-3.2 მმ სამრეწველო აღჭურვილობისთვის.

გაითვალისწინეთ სხვა კომპონენტებთან აწყობა, მექანიკური სიმტკიცე, სითბოს გაფრქვევის სივრცე და კომპონენტის ჩასმის გავლენა მექანიკურ მუშაობაზე.

გონივრულად განალაგეთ სითბოს წარმომქმნელი კომპონენტები, დაამატეთ სითბოს გამაფრქვეველი არხები (მაგ., სითბოს ნახვრეტები, სპილენძის ფოლგა), შეარჩიეთ მაღალი თბოგამტარობის მასალები, საჭიროების შემთხვევაში დაამატეთ სითბოს გამაფრქვეველი მოწყობილობები და ოპტიმიზაცია მოახდინეთ თერმული სიმულაციის საშუალებით.

გავრცელებული მეთოდებია ხრახნებით დამაგრება, კლიპებით და შედუღებით დამაგრება, რომლებიც შესაბამისად, მაღალი მოვლა-პატრონობის, მოსახერხებელი მონტაჟისა და მაღალი სტაბილურობის სცენარებისთვისაა შესაფერისი.

მექანიკური სიმტკიცის გაუმჯობესება შესაძლებელია დაფის სისქის გაზრდით ან გამაგრების ელემენტების დამატებით, წონის თანაბრად გადანაწილებით, ბუფერული ეფექტისთვის დარტყმაგამძლე მასალების გამოყენებით და ძირითადი კომპონენტების გამაგრებით.

შეუსაბამეთ მოწყობილობის კორპუსი, მოერიდეთ ბასრ კიდეებს, გაითვალისწინეთ წარმოების პროცესები (მაგ., ჭრა, შტამპვა) და დააპროექტეთ შესაერთებელი სახელმძღვანელო კონსტრუქციები.

განლაგების დროს წაისვით სამმაგი ჰიდროიზოლაციის საღებავი, გამოიყენეთ წყალგაუმტარი შემაერთებლები, ჩაატარეთ ჰერმეტული დამუშავება და მოერიდეთ ძირითადი კომპონენტების წყლის/მტვრისადმი მიდრეკილ ადგილებში განთავსებას.

მაღალმა ტემპერატურამ შეიძლება გამოიწვიოს დაფის გაფართოება და კომპონენტის პარამეტრების რხევა; დაბალმა ტემპერატურამ შეიძლება მასალები მყიფე გახადოს. სამრეწველო დანიშნულების დაბეჭდილი დაფები მუშაობს -40℃~85℃ ტემპერატურაზე, უფრო მკაცრი სამხედრო დანიშნულების მოთხოვნებით.

მექანიკური სტრესის სიმულაციის გამოყენებით გააანალიზეთ დეფორმაცია და დაძაბულობის განაწილება და ჩაატარეთ დარტყმის, ვიბრაციის და გრძელვადიანი დაბერების ტესტები.

სხვადასხვა მასალას განსხვავებული მექანიკური სიმტკიცე და თერმული გაფართოების კოეფიციენტები აქვს. მაგალითად, FR-4-ს აქვს კარგი ყოვლისმომცველი მახასიათებლები, მაგრამ შედარებით მაღალი თერმული გაფართოების კოეფიციენტი, მაშინ როდესაც პოლიიმიდური მასალები უკეთეს თერმულ სტაბილურობას და მექანიკურ სიმტკიცეს გვთავაზობენ.

ჩაშენებული დაბეჭდილი ბეჭდური დაფები კომპონენტების ჩასადგმელად დამატებით პროცესებს მოითხოვს, როგორიცაა შრეთაშორისი სტრუქტურის დამზადება და უფრო ზუსტი ლამინირება, ბურღვისა და მოპირკეთების სიზუსტის უფრო მაღალი მოთხოვნებით.

მათ შორის ლამინირება, მიკრო-გამტარი დამუშავება (დიაფრაგმა ≤50μm), კომპონენტების ჩასმა და ზედაპირული დამუშავება (მაგ., ოქროთი მოპირკეთება, თუნუქის შესხურება).

დიზაინში ზუსტი ტოლერანტობის მითითება, მაღალი სიზუსტის აღჭურვილობის (მაგალითად, CNC საბურღი მანქანების) გამოყენება და თითოეულ პროცედურაში მკაცრი განზომილებების შემოწმება და პროცესის კორექტირება.

ნედლეულის (დაფები, კომპონენტები) შემოწმება, ლამინირების/ბურღვის/მოპირკეთების პარამეტრების მონიტორინგი, რენტგენის და მფრინავი ზონდის ტესტების გამოყენება შიდა კავშირებისა და ელექტრული მახასიათებლების დასადგენად და მზა პროდუქციის სრული შემოწმების ჩატარება.

ლამინირების ბუშტები/დელამინაცია, ბურღვის არასწორი განლაგება/არათანაბარი აპერტურა, კომპონენტების ცუდი კავშირი/მოკლე ჩართვა, ზედაპირის ცუდი დამუშავება, განზომილებების გადახრა და ა.შ.

ლამინირების ტემპერატურის, წნევისა და დროის პარამეტრების ოპტიმიზაცია, დაფების წინასწარი დამუშავება ტენიანობისა და მინარევების მოსაშორებლად და ვაკუუმური ლამინირების გამოყენება ჰაერის გამოსადევნად.

პარამეტრების კონტროლისთვის გამოიყენეთ მაღალი სიზუსტის ბურღვის მოწყობილობა, სპილენძის მოპირკეთების ადჰეზიის გასაუმჯობესებლად ხვრელის კედლებზე მიკროგრავირების ჩასატარებლად და მეტალოგრაფიული კვეთის მეშვეობით ხარისხის დასადგენად.

ჩასმამდე შეამოწმეთ და გამოსცადეთ კომპონენტები, ოპტიმიზაცია გაუკეთეთ ჩასმის პროცესებს მყარი შეერთებების უზრუნველსაყოფად და წარმოების შემდეგ ჩაატარეთ ყოვლისმომცველი ელექტრული ტესტები და საიმედოობის ექსპერიმენტები.

გავლენას ახდენს მასალის ღირებულება (მაღალი ხარისხის მასალები უფრო ძვირია), პროცესის სირთულე (მაგ., მიკრო-ვია, კომპონენტების ჩასმა), წარმოების რაოდენობა და შემოწმების ღირებულება.

გამოიკვლიეთ ტექნიკური სიძლიერე (აღჭურვილობა, პროცესები), ხარისხის კონტროლის სისტემები, წარმოების შემთხვევები, მომხმარებელთა მიმოხილვები, შეთავაზებები და მიწოდების ვადები.

მათ შორის ვიზუალური შემოწმება, ელექტრული ტესტირება (მულტიმეტრი, ოსცილოსკოპი, ქსელის ანალიზატორი), ფუნქციური ტესტირება, რენტგენის შემოწმება, მფრინავი ზონდის ტესტირება და ა.შ.

გამოიყენეთ საინფორმაციო-საკომუნიკაციო ტექნოლოგიების მოწყობილობის „ლურსმნების საწოლი“ სატესტო წერტილებთან დასაკავშირებლად და კომპონენტის ელექტრული პარამეტრების, მოკლე ჩართვის, ღია წრედების, პარამეტრების გადახრების და ა.შ. აღმოსაჩენად. სატესტო წერტილები დიზაინში უნდა იყოს დაჯავშნილი.

მოახდინეთ რეალური სამუშაო გარემოს სიმულირება, ფუნქციების ყოვლისმომცველი ტესტირება, ძირითადიდან რთულ ტესტებამდე თანმიმდევრობის დაცვა და ანომალიების ჩაწერა და ანალიზი.

JTAG ინტერფეისის გამოყენებით შეგიძლიათ მართოთ ჩიპის შიდა საზღვრების სკანირების უჯრები, აღმოაჩინოთ პინების მდგომარეობები და ჩიპებს შორის კავშირები, ასევე დაადგინოთ ღია და მოკლე ჩართვის ხარვეზები.

თავდაპირველად დააკვირდით მის გარეგნობას (დამწვარი კომპონენტები, დაბზარული შედუღების შეერთებები), შემდეგ ჩაატარეთ ელექტრული ტესტები გაუმართაობის დიაპაზონის შესამცირებლად, გააანალიზეთ შესაძლო კავშირები სქემატური ნახაზიზე და გამოიყენეთ ჩანაცვლების მეთოდი გაუმართაობის წერტილის დასადგენად.

შედარებით მაღალია, რადგან კომპონენტები შიდა ფენებშია განთავსებული. საჭიროა ზედა ფენების ფრთხილად მოხსნა ხარვეზის წერტილის გამოსავლენად, ხელახლა ლამინირება მთლიანობის აღსადგენად ტექნიკური მომსახურების შემდეგ და სხვა წრედებზე ზემოქმედების თავიდან აცილება.

გამოიყენეთ მაღალი სიზუსტის ხელსაწყოები, როგორიცაა მიკროწერტილოვანი შედუღების მოწყობილობა და ზუსტი პინცეტი. წინასწარ დაგეგმეთ ტექნიკური მომსახურების სქემა და ტემპერატურის კონტროლისთვის გამოიყენეთ ლოკალიზებული გათბობა.

ელექტრო ტესტების (სიგნალის მთლიანობა, დენის მთლიანობა), ფუნქციური ტესტების და საიმედოობის ტესტების (დაბერება, ვიბრაცია) ჩატარება.

შეიმუშავეთ ტესტირების გეგმები, გაუმართაობის დიაგნოსტიკის პროცედურები, ტექნიკური მომსახურების სპეციფიკაციები და ხარისხის შემოწმების პროცესები.

ტესტირების მოწყობილობა: მულტიმეტრი, ოსცილოსკოპი, ქსელის ანალიზატორი და ა.შ. ტექნიკური მომსახურების მოწყობილობა: მიკროწერტილოვანი შედუღების მოწყობილობა, ცხელი ჰაერის პისტოლეტი და ა.შ.

გაითვალისწინეთ წინააღმდეგობის სიზუსტე, სიმძლავრის ნომინალური მაჩვენებელი და ტემპერატურის კოეფიციენტი. შეარჩიეთ რეზისტორები წრედის მოთხოვნების მიხედვით.

გამოიყენება ფილტრაციისთვის, განცალკევებისთვის, ენერგიის შესანახად, სიგნალის შეერთებისთვის და ა.შ.

განსაზღვრეთ სამუშაო სიხშირის, ინდუქციურობისა და დენის სიმძლავრის მიხედვით. სიმძლავრის ფილტრაციისთვის გაითვალისწინეთ ტალღური და დატვირთვის დენი.

გაითვალისწინეთ შესრულება, ენერგომოხმარება, პაკეტის ტიპი, საიმედოობა და მწარმოებლის მხარდაჭერა.

დიზაინის დროს შეადარეთ ელექტრული პარამეტრები და ფიზიკური ზომები. შეარჩიეთ კომპონენტები, რომლებიც თავსებადია დაფის მასალებთან და პროცესებთან და ჩაატარეთ სიმულაციური დადასტურება.

პასიური კომპონენტების შემთხვევაში, ცივი შედუღების თავიდან ასაცილებლად, აკონტროლეთ ტემპერატურა და დრო. აქტიური კომპონენტების შემთხვევაში, საიმედო შეერთებების უზრუნველსაყოფად და თერმული დაზიანების თავიდან ასაცილებლად, გამოიყენეთ მაღალი სიზუსტის აღჭურვილობა (მაგ., რეფლუო შედუღება).

შეაფასეთ სიცოცხლის ხანგრძლივობა დაჩქარებული დაბერების ტესტების, მწარმოებლის მონაცემებისა და ფაქტობრივი გაუმართაობის მონაცემების გრძელვადიანი მონიტორინგის მეშვეობით.

წინაღობა: მნიშვნელობის დრიფტი/გახსნილი წრედი. კონდენსატორი: გაჟონვა/მოკლე ჩართვა. ინდუქტორი: ინდუქციის ცვლილება/მოკლე ჩართვა. ჩიპი: ფუნქციური გაუმართაობა/პინტების გაუმართაობა.

შეინახეთ კატეგორიის მიხედვით, ტენიანობისა და ESD-სგან დაცვით. შეინარჩუნეთ ინვენტარიზაციის სისტემა ინფორმაციის აღრიცხვის, რეგულარული სინჯების აღების და მარაგების დონის გონივრული კონტროლისთვის.

გაზარდეთ კვალის დაშორება (≥3×სიგანე), გამოიყენეთ მიწის იზოლაცია, ოპტიმიზაცია გაუკეთეთ მარშრუტიზაციის ტოპოლოგიას და შეუსაბამეთ წინაღობა.

პარაზიტული პარამეტრების შეტანა, რამაც შესაძლოა მაღალ სიხშირეებზე დანაკარგები და შეფერხება გამოიწვიოს. 10 გჰც-ზე მეტი სიხშირის სიგნალებისთვის განკუთვნილი ვია-არხების დიამეტრი

დაამატეთ ESD დამცავი მოწყობილობები (მაგ., TVS დიოდები), დააყენეთ ESD განმუხტვის ბილიკები და შეინახეთ გასაღების სიგნალის კვალი დაფის კიდეებიდან ≥2 მმ-ის დაშორებით.

შიდა შედუღების შეერთებების შესამოწმებლად გამოიყენეთ რენტგენი. შეერთების სიმაღლე უნდა იყოს 0.4-0.6 მმ, სიცარიელის კოეფიციენტით ≤15%.

ENIG მაღალი სიხშირის და ზუსტი შედუღებისთვის. OSP დაბალი ფასისთვის (მოქმედების ვადა 6-8 თვე). ჩასაძირი თუნუქი ტალღური შედუღებისთვის.

სწორად განალაგეთ დამცავი საფარი

გამტარი ხვრელების დიამეტრი 0.3-0.5 მმ, დაშორება ≤1 მმ, ≥100 გამტარი ხვრელი/სმ² სითბოს გაფრქვევის ეფექტურობის უზრუნველსაყოფად.

DDR4 მონაცემთა ხაზები: სიგრძის ტოლერანტობა ±5 მილი. PCIe დიფერენციალური წყვილები: ±2 მილი.

დაამატეთ გამყოფი კონდენსატორები (0.1μF მაღალი სიხშირისთვის, 10μF დაბალი სიხშირისთვის). შეინარჩუნეთ სიმძლავრის/მიწის ფენების დაშორება

IPC სტანდარტი: ≤0.7% ტყვიის გარეშე პროცესებისთვის, ≤0.5% BGA უბნებში.

გამოიყენეთ დინამიური ძაბვის მასშტაბირება, გამორთეთ უმოქმედო მოდულები და აირჩიეთ დაბალი IQ ჩიპები (მაგ., TI MSP430 სერია).

სიგნალის დანაკარგის და პარაზიტული პარამეტრების შემცირება, მარშრუტიზაციის სიმკვრივის გაზრდა. ღირებულება 20%-30%-ით მეტია, ვიდრე გამჭოლი ხვრელების მქონე ვილები.

მინიმალური კვალის სიგანის/დაშორების (≥6 მილი), ასპექტის თანაფარდობის (≤8:1) და ა.შ. შესამოწმებლად გამოიყენეთ CAM350 ან Altium DFM ინსტრუმენტები.

გავრცელებული მეთოდები: სამმაგი დამცავი საღებავი (0.1-0.3 მმ სისქის), ნანო-დაფარვა (

BGA-ს მარშრუტიზაციის წნევის შესამცირებლად გამოიყენეთ ვენტილატორისებური დიზაინი. 4-ფენიანი დაფები აკმაყოფილებს ჩვეულებრივი საჭიროებების 80%-ს; მაღალსიჩქარიანი კონსტრუქციებისთვის ≥6 ფენა.

შეამოწმეთ საფენის სისუფთავე, შედუღების პასტის სისქე (0.12-0.15 მმ) და ხელახალი ნაკადის ტემპერატურა (პიკი 235-245℃).

გამოიყენეთ 500 ვოლტიანი მეგაომმეტრი. იზოლაციის წინაღობა უნდა იყოს ≥100 MΩ ≤60% ტენიანობის დროს.

გამოიყენეთ დაბოლოების რეზისტორები (მაგ., DDR ODT ფუნქცია) და წინაღობის კონუსური რეგულირება. დარწმუნდით, რომ წინაღობის ვარიაცია

1 უნცია სპილენძი (35μm): ~1A/მმ კვალის სიგანე. 2 უნცია: ~1.5A/მმ (ტემპერატურის მატება

შავი ხელს უწყობს სითბოს გაფრქვევას, მაგრამ მისი შემოწმება რთულია. მწვანე ფერი ყველაზე გავრცელებულია. თეთრ ფერს აქვს მაღალი არეკვლის კოეფიციენტი (≈80%).

ტიპიური დიამეტრი: 0.4-0.8 მმ. დახრილობა: 0.5-1.0 მმ. 0.5 მმ დახრისთვის საჭიროა 0201 კომპონენტები.

გამოიყენეთ სიმულაციური პროგრამული უზრუნველყოფა, როგორიცაა ANSYS, CTE-ს სხვაობებზე დაყრდნობით (მაგ., FR-4 15ppm/℃, სპილენძი 17ppm/℃).

გამოიყენეთ მრავალსაფეხურიანი ფილტრაცია (π-ტიპის სქემები). დენის ტრასების სიგანე ≥20 მილიმეტრია ტრაექტორიის წინაღობის შესამცირებლად.

დიამეტრი ≥0.6 მმ, დაშორება ≥1.27 მმ. ზედაპირის დამუშავება ENIG, შედუღების ნიღბის გარეშე.

ცალმხრივი სიგნალის მარყუჟის ფართობი

წინაღობის, მართვის ტოლერანტობის ±10%-ის გამოსათვლელად გამოიყენეთ SI9000. გამოიყენეთ შეწყვეტის შესაბამისობა და ტოპოლოგიის ოპტიმიზაცია.

კონტური: ±0.1 მმ. ნახვრეტის დიამეტრი: ±0.05 მმ. V-ფორმის ჭრის სიღრმე: დაფის სისქის 1/3-2/3.

გამოიყენეთ სიგრძის შესაბამისი სერპენტინისებრი ტრასები მიწის დამცავით. მოარიდეთ მაღალსიჩქარიან მონაცემთა ხაზებს და მოერიდეთ ფენების გადაკვეთას.

ჩაატარეთ დაჩქარებული დაბერების ტესტები (85℃/85%RH, 1000 სთ) და ვიბრაციის ტესტები (5-500Hz, 2G აჩქარება).

ბალიშის ზომა კომპონენტის კაბელებზე 0.1-0.2 მმ-ით დიდია. SMD ბალიშის სიგანე 1.2-1.5× კაბელის სიგანე.

გაზარდეთ თერმული სპილენძის ფართობი, გამოიყენეთ თერმული წებოვანი ნივთიერება (≥1W/mK) და გახსენით თერმული გამტარი ხვრელები კვების კომპონენტების ქვეშ.

IEC 61000-4-2 სტანდარტის მიხედვით: კონტაქტური განმუხტვა ±8 კვ, ჰაერის განმუხტვა ±15 კვ, ნორმალური ფუნქციონალურობით.

ტიპიური სისქე 15-25 მკმ. სრულად უნდა ფარავდეს სპილენძს, რათა თავიდან იქნას აცილებული მოკლე ჩართვა სპილენძის მოხვედრიდან.

ინტერაქტიული და ავტომატური მარშრუტიზაციის შერწყმა. მარშრუტიზაციის პრიორიტეტების დაყენება, კრიტიკული სიგნალების პირველ რიგში მარშრუტიზაციით.

წინასწარი გაცხელება: 120-150℃ (60-90 წმ). ხელახალი ნაკადი: 217-230℃ (40-60 წმ). გაგრილების სიჩქარე: 3-6℃/წმ.

ერთპუნქტიანი ან მრავალპუნქტიანი დამიწება. მრავალპუნქტიანი დამიწება მაღალი სიხშირის წრედებისთვის (>10MHz), დამიწების წინაღობით

გაითვალისწინეთ დენის სიმძლავრე, კონტაქტური წინააღმდეგობა (

შედუღების შეერთებების დაკვირვება მეტალოგრაფიული ჭრილის (მეტალოგრაფიული კვეთა) მეშვეობით, ზედაპირული დეფექტების აღმოჩენა AOI-ის გამოყენებით, ელემენტის შემადგენლობის ანალიზი რენტგენის რადიოსიხშირული ტომოგრაფიის გამოყენებით.

დაშორება 5 მილი, წინაღობა 100±10Ω, სიგრძის სხვაობა