Микропористый ПХБ

Югары тыгызлыктагы тоташтыру өчен кулланыла торган, тишек диаметры 0,15 мм дан кечерәк булган (сәнәгатьтә гадәттә 0,1 мм стандарт буларак кулланыла) лазер яки плазма белән эшкәртү технологиясе ярдәмендә җитештерелгән басма схема платасы (PCB).

Тишек диаметры гадәти PCB'ларныкыннан 50% тан артык кечерәк, линия киңлеге/аралыгы 30μm/30μm га җитә ала, электр үткәргечләренең тыгызлыгы 2-3 тапкыр арта, һәм ул югары ешлыклы һәм югары тизлекле сигнал тапшыру өчен яраклы.

Процесс буенча, алар "сукыр" (берьяклы үткәрүчәнлек), "күмелгән" (эчке үткәрүчәнлек) һәм "бөтен такта аша" дип бүленә. Гадәти "сукыр" аша диаметр диапазоны 50-100 мкм.

Югары тыгызлыктагы интеграция сценарийларында киң кулланыла, мәсәлән, смартфоннар (60% тан артык), 5G база станцияләре, сервер ана платалары һәм ясалма интеллект чип төргәкләре.

Ул 1990-нчы елларда лазер бораулау технологиясе өлгергәннән соң барлыкка килде. Хәзерге төп процесс 30 мкм тишек диаметрына ирешә ала, ә минималь тишек диаметры рекорды 15 мкм.

Сәнәгать массасы җитештерү өчен минималь тишек диаметры 50 мкм га җитәргә мөмкин, ә лаборатория чикләре 15 мкм, ләкин бәя тишек диаметры кимү белән экспоненциаль рәвештә арта.

Гадәттә, аспект нисбәте 1:1 дән артмый, ә махсус процесслар 1:0,8 гә җитәргә мөмкин. Артык югары аспект нисбәте начар электрокаплау тутыруына китерергә мөмкин.

Электролитсыз бакыр каплау катламының бөтенлеген тәэмин итү һәм кыска ялганыш куркынычын киметү өчен тәкъдим ителгән минималь ара ≥80 мкм тәшкил итә.

Сигнал тапшыру сыйфатын тәэмин итү өчен, катламара диэлектрик калынлыгын 50-75 мкм эчендә контрольдә тотып, үзәк такталарны һәм препрегларны чиратлаштырып өю тәкъдим ителә.

Тишекнең паразит сыйдырышлыгына (типик кыйммәт

BGA җилләткеч чыгару өчен, пыяла аша ясалган конструкция өстенлекле. Һәр такта 1-2 микровиага туры килә, һәм җилләткеч чыгару сызыгы киңлеге 40 мкм дан ким түгел.

Яссылыклар арасындагы импедансны киметү өчен, электр/җир яссылыклары арасында ≤5 мм ара калдырып, микровиалар аша күп нокталы тоташуны гамәлгә ашырыгыз.

Җылылык үткәрүчәнлегенең нәтиҗәлелеген арттыру өчен, тишек диаметры ≥80 мкм булган җылылык тарату юлларының тыгызлыгын арттырыгыз (≥10 юл/см² тәкъдим ителә).

Паяпкыч маскасының тишекне каплавын булдырмас өчен, паяпкыч маскасының тишеге ике яктагы тишек диаметрыннан 20-30 мкм зуррак булырга тиеш.

Электр үткәргеч катламнары санын арттыру өчен җыю процессын кулланыгыз, һәм электр үткәргечләренең тыгызлыгын 30% тан артыкка арттырырга мөмкин булган аркылы үткәргечләр урынына сукыр һәм күмелгән үткәргечләр кулланыгыз.

Лазер белән бораулау (CO₂, UV лазер), плазма белән эшкәртү һәм механик бораулау (зуррак диаметрлы тишекләр өчен генә яраклы) кертелгән, лазер белән бораулау 80% тан артык тәшкил итә.

CO₂ лазеры 0,075-0,15 мм диаметрлы тишекләр өчен арзан бәягә яраклы; УВ лазеры

CO₂ лазерының бораулау тизлеге минутына якынча 5000-10000 тишек, ә УФ лазерыныкы минутына якынча 2000-5000 тишек.

Лазер бораулауның позицияләү төгәллеге ±25 мкм, механик бораулауныкы ±50 мкм, ә УВ лазеры ±15 мкм югары төгәллеккә ирешә ала.

Азот ярдәмендә лазер бораулау тишек биеклеген 5 мкм эчендә контрольдә тота ала, яисә плазмалы дезмеаринг кулланылырга мөмкин.

Тишек аша электрокаплау процессы таләп ителә, бакыр каплау калынлыгы 25-35 мкм эчендә контрольдә тотыла, ә тишектәге бакыр калынлыгы ≥85% тәшкил итә.

Үткәргеч нигез булдыру өчен изоляция тишеге диварына 0,3-0,5 мкм бакыр катламы салыгыз. Активлаштыру эремәсендә палладий ионнары концентрациясен 2-5 ppm контрольдә тотарга кирәк.

Ламинация температурасы 180-210℃, басым 300-500psi, ә җылыту тизлеге 1-2℃/минут тәшкил итә, бу диэлектрик катламның тигез катыруын тәэмин итә.

Вакуум дәрәҗәсе -95 кПа дан түбән булырга тиеш. Ламинацияләү алдыннан препрегны B-стадиясенә кадәр алдан киметегез, шуның белән күбек дефектлары күрсәткечен 0,5% тан да кимрәк киметергә мөмкин.

Еш очрый торганнарына иммерсия алтыны (калынлыгы 0,05-0,1 мкм), OSP (пленка калынлыгы 0,2-0,5 мкм) һәм иммерсия көмеше (0,1-0,3 мкм) керә. Иммерсия алтыны иң югары ышанычлылыкка ия.

Буяуның ябышлыгын 80-120Па・с дәрәҗәсендә контрольдә тотарга һәм тишекләрдә буяу калдыклары калмасын өчен вакуум белән тыгып кую процессын кулланырга кирәк, тишекләрне тыгып кую дәрәҗәсе ≤1%.

Лазер белән кисү форма төгәллеге таләбе

Шул исәптән тупас тишек стеналары (Ra >1,5 мкм тупаслыгы), тишекләрдәге бушлыклар (бушлык нисбәте >5%), тишек тайпылышы (>±30 мкм) һ.б.

Плазма чистарту бораулау калдыкларын бетерү өчен кулланыла, шуңа күрә тишек диварының өслек тигезсезлеге Ra ≤1,0 мкм.

Өлгергән үсемлекләрдә гомуми уңыш якынча 85-92% тәшкил итә. Тишек диаметры кечерәк булган саен, уңыш түбәнрәк була. 50 мкм микровияләрнең уңышы якынча 80% тәшкил итә.

FR-4 (диэлектрик даими 4.2-4.5), югары тизлекле такталар (мәсәлән, Rogers 4350B, Dk=3.66), BT сумаласы һ.б. кертелгән.

Югары тизлекле платаларның югалту тангенсы түбәнрәк (Df

Катламнар арасындагы бәйләнеш өчен кулланыла, ламинациядән соң диэлектрикның тигезлеген тәэмин итү өчен җилем күләме 40-50% һәм сыеклык 20-30% контрольдә тотыла.

Эчке катлам өчен 18 мкм яки 35 мкм бакыр фольга тәкъдим ителә. Тышкы катлам өчен сигнал югалтуларын киметү өчен 18 мкм кулланырга мөмкин. HDI такталарында еш кына 9 мкм ультра-нечкә бакыр фольга кулланыла.

Ул температурага чыдам булырга тиеш (260℃/10s температурада кабык чыкмый), изоляциягә чыдамлыкка (>10^12Ω) һәм ябышуга (кисеш сынау дәрәҗәсе 0) туры килергә тиеш.

Сигнал тапшыру югалтуларын киметү өчен Ra

Диэлектрик даимилеге түбән (Dk

Алар RoHS 2.0 директивасына туры килергә тиеш, галоген күләме (хлор + бром)

FR-4 төп материалы иң түбән бәягә ия. Югары тизлекле такталар FR-4 белән чагыштырганда 3-5 тапкыр кыйммәтрәк, ә BT сумаласы алар арасында.

Төп материал 25°C тан түбән температурада һәм дымлылык

Визуаль тикшерү, тишек диаметрын үлчәү, тишекнең бакыр калынлыгын сынау, импеданс сынауы һәм кисемтә анализын үз эченә ала.

Ике үлчәмле сурәт үлчәү коралы (төгәллеге ±1μm) яки сканерлаучы электрон микроскоп (SEM) кулланыгыз. Партияләрне ачыклау өчен автоматик оптик тикшерү (AOI) кулланылырга мөмкин.

IPC стандартлары тишектәге бакыр калынлыгының ≥20μm булуын, ә уртача бакыр калынлыгының минималь бакыр калынлыгына нисбәтенең металлографик кисемтә ысулы белән ачыкланган ≤1,5 ​​булуын таләп итә.

1-10 ГГц сынау ешлыгы диапазоны булган челтәр анализаторын кулланыгыз, һәм импеданс тайпылышы ±10% эчендә контрольдә тотылырга тиеш.

Ул тишек стенасының сыйфатын, бакыр катламының калынлыгын һәм катламнар арасындагы бәйләнеш торышын ±5 мкм кисү төгәллеге белән визуаль рәвештә күзәтә ала.

Термик стресс сынауын (260℃/10 тапкыр), чыдамлык көчәнеше сынауын (500V DC/1 минут) һәм температура-дымлылык циклы сынауын (-40℃~85℃) үз эченә ала.

Термик шок сынауыннан соң тишек стенасы ярылганмы-юкмы икәнен күзәтегез (288℃/10 тапкыр), һәм ярык озынлыгы

Микроструктураны күзәтү өчен SEM, элементлар составын ачыклау өчен энергия дисперсиясе спектроскопиясен (ЭДС) һәм эчке кимчелекләрне ачыклау өчен рентген нурларын кулланыгыз.

Тишекләрдәге бушлыкларны киметү, паяльник битлеге катламының ябышуын көчәйтү һәм әйләнә-тирә мохит факторлары аркасында электрохимик миграцияне булдырмау өчен электрокаплау процессын оптимальләштерегез.

Гадәти куллану шартларында ул 5-10 елга кадәр хезмәт итә ала, ә каты мохит (югары температура, югары дымлылык) аны 2-3 елга кадәр кыскартачак.

SMT ябыштыру, BGA эретеп ябыштыру һәм компонентларны кертүне үз эченә ала, SMT ябыштыру төгәллеге ±50μm таләп итә.

Микроприцларның компонентлары җимерелмәсен өчен, ябыштыру басымын 0,5-1,0 кг/см² дәрәҗәсендә контрольдә тотарга кирәк, һәм яңадан агу миченең иң югары температурасы 230-245 ℃ тәшкил итә.

Паяу шарларының бер тигезлеген (

Паяль пастасы бастыру калынлыгын оптимальләштерегез (100-120 мкм), азот белән сакланган рефлекслы паяль кулланыгыз, һәм кислород күләме

Тишек стенасындагы бакыр катламы кабырылып төшмәсен өчен, эшкәртү температурасы 260 ℃ тан түбәнрәк булырга тиеш, һәм вакыт

Тишек диаметры ≥0,3 мм булган, икеләтә дулкынлы паяулау яки сайлап дулкынлы паяулау таләп итә торган, паяулау дулкыны биеклеге 25-35 мм булган микровияләр өчен яраклы.

Эрү температурасы 217℃, агым активлыгы дәрәҗәсе RMA һәм калдык изоляциясенә каршылыгы >10^10Ω булган кургашсыз паяль пастасына (SnAgCu эретмәсе) өстенлек бирегез.

Паяу пастасында металл күләмен 90-92% ка кадәр киметегез, трафарет ачылу дизайнын оптимальләштерегез, һәм паяу мончагы җитешсезлеге күрсәткечен 0,1% тан да кимрәккә кадәр киметергә мөмкин.

Калдык ион концентрациясе

Детекторлау төгәллеген ±25μm итеп, ә контраст бусагасын 30-50% итеп куегыз, бу җыю җитешсезлекләренең 95% тан артыгын ачыклый ала.

Материал чыгымнары 40-50%, эшкәртү чыгымнары 30-40%, ә тикшерү һәм төргәкләү чыгымнары 10-20% тәшкил итә.

Тишек диаметры, катламнар саны, өслек эшкәртү процессы, материал төре. Тишекнең минималь диаметрын һәр 10 мкм киметү чыгымнарны 15-20% ка арттыра.

Катламнар санын киметү, стандартлаштырылган материаллар куллану һәм җитештерү партияләрен арттыру өчен дизайнны оптимальләштерегез, бу чыгымнарны 10-30% ка киметергә мөмкин.

Гадәти процесслар өчен җитештерү циклы 7-10 көн, ә ашыгыч заказларны 3-5 көнгә кадәр кыскартырга мөмкин, ләкин бәя 20-30% ка арта.

Автоматлаштырылган җитештерү линияләрен куллану, процесс агымнарын оптимальләштерү һәм лазер бораулау җиһазларын куллану дәрәҗәсен 80% тан артыкка кадәр арттыру.

Бер җитештерү линиясенең айлык җитештерү куәте якынча 5000-10000㎡ тәшкил итә, бу җиһаз конфигурациясенә һәм процессның катлаулылыгына бәйле.

Кечкенә партияләрнең (1000м³) бәясеннән 40-60% ка югарырак, бу, нигездә, машина урнаштыру һәм даими чыгымнарны бүлү белән бәйле.

Мәйдан (юань/㎡), катламнар саны, тишек диаметры һ.б. буенча комплекслы исәпләнә. Гадәти 8 катламлы 0,1 мм микровия тактасы өчен эшкәртү бәясе якынча 2000-3000 юань/㎡ тәшкил итә.

DFM дизайнын оптимизацияләү аша, нәтиҗәләргә ирешү шарты белән толерантлык таләпләрен йомшарту чыгымнарны 15% тан артыкка киметергә мөмкин.

Тулы җитештерү линиясе җиһазларына инвестицияләр якынча 10-20 миллион юань тәшкил итә, шул исәптән лазер бораулау машиналары, гальваник линияләр, ламинаторлар һ.б.

Кечерәк тишек диаметрларына (20 катлам), түбән югалтуларга һәм интеграцияләнгән төргәкләүгә таба үсеш.

Чипларны өю таләпләрен канәгатьләндерү өчен, вертикаль тоташтыру тишекләренең диаметрлары

Процесс параметрларын оптимальләштерү һәм акыллы кимчелекләрне ачыклау өчен кулланыла, бу нәтиҗәне 5-10% ка һәм ачыклау нәтиҗәлелеген 30% ка арттырырга мөмкин.

10 мкм диаметрлы тишекләр лабораториядә җитештерелгән, ләкин күпләп җитештерү материаллар, җиһазлар һәм чыгымнар белән бәйле кыенлыклар белән очраша.

Чиплар һәм PCB арасында югары тыгызлыктагы тоташу аша өзлексез тоташуга ирешегез, сигнал тапшыру юлларын кыскартыгыз һәм система эшчәнлеген яхшыртыгыз.

Экологик яктан чиста материаллар һәм процесслар кулланыгыз, агынты сулардагы авыр металл күләме

Сигнал тапшыру структураларын оптимальләштерү өчен түбән диэлектрик даимилек (Dk

Бөгелү радиусы ≥3 мм булганда, бөкләү вакытында тишек стенасы ярылу һәм бакыр катламы кабыну проблемаларын хәл итү зарур.

Цифрлы заводлар аша тулы процесс мониторингына һәм автоматлаштырылган җитештерүгә ирешегез, җитештерү нәтиҗәлелеген 50% тан артыкка арттырыгыз.

Квант сигналын тапшыруны тәэмин итү өчен, тишек диаметрлары һәм сызык киңлекләре субмикрон дәрәҗәсендә контрольдә тотыла торган, бик түбән югалтулар һәм югары тотрыклылык таләп итә торган тоташу.

Чипларның, камераларның һ.б. югары тыгызлыктагы интеграциясенә ирешү өчен, тишек диаметры 0,075 мм булган 6-10 катламлы HDI платаларын кулланыгыз, бу мобиль телефон ана платасы бәясенең 30-40% ын тәшкил итә.

Түбән югалтулы платалар (Df

Берничә процессорның югары тизлекле тоташуын тәэмин итәргә, тукталышларны һәм сигнал тапшыру тоткарлыгын

AEC-Q100 сертификациясен узарга, -40℃~125℃ температурага чыдамлык диапазонын үтәргә һәм 1000 сәгатьлек тоз сиптерү сынавын үтәргә тиеш.