എംബഡഡ് പിസിബി

എംബഡഡ് പിസിബി എന്നത് ആന്തരിക പാളികളിൽ നേരിട്ട് ഉൾച്ചേർത്ത ഇലക്ട്രോണിക് ഘടകങ്ങൾ (ചിപ്പുകൾ, റെസിസ്റ്ററുകൾ, കപ്പാസിറ്ററുകൾ എന്നിവ) ഉള്ള ഒരു സർക്യൂട്ട് ബോർഡാണ്, ഇത് വലുപ്പം കുറയ്ക്കുകയും പ്രകടനം മെച്ചപ്പെടുത്തുകയും ചെയ്യുന്നു.

എംബഡഡ് പിസിബികൾക്ക് സ്ഥലപരിമിതി കുറയ്ക്കുന്നതിനും സിഗ്നൽ പാതകൾ ചെറുതാക്കുന്നതിനും ചില ഘടകങ്ങൾ കുഴിച്ചിടാൻ കഴിയും; സാധാരണ പിസിബികളിലെ ഘടകങ്ങൾ കൂടുതലും ഉപരിതലത്തിൽ ഘടിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു.

സ്മാർട്ട്‌ഫോണുകൾ, ധരിക്കാവുന്ന ഉപകരണങ്ങൾ, വാഹന റഡാറുകൾ, എയ്‌റോസ്‌പേസ് ഉപകരണങ്ങൾ എന്നിവ പോലുള്ള വലുപ്പത്തിനും പ്രകടനത്തിനും ഉയർന്ന ആവശ്യകതകളുള്ള സാഹചര്യങ്ങൾക്ക് അനുയോജ്യം.

ആവശ്യകത വിശകലനം → സ്കീമാറ്റിക് ഡിസൈൻ → ലേഔട്ട് പ്ലാനിംഗ് (എംബെഡഡ് ഘടകങ്ങൾ ഉൾപ്പെടെ) → റൂട്ടിംഗ് ഡിസൈൻ (സിഗ്നൽ സമഗ്രതയിൽ ശ്രദ്ധ കേന്ദ്രീകരിക്കുക) → ഡിസൈൻ റൂൾ പരിശോധന → ബോർഡ് ഫയൽ ഔട്ട്പുട്ട്.

ഡൈഇലക്ട്രിക് സ്ഥിരാങ്കം, നഷ്ട ഘടകം, താപ വികാസ ഗുണകം എന്നിവ പരിഗണിക്കുക. ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക്, കുറഞ്ഞ ഡൈഇലക്ട്രിക്-സ്ഥിരവും കുറഞ്ഞ നഷ്ടവുമുള്ള വസ്തുക്കൾ തിരഞ്ഞെടുക്കുക; ഉയർന്ന താപ സ്ഥിരതയ്ക്ക്, കുറഞ്ഞ താപ വികാസ ഗുണകങ്ങളുള്ള വസ്തുക്കൾ തിരഞ്ഞെടുക്കുക.

സിഗ്നൽ പാതകൾ ചെറുതാക്കാൻ ഫങ്ഷണൽ മൊഡ്യൂളുകൾ ഉപയോഗിച്ച് ഘടകങ്ങൾ ക്രമീകരിക്കുക; താപ വിസർജ്ജനത്തിനായി താപം ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്ന ഘടകങ്ങൾ ചിതറിക്കുക; ശബ്ദ സ്രോതസ്സുകളിൽ നിന്ന് സെൻസിറ്റീവ് ഘടകങ്ങൾ മാറ്റി സ്ഥാപിക്കുക; പ്രക്രിയയുടെ സാധ്യത പരിഗണിക്കുക.

ഡൈഇലക്ട്രിക് പാളിയിൽ റെസിസ്റ്റീവ് വസ്തുക്കൾ ചേർത്താണ് റെസിസ്റ്ററുകൾ നിർമ്മിക്കുന്നത്; കപ്പാസിറ്ററുകൾ ചെമ്പ് ഫോയിലിലോ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളിലോ പൊതിഞ്ഞ ഉയർന്ന ഡൈഇലക്ട്രിക് വസ്തുക്കൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു; പാളികൾക്കിടയിലുള്ള സർപ്പിള കോയിലുകളിലൂടെയാണ് ഇൻഡക്ടറുകൾ യാഥാർത്ഥ്യമാക്കുന്നത്.

വിശ്വസനീയമായ വൈദ്യുത കണക്ഷനുകൾ ഉറപ്പാക്കുക, താപ വിസർജ്ജനം, പരീക്ഷണക്ഷമത, പരിപാലനക്ഷമത എന്നിവ പരിഗണിക്കുക, ചിപ്പ് നിർമ്മാതാക്കളുടെ ഡിസൈൻ മാർഗ്ഗനിർദ്ദേശങ്ങൾ പാലിക്കുക.

വൈദ്യുതി ഉപഭോഗത്തിനനുസരിച്ച് വൈദ്യുതിയും ഗ്രൗണ്ട് ലെയറുകളും പ്ലാൻ ചെയ്യുക, വൈദ്യുതി തലത്തിന്റെ സമഗ്രത ഉറപ്പാക്കുക, ആന്തരിക പ്രതിരോധവും വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പും കുറയ്ക്കുക, സ്ഥിരതയുള്ള വൈദ്യുതി വിതരണം നൽകുക.

ക്രോസ്‌സ്റ്റോക്ക് കുറയ്ക്കുന്നതിന് ട്രെയ്‌സ് നീളം നിയന്ത്രിക്കുക, ട്രെയ്‌സ് വീതിയും സ്‌പെയ്‌സിംഗും ന്യായമായി സജ്ജമാക്കുക, ഹൈ-സ്പീഡ് സിഗ്നലുകൾക്കുള്ള ഇം‌പെഡൻസ് പൊരുത്തപ്പെടുത്തുക, വിയ പാരാസൈറ്റിക് പാരാമീറ്ററുകളുടെ ആഘാതം കുറയ്ക്കുക.

മെറ്റീരിയലുകളെയും റൂട്ടിംഗ് രൂപകൽപ്പനയെയും ആശ്രയിച്ച്, ശരിയായ രൂപകൽപ്പനയോടെ ഇതിന് നിരവധി Gbps അല്ലെങ്കിൽ അതിൽ കൂടുതൽ എത്താൻ കഴിയും, ഉദാഹരണത്തിന് ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള ആശയവിനിമയ ഉപകരണങ്ങളിൽ 10 Gbps-ൽ കൂടുതൽ.

മൈക്രോസ്ട്രിപ്പ് ലൈൻ ഫോർമുല (Z0 = (87/√(εr+1.41))×ln(5.98H/(0.8W+T))) പോലുള്ള ഫോർമുലകൾ ഉപയോഗിക്കുക, അല്ലെങ്കിൽ കണക്കുകൂട്ടലിനായി ഡിസൈൻ സോഫ്റ്റ്‌വെയർ ഉപയോഗിക്കുക.

മെറ്റീരിയൽ നഷ്ടം (ഡൈലെക്ട്രിക്/ചാലക നഷ്ടം), ട്രെയ്‌സ് ദൈർഘ്യം, സിഗ്നൽ ഫ്രീക്വൻസി, വയകളുടെ എണ്ണം, ഇം‌പെഡൻസ് പൊരുത്തക്കേട് എന്നിവയാൽ ബാധിക്കപ്പെടുന്നു.

അനലോഗ്, ഡിജിറ്റൽ സർക്യൂട്ട് ലേഔട്ടുകൾ വേർതിരിക്കുക, സെൻസിറ്റീവ് സിഗ്നലുകൾ സംരക്ഷിക്കുക, പവർ, ഗ്രൗണ്ട് പ്ലെയിനുകളുടെ സമഗ്രത ഉറപ്പാക്കുക, ഫിൽട്ടർ സർക്യൂട്ടുകൾ ഉപയോഗിക്കുക, ലൂപ്പ് ഏരിയ കുറയ്ക്കുന്നതിന് ട്രെയ്‌സുകൾ ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക.

വലിയ ഗ്രൗണ്ടിംഗ് പ്ലെയിനുകൾ സജ്ജീകരിക്കുക, ഗ്രൗണ്ടിംഗ് വയാസ് വർദ്ധിപ്പിക്കുക, ഗ്രൗണ്ടിംഗ് പാതകൾ ചെറുതാക്കുക, ഫ്രീക്വൻസി അനുസരിച്ച് സിംഗിൾ-പോയിന്റ്/മൾട്ടി-പോയിന്റ്/ഹൈബ്രിഡ് ഗ്രൗണ്ടിംഗ് തിരഞ്ഞെടുക്കുക.

ആഘാതങ്ങൾ വിലയിരുത്തുന്നതിനും ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുന്നതിനും സിമുലേഷൻ സോഫ്റ്റ്‌വെയർ വഴി പവർ നെറ്റ്‌വർക്ക് ഇം‌പെഡൻസ്, വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പ്, കറന്റ് ഡിസ്ട്രിബ്യൂഷൻ തുടങ്ങിയ പാരാമീറ്ററുകൾ വിശകലനം ചെയ്യുക.

ശക്തമായ ആന്റി-ഇടപെടൽ കഴിവ്, കോമൺ-മോഡ് ഇടപെടലുകൾ അടിച്ചമർത്തുക, ട്രാൻസ്മിഷൻ നിരക്കും വിശ്വാസ്യതയും മെച്ചപ്പെടുത്തുക, ഉയർന്ന സാന്ദ്രതയുള്ള റൂട്ടിംഗ് സുഗമമാക്കുക.

നീള പൊരുത്തപ്പെടുത്തൽ (സിഗ്നൽ റൈസ് എഡ്ജുമായി ബന്ധപ്പെട്ട ട്രാൻസ്മിഷൻ ദൂരത്തിന്റെ ≤ 10% വ്യത്യാസം), ഏകീകൃത ട്രെയ്‌സ് വീതിയും സ്‌പെയ്‌സിംഗും, നിയന്ത്രണ ഇം‌പെഡൻസ് (ഉദാ. 100Ω) നിലനിർത്തുക, ക്രോസ്‌സ്റ്റോക്ക് ഒഴിവാക്കുക.

വയ വലുപ്പം ചെറുതാക്കുക, ആന്റി-പാഡ് വർദ്ധിപ്പിക്കുക, ചുറ്റും ഗ്രൗണ്ടിംഗ് വയകൾ ചേർക്കുക, വീക്ഷണാനുപാതം നിയന്ത്രിക്കുക (≤6).

സിഗ്നൽ ഇന്റഗ്രിറ്റി, പവർ ഇന്റഗ്രിറ്റി, ഇഎംഐ സിമുലേഷൻ വിശകലനങ്ങൾ, ടെസ്റ്റ് പ്രോട്ടോടൈപ്പുകൾ (ഉദാ: നെറ്റ്‌വർക്ക് അനലൈസറുകളും ഓസിലോസ്കോപ്പുകളും ഉപയോഗിച്ച്) എന്നിവ നടത്തുക.

ഘടക ഉയരം, പാളികളുടെ എണ്ണം, മെക്കാനിക്കൽ ശക്തി, ആപ്ലിക്കേഷൻ സാഹചര്യങ്ങൾ എന്നിവയാൽ നിർണ്ണയിക്കപ്പെടുന്നു, ഉദാഹരണത്തിന് മൊബൈൽ ഫോൺ പിസിബികൾക്ക് 0.5-1.5 മിമി, വ്യാവസായിക ഉപകരണങ്ങൾക്ക് 1.6-3.2 മിമി.

മറ്റ് ഘടകങ്ങളുമായുള്ള അസംബ്ലി, മെക്കാനിക്കൽ ശക്തി, താപ വിസർജ്ജന ഇടം, മെക്കാനിക്കൽ പ്രകടനത്തിൽ ഘടകം ഉൾച്ചേർക്കുന്നതിന്റെ സ്വാധീനം എന്നിവ പരിഗണിക്കുക.

താപം ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്ന ഘടകങ്ങൾ ന്യായമായി ക്രമീകരിക്കുക, താപ വിസർജ്ജന ചാനലുകൾ (ഉദാ: താപ ദ്വാരങ്ങൾ, ചെമ്പ് ഫോയിൽ) ചേർക്കുക, ഉയർന്ന താപ ചാലകത വസ്തുക്കൾ തിരഞ്ഞെടുക്കുക, ആവശ്യമെങ്കിൽ താപ വിസർജ്ജന ഉപകരണങ്ങൾ ചേർക്കുക, താപ സിമുലേഷൻ വഴി ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക.

സാധാരണ രീതികളിൽ സ്ക്രൂ ഫിക്സിംഗ്, ക്ലിപ്പ് ഫിക്സിംഗ്, വെൽഡിംഗ് ഫിക്സിംഗ് എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു, ഇവ യഥാക്രമം ഉയർന്ന അറ്റകുറ്റപ്പണികൾക്കും, സൗകര്യപ്രദമായ ഇൻസ്റ്റാളേഷനും, ഉയർന്ന സ്ഥിരതയുള്ള സാഹചര്യങ്ങൾക്കും അനുയോജ്യമാണ്.

ബോർഡിന്റെ കനം കൂട്ടുകയോ സ്റ്റിഫെനറുകൾ ചേർക്കുകയോ ചെയ്തുകൊണ്ട് മെക്കാനിക്കൽ ശക്തി മെച്ചപ്പെടുത്തുക, ഭാരം തുല്യമായി വിതരണം ചെയ്യുക, ബഫറിംഗിനായി ഷോക്ക്-അബ്സോർബിംഗ് വസ്തുക്കൾ ഉപയോഗിക്കുക, പ്രധാന ഘടകങ്ങൾ ശക്തിപ്പെടുത്തുക.

ഉപകരണ കേസിംഗ് പൊരുത്തപ്പെടുത്തുക, മൂർച്ചയുള്ള അരികുകൾ ഒഴിവാക്കുക, ഉൽ‌പാദന പ്രക്രിയകൾ (ഉദാ: കട്ടിംഗ്, സ്റ്റാമ്പിംഗ്) പരിഗണിക്കുക, പ്ലഗ്-ഇൻ ഗൈഡിംഗ് ഘടനകൾ രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുക.

മൂന്ന് പ്രൂഫിംഗ് പെയിന്റ് പ്രയോഗിക്കുക, വാട്ടർപ്രൂഫ് കണക്ടറുകൾ ഉപയോഗിക്കുക, സീലിംഗ് ട്രീറ്റ്മെന്റ് നടത്തുക, ലേഔട്ട് സമയത്ത് വെള്ളം/പൊടി സാധ്യതയുള്ള സ്ഥലങ്ങളിൽ പ്രധാന ഘടകങ്ങൾ സ്ഥാപിക്കുന്നത് ഒഴിവാക്കുക.

ഉയർന്ന താപനില ബോർഡിന്റെ വികാസത്തിനും ഘടക പാരാമീറ്റർ വ്യതിയാനത്തിനും കാരണമായേക്കാം; കുറഞ്ഞ താപനില വസ്തുക്കൾ പൊട്ടാൻ കാരണമായേക്കാം. വ്യാവസായിക-ഗ്രേഡ് പിസിബികൾ -40℃~85℃ ൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നു, കൂടുതൽ കർശനമായ സൈനിക-ഗ്രേഡ് ആവശ്യകതകളോടെ.

മെക്കാനിക്കൽ സ്ട്രെസ് സിമുലേഷനിലൂടെ രൂപഭേദവും സമ്മർദ്ദ വിതരണവും വിശകലനം ചെയ്യുക, ആഘാതം, വൈബ്രേഷൻ പരിശോധനകൾ, ദീർഘകാല വാർദ്ധക്യ പരിശോധനകൾ എന്നിവ നടത്തുക.

വ്യത്യസ്ത വസ്തുക്കൾക്ക് വ്യത്യസ്ത മെക്കാനിക്കൽ ശക്തികളും താപ വികാസ ഗുണകങ്ങളുമുണ്ട്. ഉദാഹരണത്തിന്, FR-4 ന് നല്ല സമഗ്രമായ പ്രകടനമുണ്ട്, പക്ഷേ താരതമ്യേന ഉയർന്ന താപ വികാസ ഗുണകമാണ്, അതേസമയം പോളിമൈഡ് വസ്തുക്കൾ മികച്ച താപ സ്ഥിരതയും മെക്കാനിക്കൽ ശക്തിയും വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു.

എംബഡഡ് പിസിബികൾക്ക് ഘടക എംബെഡിംഗിനായി ഇന്റർലെയർ സ്ട്രക്ചർ ഫാബ്രിക്കേഷൻ, കൂടുതൽ കൃത്യമായ ലാമിനേഷൻ എന്നിവ പോലുള്ള അധിക പ്രക്രിയകൾ ആവശ്യമാണ്, ഡ്രില്ലിംഗിനും പ്ലേറ്റിംഗ് കൃത്യതയ്ക്കും ഉയർന്ന ആവശ്യകതകൾ.

ലാമിനേഷൻ, മൈക്രോ-വിയ പ്രോസസ്സിംഗ് (അപ്പെർച്ചർ ≤50μm), ഘടക എംബെഡിംഗ്, ഉപരിതല ചികിത്സ (ഉദാ: സ്വർണ്ണ പ്ലേറ്റിംഗ്, ടിൻ സ്പ്രേയിംഗ്) എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു.

രൂപകൽപ്പനയിൽ കൃത്യമായ ടോളറൻസുകൾ വ്യക്തമാക്കുക, ഉയർന്ന കൃത്യതയുള്ള ഉപകരണങ്ങൾ (CNC ഡ്രില്ലിംഗ് മെഷീനുകൾ പോലുള്ളവ) ഉപയോഗിക്കുക, ഓരോ നടപടിക്രമത്തിലും കർശനമായ ഡൈമൻഷണൽ പരിശോധനകളും പ്രോസസ്സ് ക്രമീകരണങ്ങളും നടത്തുക.

അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ (ബോർഡുകൾ, ഘടകങ്ങൾ) പരിശോധിക്കുക, ലാമിനേഷൻ/ഡ്രില്ലിംഗ്/പ്ലേറ്റിംഗ് പാരാമീറ്ററുകൾ നിരീക്ഷിക്കുക, ആന്തരിക കണക്ഷനുകളും വൈദ്യുത പ്രകടനവും കണ്ടെത്തുന്നതിന് എക്സ്-റേ, ഫ്ലയിംഗ് പ്രോബ് ടെസ്റ്റുകൾ ഉപയോഗിക്കുക, പൂർത്തിയായ ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ പൂർണ്ണ പരിശോധന നടത്തുക.

ലാമിനേഷൻ ബബിൾസ്/ഡീലാമിനേഷൻ, ഡ്രില്ലിംഗ് തെറ്റായ ക്രമീകരണം/അസമമായ അപ്പർച്ചർ, മോശം ഘടക കണക്ഷൻ/ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട്, മോശം ഉപരിതല ചികിത്സ, ഡൈമൻഷണൽ ഡീവിയേഷൻ മുതലായവ.

ലാമിനേഷൻ താപനില, മർദ്ദം, സമയ പാരാമീറ്ററുകൾ എന്നിവ ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക, ഈർപ്പവും മാലിന്യങ്ങളും നീക്കം ചെയ്യുന്നതിനായി ബോർഡുകൾ പ്രീ-ട്രീറ്റ് ചെയ്യുക, വായു പുറന്തള്ളാൻ വാക്വം ലാമിനേഷൻ ഉപയോഗിക്കുക.

പാരാമീറ്ററുകൾ നിയന്ത്രിക്കുന്നതിനും, ചെമ്പ് പ്ലേറ്റിംഗ് അഡീഷൻ മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന് ദ്വാര ഭിത്തികളിൽ മൈക്രോ-എച്ചിംഗ് നടത്തുന്നതിനും, മെറ്റലോഗ്രാഫിക് സെക്ഷനിംഗിലൂടെ ഗുണനിലവാരം കണ്ടെത്തുന്നതിനും ഉയർന്ന കൃത്യതയുള്ള ഡ്രില്ലിംഗ് ഉപകരണങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുക.

എംബെഡ് ചെയ്യുന്നതിനുമുമ്പ് ഘടകങ്ങൾ സ്‌ക്രീൻ ചെയ്ത് പരിശോധിക്കുക, കണക്ഷനുകളുടെ ഉറപ്പ് ഉറപ്പാക്കാൻ എംബെഡ് ചെയ്യുന്ന പ്രക്രിയകൾ ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക, നിർമ്മാണത്തിനുശേഷം സമഗ്രമായ ഇലക്ട്രിക്കൽ പരിശോധനകളും വിശ്വാസ്യത പരീക്ഷണങ്ങളും നടത്തുക.

മെറ്റീരിയൽ ചെലവ് (ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള വസ്തുക്കൾ കൂടുതൽ ചെലവേറിയതാണ്), പ്രക്രിയ സങ്കീർണ്ണത (ഉദാ: മൈക്രോ-വയാസ്, ഘടക എംബെഡിംഗ്), ഉൽപ്പാദന അളവ്, പരിശോധന ചെലവ് എന്നിവയാൽ ഇത് ബാധിക്കപ്പെടുന്നു.

സാങ്കേതിക ശക്തി (ഉപകരണങ്ങൾ, പ്രക്രിയകൾ), ഗുണനിലവാര നിയന്ത്രണ സംവിധാനങ്ങൾ, ഉൽ‌പാദന കേസുകൾ, ഉപഭോക്തൃ അവലോകനങ്ങൾ, ഉദ്ധരണികൾ, ഡെലിവറി സമയങ്ങൾ എന്നിവ അന്വേഷിക്കുക.

വിഷ്വൽ പരിശോധന, ഇലക്ട്രിക്കൽ പരിശോധന (മൾട്ടിമീറ്റർ, ഓസിലോസ്കോപ്പ്, നെറ്റ്‌വർക്ക് അനലൈസർ), ഫങ്ഷണൽ പരിശോധന, എക്സ്-റേ പരിശോധന, ഫ്ലൈയിംഗ് പ്രോബ് പരിശോധന മുതലായവ ഉൾപ്പെടുന്നു.

ടെസ്റ്റ് പോയിന്റുകളുമായി ബന്ധപ്പെടുന്നതിനും ഘടക ഇലക്ട്രിക്കൽ പാരാമീറ്ററുകൾ, ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ടുകൾ, ഓപ്പൺ സർക്യൂട്ടുകൾ, പാരാമീറ്റർ വ്യതിയാനങ്ങൾ മുതലായവ കണ്ടെത്തുന്നതിനും ഒരു ഐസിടി ഉപകരണത്തിന്റെ ബെഡ്-ഓഫ്-നെയിലുകൾ ഉപയോഗിക്കുക. ഡിസൈനിൽ ടെസ്റ്റ് പോയിന്റുകൾ മാറ്റിവയ്ക്കേണ്ടതുണ്ട്.

യഥാർത്ഥ പ്രവർത്തന അന്തരീക്ഷം അനുകരിക്കുക, പ്രവർത്തനങ്ങൾ സമഗ്രമായി പരിശോധിക്കുക, അടിസ്ഥാനം മുതൽ സങ്കീർണ്ണമായത് വരെയുള്ള പരിശോധനകളുടെ ക്രമം പാലിക്കുക, അപാകതകൾ രേഖപ്പെടുത്തുകയും വിശകലനം ചെയ്യുകയും ചെയ്യുക.

ചിപ്പിന്റെ ഇന്റേണൽ ബൗണ്ടറി സ്കാൻ സെല്ലുകൾ പ്രവർത്തിപ്പിക്കുന്നതിനും, പിൻ സ്റ്റേറ്റുകളും ഇന്റർ-ചിപ്പ് കണക്ഷനുകളും കണ്ടെത്തുന്നതിനും, ഓപ്പൺ, ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് തകരാറുകൾ തിരിച്ചറിയുന്നതിനും JTAG ഇന്റർഫേസ് ഉപയോഗിക്കുക.

ആദ്യം ദൃശ്യപരത നിരീക്ഷിക്കുക (കത്തിയ ഘടകങ്ങൾ, പൊട്ടിയ സോൾഡർ സന്ധികൾ), തുടർന്ന് ഫോൾട്ട് ശ്രേണി കുറയ്ക്കുന്നതിന് വൈദ്യുത പരിശോധനകൾ നടത്തുക, സ്കീമാറ്റിക് അടിസ്ഥാനമാക്കി സാധ്യമായ ലിങ്കുകൾ വിശകലനം ചെയ്യുക, ഫോൾട്ട് പോയിന്റ് നിർണ്ണയിക്കാൻ സബ്സ്റ്റിറ്റ്യൂഷൻ രീതി ഉപയോഗിക്കുക.

ഘടകങ്ങൾ ആന്തരിക പാളികളിലായതിനാൽ താരതമ്യേന ഉയർന്നതാണ്. ഫോൾട്ട് പോയിന്റ് തുറന്നുകാട്ടുന്നതിനായി മുകളിലെ പാളികൾ ശ്രദ്ധാപൂർവ്വം നീക്കം ചെയ്യുക, അറ്റകുറ്റപ്പണികൾക്ക് ശേഷം സമഗ്രത പുനഃസ്ഥാപിക്കാൻ വീണ്ടും ലാമിനേറ്റ് ചെയ്യുക, മറ്റ് സർക്യൂട്ടുകളിലെ ആഘാതങ്ങൾ ഒഴിവാക്കുക എന്നിവ ഇതിന് ആവശ്യമാണ്.

മൈക്രോ-സ്പോട്ട് വെൽഡിംഗ് ഉപകരണങ്ങൾ, പ്രിസിഷൻ ട്വീസറുകൾ പോലുള്ള ഉയർന്ന കൃത്യതയുള്ള ഉപകരണങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുക. പരിപാലന പദ്ധതി മുൻകൂട്ടി ആസൂത്രണം ചെയ്യുകയും താപനില നിയന്ത്രിക്കുന്നതിന് പ്രാദേശികവൽക്കരിച്ച ചൂടാക്കൽ ഉപയോഗിക്കുകയും ചെയ്യുക.

വൈദ്യുത പരിശോധനകൾ (സിഗ്നൽ സമഗ്രത, പവർ സമഗ്രത), പ്രവർത്തന പരിശോധനകൾ, വിശ്വാസ്യത പരിശോധനകൾ (വാർദ്ധക്യം, വൈബ്രേഷൻ) എന്നിവ നടത്തുക.

പരീക്ഷണ പദ്ധതികൾ, തെറ്റ് രോഗനിർണയ നടപടിക്രമങ്ങൾ, അറ്റകുറ്റപ്പണി പ്രവർത്തന സവിശേഷതകൾ, ഗുണനിലവാര പരിശോധന പ്രക്രിയകൾ എന്നിവ വികസിപ്പിക്കുക.

പരിശോധനാ ഉപകരണങ്ങൾ: മൾട്ടിമീറ്റർ, ഓസിലോസ്കോപ്പ്, നെറ്റ്‌വർക്ക് അനലൈസർ മുതലായവ. പരിപാലന ഉപകരണങ്ങൾ: മൈക്രോ-സ്പോട്ട് വെൽഡിംഗ് ഉപകരണങ്ങൾ, ഹോട്ട് എയർ ഗൺ മുതലായവ.

പ്രതിരോധ കൃത്യത, പവർ റേറ്റിംഗ്, താപനില ഗുണകം എന്നിവ പരിഗണിക്കുക. സർക്യൂട്ട് ആവശ്യകതകളെ അടിസ്ഥാനമാക്കി റെസിസ്റ്ററുകൾ തിരഞ്ഞെടുക്കുക.

ഫിൽട്ടറിംഗ്, ഡീകൂപ്ലിംഗ്, ഊർജ്ജ സംഭരണം, സിഗ്നൽ കപ്ലിംഗ് മുതലായവയ്ക്ക് ഉപയോഗിക്കുന്നു.

ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ഫ്രീക്വൻസി, ഇൻഡക്റ്റൻസ്, കറന്റ് കപ്പാസിറ്റി എന്നിവ അടിസ്ഥാനമാക്കി നിർണ്ണയിക്കുക. പവർ ഫിൽട്ടറിംഗിനായി, റിപ്പിൾ കറന്റും ലോഡ് കറന്റും പരിഗണിക്കുക.

പ്രകടനം, വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം, പാക്കേജ് തരം, വിശ്വാസ്യത, നിർമ്മാതാവിന്റെ പിന്തുണ എന്നിവ പരിഗണിക്കുക.

ഡിസൈൻ സമയത്ത് ഇലക്ട്രിക്കൽ പാരാമീറ്ററുകളും ഭൗതിക അളവുകളും പൊരുത്തപ്പെടുത്തുക. ബോർഡ് മെറ്റീരിയലുകൾക്കും പ്രക്രിയകൾക്കും അനുയോജ്യമായ ഘടകങ്ങൾ തിരഞ്ഞെടുത്ത് സിമുലേഷൻ പരിശോധന നടത്തുക.

നിഷ്ക്രിയ ഘടകങ്ങൾക്ക്, തണുത്ത സോളിഡിംഗ് തടയാൻ താപനിലയും സമയവും നിയന്ത്രിക്കുക. സജീവ ഘടകങ്ങൾക്ക്, വിശ്വസനീയമായ കണക്ഷനുകൾ ഉറപ്പാക്കാനും താപ കേടുപാടുകൾ തടയാനും ഉയർന്ന കൃത്യതയുള്ള ഉപകരണങ്ങൾ (ഉദാ: റീഫ്ലോ സോളിഡിംഗ്) ഉപയോഗിക്കുക.

ത്വരിതപ്പെടുത്തിയ വാർദ്ധക്യ പരിശോധനകൾ, നിർമ്മാതാവിന്റെ ഡാറ്റ, യഥാർത്ഥ പരാജയ ഡാറ്റയുടെ ദീർഘകാല നിരീക്ഷണം എന്നിവയിലൂടെ ആയുസ്സ് കണക്കാക്കുക.

പ്രതിരോധം: മൂല്യ ചലനം/തുറന്ന സർക്യൂട്ട്. കപ്പാസിറ്റർ: ചോർച്ച/ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട്. ഇൻഡക്റ്റർ: ഇൻഡക്റ്റൻസ് മാറ്റം/വൈൻഡിംഗ് ഷോർട്ട്. ചിപ്പ്: പ്രവർത്തനപരമായ പരാജയം/പിൻ തകരാറുകൾ.

ഈർപ്പം, ഇഎസ്ഡി സംരക്ഷണം എന്നിവയോടെ വിഭാഗം അനുസരിച്ച് സംഭരിക്കുക. വിവരങ്ങൾ രേഖപ്പെടുത്തുന്നതിനും, പതിവായി സാമ്പിൾ എടുക്കുന്നതിനും, സ്റ്റോക്ക് അളവ് ന്യായമായി നിയന്ത്രിക്കുന്നതിനും ഒരു ഇൻവെന്ററി സംവിധാനം നിലനിർത്തുക.

ട്രെയ്‌സ് സ്‌പെയ്‌സിംഗ് (≥3×വീതി) വർദ്ധിപ്പിക്കുക, ഗ്രൗണ്ട് ഐസൊലേഷൻ ഉപയോഗിക്കുക, റൂട്ടിംഗ് ടോപ്പോളജി ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുക, മാച്ച് ഇം‌പെഡൻസ് ഉപയോഗിക്കുക.

ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസികളിൽ നഷ്ടത്തിനും കാലതാമസത്തിനും കാരണമായേക്കാവുന്ന പരാദ പാരാമീറ്ററുകൾ അവതരിപ്പിക്കുക. 10GHz-ന് മുകളിലുള്ള സിഗ്നലുകൾക്കുള്ള വിയാസ് വ്യാസം

ESD സംരക്ഷണ ഉപകരണങ്ങൾ (ഉദാ. ടിവിഎസ് ഡയോഡുകൾ) ചേർക്കുക, ESD ഡിസ്ചാർജ് പാതകൾ സജ്ജമാക്കുക, ബോർഡിന്റെ അരികുകളിൽ നിന്ന് ≥2mm വരെ കീ സിഗ്നൽ ട്രെയ്‌സുകൾ നിലനിർത്തുക.

ആന്തരിക സോൾഡർ സന്ധികൾ പരിശോധിക്കാൻ എക്സ്-റേ ഉപയോഗിക്കുക. ജോയിന്റിന്റെ ഉയരം 0.4-0.6mm ആയിരിക്കണം, ശൂന്യതാ നിരക്ക് ≤15% ആയിരിക്കണം.

ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസിയും കൃത്യതയുമുള്ള സോൾഡറിംഗിനുള്ള ENIG. കുറഞ്ഞ ചെലവിൽ OSP (സാധുത 6-8 മാസം). വേവ് സോൾഡറിംഗിനുള്ള ഇമ്മേഴ്‌ഷൻ ടിൻ.

ഗ്രൗണ്ടിംഗ് ഇം‌പെഡൻസ്

താപ വിസർജ്ജന കാര്യക്ഷമത ഉറപ്പാക്കാൻ 0.3-0.5mm വ്യാസം, ≤1mm അകലം, ≥100 വയാസ്/സെ.മീ.

DDR4 ഡാറ്റ ലൈനുകൾ: ദൈർഘ്യം സഹിഷ്ണുത ±5mil. PCIe ഡിഫറൻഷ്യൽ ജോഡികൾ: ±2mil.

ഡീകൂപ്ലിംഗ് കപ്പാസിറ്ററുകൾ ചേർക്കുക (ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസിക്ക് 0.1μF, കുറഞ്ഞ ഫ്രീക്വൻസിക്ക് 10μF). പവർ/ഗ്രൗണ്ട് ലെയർ സ്പേസിംഗ്

ഐപിസി സ്റ്റാൻഡേർഡ്: ലെഡ്-ഫ്രീ പ്രോസസ്സുകൾക്ക് ≤0.7%, ബിജിഎ മേഖലകളിൽ ≤0.5%.

ഡൈനാമിക് വോൾട്ടേജ് സ്കെയിലിംഗ് ഉപയോഗിക്കുക, ഐഡൽ മൊഡ്യൂളുകൾ പവർ ഓഫ് ചെയ്യുക, കുറഞ്ഞ IQ ചിപ്പുകൾ തിരഞ്ഞെടുക്കുക (ഉദാ. TI MSP430 സീരീസ്).

സിഗ്നൽ നഷ്ടവും പരാദ പാരാമീറ്ററുകളും കുറയ്ക്കുക, റൂട്ടിംഗ് സാന്ദ്രത വർദ്ധിപ്പിക്കുക. ത്രൂ-ഹോൾ വിയാസുകളേക്കാൾ 20%-30% കൂടുതൽ ചെലവ്.

കുറഞ്ഞ ട്രെയ്‌സ് വീതി/സ്‌പെയ്‌സിംഗ് (≥6mil), വീക്ഷണാനുപാതം (≤8:1) മുതലായവ പരിശോധിക്കാൻ CAM350 അല്ലെങ്കിൽ Altium DFM ഉപകരണങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുക.

സാധാരണ രീതികൾ: ത്രീ-പ്രൂഫിംഗ് പെയിന്റ് (0.1-0.3mm കനം), നാനോ-കോട്ടിംഗ് (

BGA റൂട്ടിംഗ് മർദ്ദം കുറയ്ക്കാൻ ഫാൻ-ഔട്ട് ഡിസൈൻ ഉപയോഗിക്കുക. പതിവ് ആവശ്യങ്ങളുടെ 80% ത്തിനും 4-ലെയർ ബോർഡുകൾ അനുയോജ്യമാണ്; ഹൈ-സ്പീഡ് ഡിസൈനുകൾക്ക് ≥6 ലെയറുകൾ.

പാഡ് വൃത്തി, സോൾഡർ പേസ്റ്റ് കനം (0.12-0.15 മിമി), റീഫ്ലോ താപനില (പീക്ക് 235-245℃) എന്നിവ പരിശോധിക്കുക.

ഒരു 500V മെഗാഹോമീറ്റർ ഉപയോഗിക്കുക. ≤60% ഈർപ്പം ഉള്ളപ്പോൾ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം ≥100MΩ ആയിരിക്കണം.

ടെർമിനേഷൻ റെസിസ്റ്ററുകളും (ഉദാ. DDR ODT ഫംഗ്‌ഷൻ) ഇം‌പെഡൻസ് ടേപ്പറിംഗും ഉപയോഗിക്കുക. ഇം‌പെഡൻസ് വ്യതിയാനം

1oz ചെമ്പ് (35μm): ~1A/mm ട്രെയ്‌സ് വീതി. 2oz: ~1.5A/mm (താപനില വർദ്ധനവ്

കറുപ്പ് നിറം താപ വിസർജ്ജനത്തെ സഹായിക്കുന്നു, പക്ഷേ പരിശോധിക്കാൻ പ്രയാസമാണ്. പച്ചയാണ് ഏറ്റവും സാധാരണമായത്. വെള്ളയ്ക്ക് ഉയർന്ന പ്രതിഫലനശേഷി (≈80%) ഉണ്ട്.

സാധാരണ വ്യാസം: 0.4-0.8mm. പിച്ച്: 0.5-1.0mm. 0.5mm പിച്ചിന് 0201 ഘടകങ്ങൾ ആവശ്യമാണ്.

CTE വ്യത്യാസങ്ങളെ അടിസ്ഥാനമാക്കി ANSYS പോലുള്ള സിമുലേഷൻ സോഫ്റ്റ്‌വെയർ ഉപയോഗിക്കുക (ഉദാ. FR-4 15ppm/℃, കോപ്പർ 17ppm/℃).

മൾട്ടി-സ്റ്റേജ് ഫിൽട്ടറിംഗ് (π-ടൈപ്പ് സർക്യൂട്ടുകൾ) ഉപയോഗിക്കുക. പാത്ത് ഇം‌പെഡൻസ് കുറയ്ക്കുന്നതിന് ≥20 മില്യൺ വീതിയിൽ പവർ ട്രെയ്‌സുകൾ ഉപയോഗിക്കുക.

വ്യാസം ≥0.6mm, അകലം ≥1.27mm. ഉപരിതല ഫിനിഷ് ENIG, സോൾഡർ മാസ്ക് കവറേജ് ഇല്ല.

സിംഗിൾ-എൻഡ് സിഗ്നൽ ലൂപ്പ് ഏരിയ

ഇം‌പെഡൻസ് കണക്കാക്കാൻ SI9000 ഉപയോഗിക്കുക, ടോളറൻസ് നിയന്ത്രിക്കുക ± 10%. ടെർമിനേഷൻ മാച്ചിംഗും ടോപ്പോളജി ഒപ്റ്റിമൈസേഷനും പ്രയോഗിക്കുക.

ഔട്ട്‌ലൈൻ: ±0.1mm. ദ്വാര വ്യാസം: ±0.05mm. V-കട്ട് ആഴം: ബോർഡിന്റെ കനത്തിന്റെ 1/3-2/3.

ഗ്രൗണ്ട് ഷീൽഡിംഗ് ഉപയോഗിച്ച് സെർപെന്റൈൻ നീളവുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്ന ട്രെയ്‌സുകൾ ഉപയോഗിക്കുക. അതിവേഗ ഡാറ്റ ലൈനുകളിൽ നിന്ന് അകന്നു നിൽക്കുകയും ലെയർ ക്രോസിംഗ് ഒഴിവാക്കുകയും ചെയ്യുക.

ത്വരിതപ്പെടുത്തിയ ഏജിംഗ് ടെസ്റ്റുകളും (85℃/85%RH, 1000h) വൈബ്രേഷൻ ടെസ്റ്റുകളും (5-500Hz, 2G ആക്സിലറേഷൻ) നടത്തുക.

പാഡ് വലുപ്പം ഘടക ലീഡുകളേക്കാൾ 0.1-0.2mm വലുതാണ്. SMD പാഡ് വീതി 1.2-1.5× ലീഡ് വീതി.

താപ ചെമ്പ് വിസ്തീർണ്ണം വർദ്ധിപ്പിക്കുക, താപ പശ (≥1W/mK) ഉപയോഗിക്കുക, പവർ ഘടകങ്ങൾക്ക് കീഴിൽ താപ വ്യാസ് തുറക്കുക.

IEC 61000-4-2 അനുസരിച്ച്: കോൺടാക്റ്റ് ഡിസ്ചാർജ് ±8kV, എയർ ഡിസ്ചാർജ് ±15kV, സാധാരണ പ്രവർത്തനക്ഷമതയോടെ.

സാധാരണ കനം 15-25μm. തുറന്നുകിടക്കുന്ന ചെമ്പിൽ നിന്നുള്ള ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ടുകൾ തടയാൻ ചെമ്പ് പൂർണ്ണമായും മൂടണം.

ഇന്ററാക്ടീവ് റൂട്ടിംഗും ഓട്ടോ-റൂട്ടിംഗും സംയോജിപ്പിക്കുക. നിർണായക സിഗ്നലുകൾ ആദ്യം റൂട്ട് ചെയ്തുകൊണ്ട് റൂട്ടിംഗ് മുൻഗണനകൾ സജ്ജമാക്കുക.

പ്രീഹീറ്റ്: 120-150℃ (60-90സെ). റീഫ്ലോ: 217-230℃ (40-60സെ). കൂളിംഗ് നിരക്ക്: 3-6℃/സെ.

സിംഗിൾ-പോയിന്റ് അല്ലെങ്കിൽ മൾട്ടി-പോയിന്റ് ഗ്രൗണ്ടിംഗ്. ഗ്രൗണ്ടിംഗ് പ്രതിരോധം 10MHz).

കറന്റ് ശേഷി, സമ്പർക്ക പ്രതിരോധം (

മെറ്റലോഗ്രാഫിക് സെക്ഷൻ (മെറ്റലോഗ്രാഫിക് സെക്ഷനിംഗ്) വഴി സോൾഡർ സന്ധികൾ നിരീക്ഷിക്കുക, AOI ഉപയോഗിച്ച് ഉപരിതല വൈകല്യങ്ങൾ കണ്ടെത്തുക, XRF ഉപയോഗിച്ച് മൂലക ഘടന വിശകലനം ചെയ്യുക.

5 മില്യൺ അകലം, ഇം‌പെഡൻസ് 100±10Ω, നീള വ്യത്യാസം