د ویلډینګ موادو مدیریت

جوړښت: Sn96.5Ag3.0Cu0.5، د خټکي نقطه 217℃. ګټې: 30٪ ښه شوی اکسیډیشن مقاومت، د RoHS چاپیریال لارښوونو سره مطابقت، د لوړې تودوخې قوي اعتبار، او د میخانیکي ځواک ساتل د 150℃ په عمر کې د 1000 ساعتونو لپاره د 85٪ څخه ډیر دي.

یوټیکټیک سولډرونه (لکه Sn63Pb37) د ویلې کیدو په وخت کې د جامد-مایع ګډ شتون زون نلري، د ویلډینګ د تودوخې یوه تنګ کړکۍ سره، د ریفلو سولډرینګ لوړ حرارت ته اړتیا لري چې د خټکي نقطې څخه 50-70 ℃ لوړ وي؛ غیر یوټیکټیک سولډرونه د جامد-مایع ګډ شتون زون لري، چې د ناکافي سولډرینګ څخه مخنیوي لپاره د تودوخې دقیق کنټرول ته اړتیا لري.

معیاري مواد: ۱.۰٪-۳.۰٪. ډیر ټیټ مواد د اکسایډ فلمونو ناکافي لرې کولو لامل کیږي، د عیب کچه ۲۰٪-۳۰٪ ډیروي؛ ډیر لوړ مواد د ډیرو پاتې شونو لامل کیږي چې موصلیت اغیزمنوي، چې ۱.۸٪-۲.۲٪ معمولا په بریښنایی اسمبلۍ کې کارول کیږي.

د تودوخې درجه: 0-10℃ (د ±2℃ بدلون دننه)، رطوبت: RH≤60%. کله چې د تودوخې بدلون د ±2℃ څخه ډیر شي، د ویسکوسیټي بدلون کچه هره ورځ 5%-8% زیاتیږي، او ډیر رطوبت اکسیډیشن ګړندی کوي.

د فلکس فعال اجزا (لکه عضوي اسیدونه) د رڼا سره د مخ کیدو په وخت کې په چټکۍ سره تجزیه کیږي، د رڼا سره د مخ کیدو څخه د یوې میاشتې وروسته فعالیت 40٪ کمیږي، پداسې حال کې چې د رڼا پرته د ذخیره کولو په 6 میاشتو کې یوازې 10٪-15٪ کمیږي.

مخلوط کول د داخلي تودوخې نا مساوي کیدو لامل کیږي، چې د محلول غیر معمولي بې ثباتۍ یا د محلول غیر معمولي بې ثباتۍ لامل کیږي. د تودوخې د مناسب رغیدو 4-6 ساعتونو وروسته د ویسکوسیټي انحراف ≤5٪ دی، پداسې حال کې چې د ویسکوسیټي انحراف (ناسمه مخلوط کول) کولی شي تر 20٪ پورې انحراف رامینځته کړي.

په هرو شپږو میاشتو کې کیلیبریټ وکړئ ترڅو ډاډ ترلاسه کړئ چې د تودوخې تېروتنه ±1℃ او د رطوبت تېروتنه ±3%RH ده، د ذخیره کولو له کنټرول څخه بهر شرایطو څخه مخنیوی وکړئ.

دوامداره کارول باید د خونې په تودوخه کې د 20-25 ℃ او RH≤60٪ څخه زیات نه وي. کله چې ډیر شي نو واسکاسیټي 30%-50% زیاتیږي، د چاپ کولو نیمګړتیا کچه 15%-20% ته لوړیږي.

د تولید بار او د سولډر ډروس مقدار له مخې وټاکئ، هر 500-1000㎡ PCB تولید کړئ؛ کله چې د مسو مینځپانګه له 0.8٪ څخه زیاته وي نو مخکې له مخکې یې بدل کړئ، که نه نو د عیب کچه یې له 25٪ څخه تر 35٪ پورې لوړیږي.

د سولډر ګډ قطر کې د هر 0.1 ملي میتر زیاتوالي لپاره مصرف 15%-20% زیاتیږي. کارول د سولډر ګډ حجم (SAC305 کثافت 7.4g/cm³) محاسبه کولو سره 100٪ (وړاندوینه) کیدی شي.

تودوخه: ۳۵۰-۳۸۰ ℃، وخت: ۲-۳ ثانیې. د ۴۰۰ ℃ یا >۵ ثانیو څخه ډیر په اسانۍ سره اجزاو ته زیان رسوي،

زاویه ۴۵°-۶۰° غوره ده. ۶۰° د څاڅکو او یخ وهلو خطر لري، د هر ۵° انحراف لپاره د عیب کچه ۸%-۱۰% زیاتیږي.

ایکس رې کولی شي د ≥0.1 ملي میتر قطر سره تشې کشف کړي. د IPC-A-610 معیار: د B ټولګي محصولاتو لپاره د تشې ساحه ≤25٪، د C ټولګي لپاره ≤15٪، د ډیرو تشو سره چې د تودوخې ضایع کیدو او ځواک اغیزه کوي.

شرایط: ۲۵±۰.۵℃، د گردش سرعت ۵rpm، د ۶۰ ثانیو لپاره ازموینه. د SAC305 معیاري واسکاسیټي: ۸۰-۱۲۰Pa·s، که چیرې انحراف له ±۱۵٪ څخه ډیر شي نو تنظیم کول اړین دي.

د 5mm/min سرعت سره د تناسلي ټیسټر سره ازموینه وکړئ. د 0603 پیکج لپاره ≥0.5N، د QFP لیډونو لپاره ≥1.5N، ناکافي ځواک چې د وایبریشن لاندې د ناکامۍ خطر لري.

د ګرینډینګ او پالش کولو وروسته د مایکروسکوپ لاندې وګورئ، د IMC طبقې ضخامت باندې تمرکز وکړئ (د SAC305 لپاره 1-3μm)، >5μm د سولډر بندونه ماتوي او د عمر عمر له 50٪ څخه ډیر لنډوي.

د ایون کروماتګرافۍ په واسطه ازموینه، د هر واحد ساحې د ایون پاتې شونو ≤1.5μg/cm² (په NaCl معادل کې)، ډیر په اسانۍ سره د الیکټرو کیمیکل مهاجرت لنډ سرکټونو لامل کیږي.

د ۱-۳℃/s کچه مناسبه ده. د اجزاو د تودوخې فشار د ماتیدو لپاره له ۵℃/s څخه ډیر حساس،

د ګام پورته کولو ځایونو او لیزر پرې شوي ګرد کونجونو څخه کار واخلئ. د 0.3 ملي متر پیچ QFP پرانیستل 10٪-15٪ کم کړئ او 0.05 ملي متر ګرد کونجونه اضافه کړئ، د سقوط کچه له 12٪ څخه 3٪-5٪ ته راټیټه کړئ.

د نایتروجن چاپیریال (د اکسیجن محتوا

د PCB ضخامت کې د هر 0.5mm زیاتوالي لپاره، د یخولو کچه 1-2℃/s کمه کړئ. د هغو غټو تختو لپاره چې د درزیدو خطر لري، ډیر ګړندی یخ کول (>5℃/s)، ډیر ورو، موثریت اغیزه کوي او د اکسیډیشن لامل کیږي.

څومره چې واسکاسیټي لوړه وي، هغومره د ډیمولډ کولو سرعت ورو وي. لوړ واسکاسیټي (>150Pa·s): 1-2mm/s، ټیټ واسکاسیټي (

د 8 یا ډیرو تودوخې زونونو سره تجهیزات د لوړ کثافت سرکټ بورډونو لپاره ډیر مناسب دي، د وړتیا کچه د 6 زون تجهیزاتو په پرتله له 85٪ څخه 95٪ ته لوړه کوي، د ډیر دقیق تودوخې کنټرول سره.

د ۲۰-۴۰rpm د څرخېدو سرعت د سولډر مایع غوره یووالي ورکوي. د حرکت بندولو وروسته، د پورتنۍ او ښکته طبقو ترمنځ د تودوخې توپیر په ساعت کې ۳-۵ ℃ زیاتیږي، د جوړښت انحراف او د عیب کچه ۱۰٪-۱۵٪ زیاته شوې ده.

دقت باید د ±0.01mg دننه کنټرول شي. د 0201 کڅوړو لپاره، انحراف >±0.02mg د شارټ سرکټ / ناکافي سولډرینګ احتمال 40%-50% زیاتوي، چې په جدي توګه حاصلات اغیزمن کوي.

د 0.8-1 فشار

پروسه: طبقه بندي شوي راټولول → د ویلې کولو او ناپاکۍ لرې کول → د ترکیب تنظیم کول. د ویلې کولو تودوخه 280-320 ℃، د ټین مینځپانګه د ناپاکۍ لرې کولو وروسته ≥99.5٪. د درنو فلزاتو ککړتیا مخه ونیسئ؛ فاضله اوبه باید بې طرفه او توی شي ترڅو د GB 8978-1996 خارجولو معیارونو سره سم وي.

ابیټیک اسید او ایزوپروپانول لري. د حرفوي افشا کیدو محدودیتونه: ابیټیک اسید 5mg/m³ (د وخت وزن اوسط)، ایزوپروپانول 980mg/m³. د تنفسي او عصبي خارښت مخنیوي لپاره د لوړ موثریت وینټیلیشن سره سمبال کړئ.

د HW49 (کوډ 900-041-49) په توګه طبقه بندي شوی، باید د وړ واحدونو لخوا تصفیه شي، د خطرناکو کثافاتو لیږد اسنادو مدیریت اقداماتو سره مطابقت ولري، او د کورني کثافاتو سره مخلوط کول په کلکه منع کړي.

د اور اخیستونکي فلکس ذخیره کولو لپاره د چاودنې ضد درجې Ex dⅡBT4 ته اړتیا ده. د چاودنې ضد رڼا/ سویچونه وکاروئ او د چنګک تولیدونکي تجهیزات منع کړئ. نه اطاعت د اور/چاودنې خطر 30%-50% زیاتوي.

په مهر شوي وچو کانتینرونو کې د 0.5%-1.0%BHT انټي اکسیډنټ سره ذخیره کړئ. کله چې ښکاره شي نو اکسیډیشن په 24 ساعتونو کې 50% زیاتیږي؛ مهر شوي ذخیره د بیا کارولو موده تر 3-6 میاشتو پورې غځوي.

د کیفیت سره سم د ضخامت له 0.15mm څخه 0.12mm ته راټیټ کړئ، د کارولو کچه 20%-25% کمه کړئ. د DOE اصلاح کول د هر PCB لګښت 0.3-0.5 RMB کموي.

د صنعت اوسط: 8%-12%. اقدامات: د تار اتومات تغذیه (د 3-5% ضایع کموي)، غوره شوي پروسیجرونه (د خالي سولډرینګ 15%-20% کموي)، د ضایع شوي تار بیا کارول (70%-80% د بیا رغونې کچه)، کولی شي 5%-8% ته راټیټ شي.

شاخصونه: د واحد قیمت، د فلزاتو محتوا (+5٪ لګښت په هر +1٪ کې)، د چاپ کولو نیمګړتیا کچه (-0.5 RMB/PCB په هر -1٪ کې)، د شیلف ژوند (-3٪ د ذخیره کولو لګښت په هر +1 میاشت کې)، د وزن لرونکي شاخص لخوا محاسبه شوی.

اقدامات: د نایتروجن محافظت (د کثافاتو 40٪-60٪ کموي)، د اکسیډیشن ضد غوړ (د اکسیډیشن کچه 50٪-70٪ کموي)، د تودوخې کنټرول ±2℃، کولی شي کثافات له 5kg/کټونو څخه 2-3kg/کټونو ته راټیټ کړي.

د کال په اوږدو کې له ۴ څخه تر ۶ ځله پورې د پانګې د اشغال لګښت ۳۳٪ کموي. د JIT تدارکاتو، غوره شوي انوینټري (۲۰٪-۳۰٪ کمښت)، او لنډ شوي دورې (۱۵-۲۰ ورځو کمښت) له لارې موثریت ته وده ورکول.

تمرکز: د خامو موادو تفتیش (۱۰۰٪ پوښښ)، د تولید کنټرول (د مثال په توګه، د سولډر پیسټ مخلوط کولو وخت انحراف ≤۵٪)، د بشپړ شوي محصول ازموینه (په هر بیچ کې ≥۱۰ توکي)، د محصول غیر مطابقت لرونکی اداره کول (وخت سره سم ≥۹۵٪).

د ارزونې شاخصونه: د R&D تجهیزات (DSC، SEM شتون)، د R&D پرسونل تناسب (≥15٪)، د پیټینټ شمیره (په کال کې ≥3 نوي)، د نوي محصول پراختیا دوره (اوسط ≤6 میاشتې).

تناسب: د کلني تدارکاتي مقدار څخه ۵٪-۱۰٪. د بیچ نیمګړتیا کچه>۳٪ کم کړئ، د کیفیت کنټرول هڅولو لپاره د پرله پسې ۳٪ بستونو وروسته بیرته راشئ.

پدې کې شامل دي: د الیاژ جوړښت (د مثال په توګه، د SAC305 زغم Sn±0.5%، Ag±0.2%، Cu±0.1%)، د ویلې کیدو نقطه (217℃±3℃)، واسکاسیټي (50-150Pa·s±10%)، د فعالیت کچه ​​(د مثال په توګه، د RA درجې هالایډ ≤0.5%)، د چاپیریال اړتیاوې (RoHS 2.0)، او نور.

د سیسټم ریکارډونه: د بیچ شمیره، د تولید نیټه، ترکیب، د ګودام وخت، او نور، د PCBA ځانګړي پیژندونکو سره تړلي دي. د ستونزې موقعیت وخت له 24 څخه ≤2 ساعتونو ته راټیټ شوی.

شاخصونه: د موجودو توکو بدلون (په کال کې ۸-۱۰ ځله غوره کچه)، د راټولولو څخه تر کرښې پورې وخت (≤۱ ساعت)، د مدیریت ستونزو له امله د بندیدو تناسب (