SOIC, QFP, QFN, BGA, uBGA, CGA, LGA, CSP

±0,05 мм эчендә генә кечкенә көйләү рөхсәт ителә. Көчләп урнаштыру аркасында энә ватылмасын өчен, артык тайпылышлы компонентларны тәэмин итүчегә кире кайтарырга кирәк.

"Үзәк терәк + ике очлы кысу" режимын кулланыгыз. Бердәй көчәнеш тәэмин итү өчен, җыю һәм урнаштыру машинасы форсункасы бер үк вакытта компонентның уртасына һәм ике очына да тиеп торырга тиеш.

Паяль пастасының туплануына юл куймау өчен, калынлыкны 60–90 мкм га кадәр киметергә кирәк. Электроформаланган трафарет куллану киңәш ителә.

Яңартып ябыштыру алдыннан бераз көйләү (≤0,1 мм күчерү) рөхсәт ителә, ләкин подшипникны пычратмас өчен, аны флюска манылган пинцет белән ныгытырга кирәк.

Аскы паяльник тоташуларын визуаль рәвештә тикшереп булмагач, паяльниктан соң паяльник куллану киңәш ителми. Компонентны алып куярга һәм паяльник пастасын яңадан бастырып чыгарырга кирәк.

Компонентның ике очындагы да паяль пастасы күләме аермасы ≤3% булуын тәэмин итегез һәм тигез булмаган җылылык көчәнешен киметү өчен яңадан агучы паяльнең җылыту тизлеген ≤1,5℃/с кадәр киметегез.

Аны куллану тәкъдим ителми, чөнки ул паяль шарларының өслек каплавына зыян китерергә мөмкин. Чылаучанлыкны яхшырту өчен махсус флюс (мәсәлән, чиста булмаган төр) кулланырга кирәк.

Басым астында пышкы шарларының деформациясен булдырмас өчен, урнаштыру басымын 0,05–0,1 Н кадәр киметегез һәм насадканы чыгару вакытын (0,2–0,5 с) кичектерегез.

Вакуум дәрәҗәсе ≥ - 80 кПа булырга тиеш, бу кечкенә компонентларның тотрыклы адсорбциясен тәэмин итү өчен кирәк. Шул ук вакытта агып чыгуны ачыклау өчен сенсор да урнаштырылырга тиеш.

Әгәр югалган паяль шарлары саны ≤5% булса һәм алар мөһим булмаган штифтлар булса, лазер белән ремонтлау һәм шар тутыру кулланылырга мөмкин; югыйсә, тактаны калдыклардан чистартырга кирәк.

Керамик төргәкләр дымны сеңдерүгә бирешүчән. Эчке киеренкелекне бетерү һәм дымлылыкны 0,1% тан кимрәк киметү өчен аларны 150°C температурада 8 сәгать пешерергә кирәк.

CTE аермасы > 10 × 10⁻⁶/℃ булганда, рефлекторлы паяулаудан соң паяу тоташуының ярылуын киметү өчен әкрен суыту процессын өстәргә кирәк (тизлеге ≤1℃/с).

Юк. LGA колодкаларында паяльник шарлары булмаганлыктан, басымның тигез урнашуын тәэмин итү өчен басым датчигы булган яссы насадка кирәк.

Алтын белән капланган катлам ≥3 мкм, ә никель белән капланган катлам ≥5 мкм булырга тиеш. Югыйсә, артык контакт каршылыгы сигналның сүнүенә яки җылылык өзелүенә китерергә мөмкин.

Насадка үзәге компонентның авырлык үзәге белән туры килергә тиеш (тайпылыш ≤0,01 мм), һәм җыю-кую машинасының компонент торышын ачыклау функциясе эшләтеп җибәрелгән булырга тиеш.

Субстрат бөгелү сәбәпле компонентларның урыныннан күчүен булдырмас өчен, эластик терәк штифтлары (яр катылыгы 60–70) кирәк.

Линза таплары >0,02 мм сым тану хатасына китерәчәк. Аны атнага бер тапкыр этанол белән чистартырга кирәк.

Плитка тоташу чигендәге деламинацияне ачыклау өчен SAM (Сканерлаучы Акустик Микроскопия) кулланыла. Деламинация мәйданы пластина мәйданының ≤10% тәшкил итәргә тиеш.

Флип чиплары паяль шарларының һәм төерләрнең тигезләнешен төгәл контрольдә тотуны таләп итә (төгәллек ≤±0,002 мм), һәм астын тутыру процессын кулланырга кирәк.

Ул паяль-пастасыз эретеп ябыштыруны гамәлгә ашыра ала, паяль тоташуының бушлык дәрәҗәсе

Ул механик насадкалар кулланмыйча, компонентларны турыдан-туры эшкәртү өчен лазер нурларын куллана (төгәллек ≤±0,001 мм) һәм нанокүләмле төргәкләү өчен яраклы.

Ул урнаштыру процессын реаль вакыт режимында симуляцияли, компонентларның көчәнеш бүленешен фаразлый һәм паяльник тоташуының ватылу куркынычын киметү өчен параметрларны алдан оптимальләштерә ала.

Җирле һава суыту җайланмаларын өстәгез (температура 23±2℃ температурада контрольдә тотыла), һәм шул ук вакытта, паяль шарының оксидлашуын көчәйтмәс өчен, ачылганнан соң компонентларның экспозиция вакытын кыскартыгыз (≤30 минут).

1) ПХДны 120°C температурада 4 сәгать пешерергә кирәк, аннары ябыштыргыч пастасын бастырырга кирәк; 2) Компонентлар ачылганнан соң шунда ук җитештерүгә кертелергә тиеш, ә җиһазда дымны киметкеч (RH≤40%) урнаштырылырга тиеш.

Калдык паяльне паяльдән чистарту өчен үрелгән пыяла белән чистартырга кирәк, ә өслекнең Ra тигезсезлеге ≤1,6 мкм булуын тәэмин итү өчен плазма чистарту ярдәмендә оксидларны бетерергә кирәк.