איינגעבעטעטע פּקב

אן איינגעבעטעטע פּקב איז א קרייז ברעט מיט עלעקטראנישע קאמפאנענטן (ווי טשיפס, רעזיסטאָרן, און קאַפּאַסיטאָרן) גלייך איינגעבעטעט אין אירע אינערלעכע שיכטן, וואָס רעדוצירט די גרייס און פֿאַרבעסערט די פאָרשטעלונג.

איינגעבעטעטע פּקבס קענען באַגראָבן עטלעכע קאָמפּאָנענטן צו רעדוצירן פּלאַץ פאַרנומען און פאַרקירצן סיגנאַל פּאַטס; קאָמפּאָנענטן אויף געוויינטלעכע פּקבס זענען מערסטנס ייבערפלאַך-מאָונטעד.

פּאַסיק פֿאַר סצענאַרן מיט הויכע באדערפענישן פֿאַר גרייס און פאָרשטעלונג, אַזאַ ווי סמאַרטפאָונז, טראָגבאַרע דעוויסעס, פאָרמיטל ראַדאַרס און אַעראָספּייס ויסריכט.

פאָדערונג אַנאַליז → סכעמאַטיש פּלאַן → אויסלייג פּלאַנירונג (אַרייַנגערעכנט עמבעדיד קאַמפּאָונאַנץ) → רוטינג פּלאַן (פאָקוס אויף סיגנאַל אָרנטלעכקייט) → פּלאַן הערשן קאָנטראָל → ברעט טעקע רעזולטאַט.

באַטראַכט די דיעלעקטרישע קאָנסטאַנטע, אָנווער פאַקטאָר, און טערמישע יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט. פֿאַר הויך-פרעקווענץ אַפּלאַקיישאַנז, קלייַבן נידעריק-דיעלעקטרישע-קאָנסטאַנט און נידעריק-פאַרלוסט מאַטעריאַלס; פֿאַר הויך טערמישע פעסטקייט, קלייַבן מאַטעריאַלס מיט נידעריק טערמישע יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנץ.

אויסלייגן קאָמפּאָנענטן דורך פאַנגקשאַנאַלע מאָדולן צו פאַרקירצן סיגנאַל פּאַטס; פאַרשפּרייטן היץ-גענערירנדיקע קאָמפּאָנענטן פֿאַר היץ דיסיפּיישאַן; שטעלן סענסיטיווע קאָמפּאָנענטן אַוועק פון ראַש קוואלן; באַטראַכטן פּראָצעס מעגלעכקייט.

רעזיסטאָרן ווערן געמאַכט דורך צולייגן רעזיסטיוו מאַטעריאַלן צו דער דיעלעקטרישער שיכט; קאַפּאַסיטאָרן נוצן הויך-דיעלעקטרישע מאַטעריאַלן באדעקט אויף קופּער פויל אָדער סאַבסטראַטן; ינדוקטאָרן ווערן רעאַליזירט דורך שפּיראַל שפּולן צווישן שיכטן.

זיכער מאַכן פאַרלאָזלעכע עלעקטרישע קאַנעקשאַנז, באַטראַכטן היץ דיסיפּיישאַן, טעסטאַביליטי און וישאַלטאַביליטי, און נאָכפאָלגן די פּלאַן גיידליינז פון טשיפּ מאַניאַפאַקטשערערז.

פּלאַנירן מאַכט און גראַונד לייַערס לויט מאַכט קאַנסאַמשאַן, ענשור די אָרנטלעכקייט פון די מאַכט פלאַך, רעדוצירן ינערלעך קעגנשטעל און וואָולטידזש קאַפּ, און צושטעלן אַ סטאַביל מאַכט צושטעלן.

קאָנטראָלירט די לענג פון די שפּור, שטעלט די ברייט און ספּייסינג פון די שפּור גלייַך צו רעדוצירן קראָסטאָלק, צופּאַסט די ימפּידאַנס פֿאַר הויך-גיכקייַט סיגנאַלן, און רעדוצירן די השפּעה פון וויאַ פּאַראַזיטישע פּאַראַמעטערס.

דעפּענדינג אויף מאַטעריאַלן און ראַוטינג פּלאַן, קען עס דערגרייכן עטלעכע Gbps אָדער העכער מיט געהעריק פּלאַן, אַזאַ ווי איבער 10 Gbps אין הויך-סוף קאָמוניקאַציע דעוויסעס.

ניצט פֿאָרמולעס ווי די מיקראָסטריפּ ליניע פֿאָרמולע (Z0 = (87/√(εr+1.41))×ln(5.98H/(0.8W+T))) אדער סטריפּליין פֿאָרמולעס, אדער ניצט דיזיין ווייכווארג פֿאַר קאַלקולאַציע.

אַפעקטירט דורך מאַטעריאַל אָנווער (דיעלעקטריש/קאַנדאַקטאָר אָנווער), שפּור לענג, סיגנאַל אָפטקייט, נומער פון וויאַס, און ימפּידאַנס מיסמאַטש.

אפגעזונדערטע אנאלאג און דידזשיטאלע קרייז אויסלייגן, באשיצן סענסיטיווע סיגנאלן, זיכער מאכן די אינטעגריטעט פון מאכט און גראונד פלאנען, ניצן פילטער קרייזן, און אפטימיזירן טרעיס צו רעדוצירן שלייף שטח.

שטעלט אויף גרויסע גראַונדינג פּלענער, פֿאַרגרעסערט גראַונדינג וויאַס, פֿאַרקירצט גראַונדינג פּאַטס, און קלייַבט איין-פּונקט/מולטי-פּונקט/היבריד גראַונדינג לויט די אָפטקייט.

אנאליזירן פאראמעטערס ווי מאכט נעץ אימפעדאנץ, וואלטאזש פאל, און שטראם פארשפרייטונג דורך סימולאציע ווייכווארג צו אפשאצן די אימפאקטן און אפטימיזירן.

שטאַרקע אַנטי-ינטערפערענס פיייקייט, סאַפּרעסט קאַמאַן-מאָד ינטערפירענס, פֿאַרבעסערן טראַנסמיסיע קורס און רילייאַבילאַטי, און פאַסילאַטייט הויך-דענסיטי רוטינג.

האַלטן לענג-צופּאַסונג (אונטערשייד ≤ 10% פון דער טראַנסמיסיע-דיסטאַנץ וואָס קאָרעספּאָנדירט צום סיגנאַל-שטייג-ראַנד), מונדיר-ברייט און -ספּייסינג צווישן די שפּורן, קאָנטראָלירן די אימפּעדאַנס (למשל, 100Ω), און פאַרמייַדן קראָסטאָלק.

מינימיזירן וויאַ גרייס, פאַרגרעסערן אַנטי-פּאַד, לייגן גראַונדינג וויאַס אַרום, און קאָנטראָלירן די אַספּעקט פאַרהעלטעניש (≤6).

דורכפירן סיגנאַל אינטעגריטעט, מאַכט אינטעגריטעט, און EMI סימיאַליישאַן אַנאַליזעס, און פּרובירן פּראָוטאַטייפּס (למשל, ניצן נעץ אַנאַליזערס און אָסילאָסקאָפּס).

באַשטימט דורך קאָמפּאָנענט הייך, נומער פון לייַערס, מעכאַנישע שטאַרקייט, און אַפּלאַקיישאַן סצענאַריאָס, אַזאַ ווי 0.5-1.5 מם פֿאַר מאָביל טעלעפאָן פּקבס און 1.6-3.2 מם פֿאַר ינדאַסטריאַל ויסריכט.

באַטראַכט די פֿאַרזאַמלונג מיט אַנדערע קאָמפּאָנענטן, מעכאַנישע שטאַרקייט, היץ דיסיפּיישאַן פּלאַץ, און די השפּעה פון קאָמפּאָנענט עמבעדינגונג אויף מעכאַנישע פאָרשטעלונג.

גלייכבארן אויסשטעל פון היץ-גענערירנדיקע קאמפאנענטן, צולייגן היץ-פארשפּרייטונג קאנאלן (למשל, היץ לעכער, קופער שטער), אויסקלויבן מאטעריאלן מיט הויך טערמישע קאנדוקטיוויטעט, צולייגן היץ-פארשפּרייטונג דעווייסעס אויב נויטיג, און אפטימיזירן דורך טערמישע סימולאציע.

געוויינטלעכע מעטאָדן אַרייַננעמען שרויף פיקסיר, קליפּ פיקסיר, און וועַלדינג פיקסיר, פּאַסיק פֿאַר הויך-וישאַלט, באַקוועם-אינסטאַלירונג, און הויך-סטאַביליטעט סינעריאָוז, ריספּעקטיוולי.

פֿאַרבעסערן מעכאַנישע שטאַרקייט דורך פֿאַרגרעסערן ברעט גרעב אָדער צולייגן פֿאַרשטאַרקערס, גלייַך פאַרשפּרייטן וואָג, נוצן שאָק-אַבזאָרבינג מאַטעריאַלס פֿאַר באַפערינג, און פֿאַרשטאַרקן שליסל קאָמפּאָנענטן.

צופּאַסן דעם אַפּאַראַט־קעיסינג, פֿאַרמייַדן שאַרפֿע עקן, באַטראַכטן פּראָדוקציע־פּראָצעסן (למשל, שניידן, שטעמפּלען), און דיזיינען פּלאַג־אין פֿירנדיקע סטרוקטורן.

טראָגט אויף דריי-פּרוף פֿאַרב, ניצט וואַסערפּרוף קאַנעקטערז, פירט אויס אַ פאַרזיגלונג באַהאַנדלונג, און פֿאַרמייַדט צו שטעלן שליסל קאָמפּאָנענטן אין וואַסער/שטויב-פּראָנע געביטן בעתן אויסשטעל.

הויכע טעמפּעראַטורן קענען פאַראורזאַכן ברעט יקספּאַנשאַן און קאָמפּאָנענט פּאַראַמעטער דריפט; נידעריקע טעמפּעראַטורן קענען מאַכן מאַטעריאַלן שוואַך. אינדוסטריעל-גראַד פּקבס אַרבעטן ביי -40℃~85℃, מיט מער שטרענגע מיליטעריש-גראַד רעקווירעמענץ.

אנאליזירן דעפארמאציע און סטרעס פארשפרייטונג דורך מעכאנישע סטרעס סימולאציע, און דורכפירן אימפאקט, ווייבראציע טעסטס, און לאנג-טערמין אלטערונג טעסטס.

פֿאַרשידענע מאַטעריאַלן האָבן פֿאַרשידענע מעכאַנישע שטאַרקייטן און טערמישע יקספּאַנשאַן קאָעפֿיציענטן. למשל, FR-4 האט גוטע קאָמפּרעהענסיווע פאָרשטעלונג אָבער אַ רעלאַטיוו הויך טערמישע יקספּאַנשאַן קאָעפֿיציענט, בשעת פּאָליאימיד מאַטעריאַלן פאָרשלאָגן בעסערע טערמישע פעסטקייט און מעכאַנישע שטאַרקייט.

איינגעבעטעטע פּקבס דאַרפן נאָך פּראָצעסן פֿאַר קאָמפּאָנענט איינבעטונג, אַזאַ ווי אינטערלייער סטרוקטור פאַבריקאַציע און מער פּינקטלעך לאַמינאַציע, מיט העכערע רעקווירעמענץ פֿאַר דרילינג און פּלייטינג אַקיעראַסי.

אריינגערעכנט לאַמינאַציע, מיקראָ-וויאַ פּראַסעסינג (אַפּערטשער ≤50μm), קאָמפּאָנענט עמבעדינג, און ייבערפלאַך באַהאַנדלונג (למשל, גאָלד פּלייטינג, צין שפּריצן).

ספּעציפֿיצירן פּינקטלעכע טאָלעראַנסן אין פּלאַן, נוצן הויך-פּינקטלעכקייט ויסריכט (אַזאַ ווי CNC דרילינג מאשינען), און דורכפירן שטרענגע דימענסיאָנעלע ינספּעקשאַנז און פּראָצעס אַדזשאַסטמאַנץ אין יעדער פּראָצעדור.

דורכקוקן רוי מאַטעריאַלן (ברעטער, קאָמפּאָנענטן), מאָניטאָרירן לאַמינאַציע/בויערן/פּלייטינג פּאַראַמעטערס, נוצן X-שטראַל און פליענדיקע פּראָוב טעסץ צו דעטעקטירן אינערלעכע קאַנעקשאַנז און עלעקטרישע פאָרשטעלונג, און דורכפירן אַ פולשטענדיקע דורכקוק פון פאַרטיקע פּראָדוקטן.

לאַמינאַציע בלאָזן/דעלאַמינאַציע, דרילינג מיסאַליינמענט/נישט גלייכע עפענונג, שלעכטע קאָמפּאָנענט פֿאַרבינדונג/קורץ קרייַז, שלעכטע ייבערפלאַך באַהאַנדלונג, דימענסיאָנעל אָפּנייגונג, אאז"ו ו.

אָפּטימיזירן לאַמינאַציע טעמפּעראַטור, דרוק און צייט פּאַראַמעטערס, פאַר-באַהאַנדלען ברעטער צו באַזייַטיקן נעץ און ימפּיוראַטיז, און נוצן וואַקוום לאַמינאַציע צו אַרויסטרייַבן לופט.

ניצן הויך-פּונקטלעכע דרילינג עקוויפּמענט צו קאָנטראָלירן פּאַראַמעטערס, דורכפירן מיקראָ-עטשינג אויף לאָך ווענט צו פֿאַרבעסערן קופּער פּלייטינג אַדכיזשאַן, און דעטעקטירן קוואַליטעט דורך מעטאַלאָגראַפיק סעקשאַן.

דורכקוקן און טעסטן קאמפאנענטן פארן איינלייגן, אפטימיזירן איינלייגן פראצעסן צו זיכער מאכן פעסטע פארבינדונגען, און דורכפירן קאמפרעהענסיווע עלעקטרישע טעסטן און פארלעסלעכקייט עקספערימענטן נאך פאבריקאציע.

באַאיינפֿלוסט דורך מאַטעריאַל קאָסטן (הויך-פאָרשטעלונג מאַטעריאַלן זענען טייערער), פּראָצעס קאָמפּלעקסיטי (למשל, מיקראָ-וויאַס, קאָמפּאָנענט עמבעדינג), פּראָדוקציע קוואַנטיטי, און דורכקוק קאָסטן.

אויספאָרשן טעכנישע שטאַרקייט (עקוויפּמענט, פּראָצעסן), קוואַליטעט קאָנטראָל סיסטעמען, פּראָדוקציע קאַסעס, קונה באריכטן, ציטאַטן און עקספּרעס צייטן.

אריינגערעכנט וויזועלע דורכקוק, עלעקטרישע טעסטינג (מולטימעטער, אָסילאָסקאָפּ, נעץ אַנאַליזער), פאַנגקשאַנאַל טעסטינג, X-שטראַל דורכקוק, פליענדיק פּראָוב טעסטינג, אאז"וו.

ניצט די בעט-פון-נעגל פון אן אינפארמאציע-טעכנולוגיע מיטל צו קאנטאקטירן טעסט פונקטן און דעטעקטירן עלעקטרישע פאראמעטערס פון קאמפאנענטן, קורצע קרייזן, אפענע קרייזן, פאראמעטער-אפנייכונגען, אא"וו. טעסט פונקטן דארפן זיין רעזערווירט אין דעם פלאן.

סימולירן די פאַקטישע אַרבעטס־סביבה, קאָמפּרעהענסיוו טעסטן פונקציעס, נאָכפאָלגן די סדר פון באַזישע ביז קאָמפּליצירטע טעסטן, און רעקאָרדירן און אַנאַליזירן אַנאָמאַליעס.

ניצט דעם JTAG אינטערפייס צו אפערירן די טשיפּ'ס אינערלעכע גרענעץ סקען צעלן, דעטעקטירן שטיפט שטאַטן און אינטער-טשיפּ קאַנעקשאַנז, און אידענטיפיצירן אָפענע און קורץ-קרייז חסרונות.

ערשט באַאָבאַכטן דעם אויסזען (פאַרברענטע קאָמפּאָנענטן, צעבראָכענע לאָט־פאַרבינדונגען), דערנאָך דורכפירן עלעקטרישע טעסץ צו פֿאַרענגערן דעם שולד־ראַנג, אַנאַליזירן מעגלעכע פֿאַרבינדונגען באַזירט אויף דער סכעמאַטישער בילד, און נוצן די סובסטיטוציע־מעטאָדע צו באַשטימען דעם שולד־פונקט.

רעלאטיוו הויך, ווייל קאמפאנענטן געפינען זיך אין אינעווייניגסטע שיכטן. עס פארלאנגט פארזיכטיק ארויסנעמען די אויבערשטע שיכטן צו אויפדעקן דעם חסרון פונקט, איבער-לאמינירן צו צוריקשטעלן די גאנצקייט נאך אויפהאלטונג, און אויסמיידן אימפאקטן אויף אנדערע קרייזן.

ניצט הויך-פּרעציזיע מכשירים ווי מיקראָ-פונקט וועַלדינג עקוויפּמענט און פּרעציזיע פּינצעט. פּלאַנירט די וישאַלט סכעמע אין שטייַגן און ניצט לאָקאַליזירטע באַהיצונג צו קאָנטראָלירן טעמפּעראַטור.

דורכפירן עלעקטרישע טעסץ (סיגנאַל אָרנטלעכקייט, מאַכט אָרנטלעכקייט), פאַנגקשאַנאַל טעסץ, און רילייאַבילאַטי טעסץ (יידזשינג, ווייבריישאַן).

אַנטוויקלען טעסט פּלענער, פּראָוסידזשערז פֿאַר דיאַגנאָז פון חסרונות, ספּעציפֿיקאַציעס פֿאַר וישאַלט אָפּעראַציע, און קוואַליטעט וועריפיקאַציע פּראָצעסן.

טעסט עקוויפּמענט: מולטימעטער, אָסילאָסקאָפּ, נעץ אַנאַליזער, אאז"וו. וישאַלט עקוויפּמענט: מיקראָ-פונקט וועַלדינג עקוויפּמענט, הייסע לופט ביקס, אאז"וו.

באַטראַכט די גענויקייט פון די קעגנשטאַנד, די מאַכט ראַנג, און די טעמפּעראַטור קאָעפיציענט. אויסקלייבן קעגנשטאַנדן באַזירט אויף די קרייז רעקווייערמענץ.

געניצט פֿאַר פֿילטערירן, דיקאַפּלינג, ענערגיע סטאָרידזש, סיגנאַל קאַפּלינג, אאז"וו.

באַשטימען באַזירט אויף אָפּערייטינג אָפטקייט, אינדוקטאַנס, און קראַנט קאַפּאַציטעט. פֿאַר מאַכט פילטערינג, באַטראַכטן ריפּל און לאָוד קראַנט.

באַטראַכט פאָרשטעלונג, מאַכט קאַנסאַמשאַן, פּאַקאַדזש טיפּ, רילייאַבילאַטי, און פאַבריקאַנט שטיצע.

צופּאַסן עלעקטרישע פּאַראַמעטערס און פיזישע דימענסיעס בעתן פּלאַן. אויסקלייבן קאָמפּאָנענטן וואָס זענען קאָמפּאַטיבל מיט ברעט מאַטעריאַלן און פּראָצעסן, און דורכפירן סימולאַציע וועריפיקאַציע.

פֿאַר פּאַסיווע קאָמפּאָנענטן, קאָנטראָלירט טעמפּעראַטור און צייט צו פאַרמייַדן קאַלטע סאַדערינג. פֿאַר אַקטיווע קאָמפּאָנענטן, ניצט הויך-פּרעציציע ויסריכט (למשל, ריפלאָו סאַדערינג) צו ענשור פאַרלאָזלעכע קאַנעקשאַנז און פאַרמייַדן טערמישע שעדיקן.

שאַצן די לעבנס־צייט דורך אַקסעלערירטע אַלטערונג־טעסטן, פאַבריקאַנט־דאַטן, און לאַנג־טערמין מאָניטאָרינג פון פאַקטישע דורכפאַל־דאַטן.

קעגנשטאנד: ווערט דריפט/אפענע קרייז. קאפאציטאר: ליקאַדזש/קורץ קרייז. אינדוקטאר: אינדוקטאנס ענדערונג/קורץ ווינדונג. טשיפּ: פונקציאָנעלער דורכפאַל/שטיפט חסרונות.

לאַגערן לויט קאַטעגאָריע מיט נעץ און ESD שוץ. פירן אַן אינווענטאַר סיסטעם צו רעקאָרדירן אינפֿאָרמאַציע, דורכפירן רעגולער סאַמפּלינג, און קאָנטראָלירן לאַגער לעוועלס גלייַך.

פֿאַרגרעסערן טראַסע ספּייסינג (≥3×ברייט), נוצן גראַונד איזאָלאַציע, אָפּטימיזירן רוטינג טאָפּאָלאָגיע, און גלייַכן ימפּידאַנס.

אריינפירן פאראזיטישע פאראמעטערס, מעגליך פאראורזאכן פארלוסט און פארשפעטיגונג ביי הויכע פרעקווענצן. וויאס פאר סיגנאלן העכער 10 גיגאהערץ זאלן האבן א דיאמעטער

לייגט צו ESD שוץ דעווייסעס (למשל, TVS דיאדעס), שטעלט אויף ESD דיסטשאַרדזש פּאַטס, און האַלט שליסל סיגנאַל טראַסעס ≥2 מם פון ברעט עדזשאַז.

ניצט א רענטגן-שטראַל צו דורכקוקן די אינערלעכע לאָט-פֿאַרבינדונגען. די הייך פֿון די פֿאַרבינדונגען זאָל זיין 0.4-0.6 מ״מ, מיט אַ ליידיקן ראַטע ≤15%.

ENIG פֿאַר הויך-פֿרעקווענץ און פּרעציזיע סאָלדערינג. OSP פֿאַר נידעריקע קאָסטן (גילטיקייט 6-8 חדשים). אימערסיע צין פֿאַר כוואַליע סאָלדערינג.

ריכטיק אויסלייגן שילד דעקלעך מיט גראַונדינג ימפּעדאַנס

וויאַ דיאַמעטער 0.3-0.5 מם, ספּייסינג ≤1 מם, ≥100 וויאַס/קמ² צו ענשור היץ דיסיפּיישאַן עפעקטיווקייַט.

DDR4 דאַטן ליניעס: לענג טאָלעראַנץ ±5 מיליאן. PCIe דיפערענציעל פּאָרן: ±2 מיליאן.

לייג צו דיקאַפּלינג קאַפּאַסיטאָרן (0.1μF פֿאַר הויך פרעקווענץ, 10μF פֿאַר נידעריק פרעקווענץ). האַלט די מאַכט/ערד שיכט ספּייסינג

IPC סטאַנדאַרט: ≤0.7% פֿאַר בליי-פֿרײַ פּראָצעסן, ≤0.5% אין BGA געביטן.

ניצט דינאמישע וואלטאזש סקיילינג, מאכט אויס ליידיגע מאדולן, און סעלעקטירט נידעריק-IQ טשיפס (למשל, TI MSP430 סעריע).

רעדוצירן סיגנאַל פארלוסט און פּאַראַזיטישע פּאַראַמעטערס, פאַרגרעסערן רוטינג געדיכטקייט. קאָסטן 20%-30% העכער ווי דורכ-לאָך וויאַס.

ניצט CAM350 אדער Altium DFM מכשירים צו קאָנטראָלירן מינימום שפּור ברייט/ספּייסינג (≥6 מיל), אַספּעקט פאַרהעלטעניש (≤8:1), אאז"וו.

געוויינטלעכע מעטאָדן: דריי-פּרוף פאַרב (0.1-0.3 מם גרעב), נאַנאָ-קאָוטינג (

ניצט אַ פען-אויס פּלאַן צו רעדוצירן BGA ראַוטינג דרוק. 4-שיכטיקע ברעטער פּאַסן צו 80% פון רעגולערע באַדערפענישן; ≥6 שיכטן פֿאַר הויך-גיכקייט פּלאַנען.

קאָנטראָלירט די ריינקייט פון די פּאַד, די גרעב פון די סאָלדער פּאַסטע (0.12-0.15 מם), און די טעמפּעראַטור פון די ריפלאָו (שפּיץ 235-245 ℃).

ניצט אַ 500V מעגאָהמעטער. די איזאָלאַציע קעגנשטאַנד זאָל זיין ≥100MΩ ביי ≤60% הומידיטי.

ניצט טערמינאַציע רעזיסטאָרן (למשל, DDR ODT פונקציע) און אימפּעדאַנס טעיפּערינג. זיכערט אז די אימפּעדאַנס וועריאַציע איז

1 אונס קופּער (35μm): ~1A/מם שפּור ברייט. 2 אונס: ~1.5A/מם (טעמפּעראַטור העכערונג

שוואַרץ העלפֿט היץ־פֿאַרשפּרייטונג אָבער איז שווער צו דורכקוקן. גרין איז מערסט פֿאַרשפּרייט. ווײַס האָט אַ הויכע רעפֿלעקטיוויטעט (≈80%).

טיפּישער דיאַמעטער: 0.4-0.8 מ״מ. פּיטש: 0.5-1.0 מ״מ. 0.5 מ״מ פּיטש דאַרף 0201 קאָמפּאָנענטן.

ניצט סימולאציע ווייכווארג ווי ANSYS, באזירט אויף CTE אונטערשיידן (למשל, FR-4 15ppm/℃, קופּער 17ppm/℃).

ניצט מערשטאפל פילטערינג (π-טיפּ קרייזן). מאַכט טראַסעס ≥20 מיל ברייט צו רעדוצירן דרך ימפּידאַנס.

דיאַמעטער ≥0.6 מם, ווייַטקייט ≥1.27 מם. ייבערפלאַך ענדיקן ENIG, קיין סאַדער מאַסקע קאַווערידזש.

איין-ענדיקער סיגנאַל שלייף שטח

ניצט SI9000 צו רעכענען אימפּעדאַנס, קאָנטראָל טאָלעראַנץ ±10%. אנווענדן טערמינאַציע מעטשינג און טאָפּאָלאָגיע אָפּטימיזאַציע.

אויסלייג: ±0.1 מ״מ. לאָך דיאַמעטער: ±0.05 מ״מ. V-שניט טיפקייט: 1/3-2/3 פון ברעט גרעב.

ניצט סערפּענטינע לענג-געפּאַסטע טראַסעס מיט ערד שילדינג. האַלט אַוועק פון הויך-גיכקייַט דאַטן ליניעס און ויסמיידן שיכט קראָסינג.

דורכפירן אַקסעלערירטע אַלטערונג טעסץ (85℃/85%RH, 1000h) און ווייבריישאַן טעסץ (5-500Hz, 2G אַקסעלעראַציע).

פּאַד גרייס 0.1-0.2 מ״מ גרעסער ווי קאָמפּאָנענט דראָטן. SMD פּאַד ברייט 1.2-1.5× דראָט ברייט.

פֿאַרגרעסערט די טערמישע קופּער שטח, ניצט טערמישע קלעפּשטאָף (≥1W/mK), און עפֿנט טערמישע וויאַס אונטער מאַכט קאָמפּאָנענטן.

לויט IEC 61000-4-2: קאָנטאַקט אויסלאָדן ±8kV, לופט אויסלאָדן ±15kV, מיט נאָרמאַלער פונקציאָנאַליטעט.

טיפּישע גרעב 15-25μm. מוז גאָר דעקן קופּער צו פאַרמייַדן קורץ קרייזן פון אויסגעשטעלטן קופּער.

קאָמבינירן אינטעראַקטיוו און אויטאָ-ראַוטינג. שטעלן ראַוטינג פּרייאָריטעטן, מיט קריטישע סיגנאַלן ראַוטעד ערשטער.

פארהייצן: 120-150℃ (60-90 סעקונדעס). צוריקפלוסן: 217-230℃ (40-60 סעקונדעס). קילן ראטע: 3-6℃/סעק.

איין-פונקט אדער מערפאכיגע גראונדינג. מערפאכיגע פאר הויך-פרעקווענץ קרייזן (>10MHz), מיט גראונדינג קעגנשטאנד

באַטראַכט קראַנט קאַפּאַציטעט, קאָנטאַקט קעגנשטעל (

באַאָבאַכטן לאָט פֿאַרבינדונגען דורך מעטאַלאָגראַפֿישער סעקציע (מעטאַלאָגראַפֿישער סעקציע), דעטעקטירן ייבערפֿלאַך חסרונות מיט AOI, אַנאַליזירן עלעמענט זאַץ מיט XRF.

ספּייסינג 5 מיל, ימפּידאַנס 100±10Ω, לענג חילוק