مایکرو پورس PCB

یو چاپ شوی سرکټ بورډ (PCB) چې د لیزر یا پلازما ایچنګ ټیکنالوژۍ په کارولو سره جوړ شوی چې د سوري قطر یې له 0.15 ملي میتر څخه کوچنی دی (صنعت معمولا 0.1 ملي میتر د معیار په توګه کاروي)، د لوړ کثافت متقابل اتصال لپاره کارول کیږي.

د سوري قطر د عادي PCBs په پرتله 50٪ څخه ډیر کوچنی دی، د کرښې پلنوالی/فاصله 30μm/30μm ته رسیدلی شي، د تار کثافت 2-3 ځله زیات شوی، او دا د لوړ فریکونسۍ او لوړ سرعت سیګنال لیږد لپاره مناسب دی.

د پروسې له مخې، دوی په ړندو ویاسونو (یو اړخیزه کنډکشن)، ښخ شوي ویاسونو (داخلي کنډکشن)، او د ویاسونو له لارې (د ټول بورډ له لارې) ویشل شوي دي. د عام ړندو ویاس قطر حد 50-100μm دی.

په پراخه کچه د لوړ کثافت ادغام سناریوګانو کې کارول کیږي لکه سمارټ فونونه (له 60٪ څخه ډیر حساب کوي)، د 5G بیس سټیشنونه، سرور مدر بورډونه، او د AI چپ بسته بندي.

دا په ۱۹۹۰ لسیزه کې د لیزر برمه کولو ټیکنالوژۍ له بشپړتیا وروسته راڅرګند شو. د اوسني اصلي جریان پروسه کولی شي د ۳۰μm سوري قطر ترلاسه کړي، او د سوري لږترلږه قطر ریکارډ ۱۵μm دی.

د صنعتي ډله ایز تولید لپاره د سوري لږترلږه قطر 50μm ته رسیدلی شي، او د لابراتوار حد 15μm دی، مګر لګښت د سوري قطر کمیدو سره په چټکۍ سره لوړیږي.

عموما، د اړخ تناسب له ۱:۱ څخه زیات نه وي، او ځانګړي پروسې کولی شي ۱:۰.۸ ته ورسیږي. د اړخ تناسب ډیر لوړ کیدی شي د ضعیف الیکټروپلیټینګ ډکولو لامل شي.

د مسو د بې الکترو پلیټینګ طبقې بشپړتیا ډاډمن کولو او د لنډ سرکټ خطر کمولو لپاره وړاندیز شوی لږترلږه فاصله ≥80μm ده.

سپارښتنه کیږي چې د کور بورډونو او پریپریګونو بدیل سټیکینګ وکاروئ، د انټر لیر ډایالټریک ضخامت په 50-75μm کې کنټرول شي ترڅو د سیګنال لیږد کیفیت ډاډمن شي.

دا اړینه ده چې د سوري پرازیتي ظرفیت (معمولي ارزښت

د BGA فین آوټ لپاره، د ړانده ډیزاین غوره دی. هر پیډ د 1-2 مایکروویا سره مطابقت لري، او د فین آوټ لاین پلنوالی له 40μm څخه کم نه دی.

د مایکروویاس له لارې د بریښنا/ځمکې د الوتکو ترمنځ د څو نقطو اړیکه احساس کړئ، د ≤5mm فاصلې سره، د الوتکو ترمنځ د خنډ کمولو لپاره.

د تودوخې د ضایع کیدو د ویاګانو کثافت زیات کړئ (سپارښتنه شوې ≥10 ویاګانې/cm²)، د سوري قطر ≥80μm سره، ترڅو د تودوخې د لیږد موثریت ښه شي.

د سولډر ماسک پرانیستل باید د هر اړخ د سوري قطر څخه 20-30μm لوی وي ترڅو د سولډر ماسک رنګ د سوري بندیدو مخه ونیسي.

د تارونو د طبقو د شمېر د زیاتولو لپاره د جوړونې پروسه غوره کړئ، او د تارونو د پرتونو پر ځای ړانده او ښخ شوي ویاس وکاروئ، کوم چې کولی شي د تارونو کثافت له 30٪ څخه ډیر زیات کړي.

په شمول د لیزر برمه کول (CO₂، UV لیزر)، پلازما ایچنګ، او میخانیکي برمه کول (یوازې د لویو سوریو قطرونو لپاره مناسب)، د لیزر برمه کول د 80٪ څخه ډیر حساب کوي.

د CO₂ لیزر د 0.075-0.15 ملي میتر سوري قطر لپاره مناسب دی چې لګښت یې ټیټ دی؛ UV لیزر کولی شي مایکروویاس

د CO₂ لیزر د برمه کولو سرعت په یوه دقیقه کې شاوخوا 5,000-10,000 سوري دي، او د UV لیزر سرعت په یوه دقیقه کې شاوخوا 2,000-5,000 سوري دي.

د لیزر برمه کولو د موقعیت دقت ±25μm دی، د میخانیکي برمه کولو دقت ±50μm دی، او UV لیزر کولی شي د ±15μm لوړ دقت ترلاسه کړي.

د نایتروجن په مرسته د لیزر برمه کول کولی شي د 5μm دننه د بور لوړوالی کنټرول کړي، یا د پلازما ډیسمیرینګ کارول کیدی شي.

د سوري له لارې د الکتروپلیټینګ پروسې ته اړتیا ده، د مسو پلیټینګ ضخامت په 25-35μm کې کنټرول شوی وي، او په سوري کې د مسو ضخامت یوشانوالی ≥85٪ وي.

د موصلي سوري دیوال باندې د 0.3-0.5μm مسو طبقه واچوئ ترڅو د چلونکي اساس چمتو کړئ. د فعالولو محلول کې د پیلاډیم ایونونو غلظت باید په 2-5ppm کې کنټرول شي.

د لامینیشن تودوخه 180-210 ℃ ده، فشار 300-500psi دی، او د تودوخې کچه 1-2 ℃/دقیقه ده ترڅو د ډایالټریک طبقې یونیفورم درملنه یقیني کړي.

د ویکیوم درجه باید د -95kPa څخه ښکته وي. د لامینیشن څخه دمخه د B مرحلې ته د پری پریګ درملنه وکړئ، او د بلبل نیمګړتیا کچه د 0.5٪ څخه ښکته راټیټ کیدی شي.

عام ډولونه یې د ډوبیدو سره زر (ضخامت 0.05-0.1μm)، OSP (د فلم ضخامت 0.2-0.5μm)، او ډوبیدو سره زر (0.1-0.3μm) دي. ډوبیدو سره زر تر ټولو لوړ اعتبار لري.

دا اړینه ده چې د رنګ واسکاسیټي په 80-120Pa・s کې کنټرول شي او د ویکیوم پلګ کولو پروسې څخه کار واخیستل شي ترڅو په سوریو کې د رنګ پاتې شونو مخه ونیول شي، د سوري بندیدو کچه ≤1٪ سره.

د لیزر پرې کول هغه وخت کارول کیږي کله چې د شکل دقت اړتیا

په شمول د سوري دیوالونو ناهمواروالی (ناهمواروالی Ra >1.5μm)، په سوریو کې تشې (د باطل تناسب >5٪)، د سوري انحراف (>±30μm)، او داسې نور.

د پلازما پاکول د سوراخ کولو پاتې شونو لرې کولو لپاره کارول کیږي، ترڅو د سوري دیوال د سطحې ناهموارۍ Ra ≤1.0μm وي.

د پاخه شویو پروسو لاندې ټول حاصل شاوخوا 85-92٪ دی. د سوري قطر څومره کوچنی وي، هومره حاصل کم وي. د 50μm مایکروویا حاصل شاوخوا 80٪ دی.

په شمول د FR-4 (ډایالکټریک ثابت 4.2-4.5)، د لوړ سرعت بورډونه (لکه راجرز 4350B، Dk=3.66)، BT رال، او نور.

د لوړ سرعت بورډونه د ټیټ زیان ټانجینټ (Df

د پرتونو د تړلو لپاره کارول کیږي، د ګلو مینځپانګه په 40-50٪ او مایعیت په 20-30٪ کې کنټرول کیږي ترڅو د لامینیشن وروسته د ډایالټریک یووالي ډاډمن شي.

د داخلي طبقې لپاره، د ۱۸μm یا ۳۵μm مسو ورق سپارښتنه کیږي. د بهرنۍ طبقې لپاره، د سیګنال ضایع کمولو لپاره ۱۸μm کارول کیدی شي. د HDI بورډونه ډیری وختونه د ۹μm الټرا پتلي مسو ورق کاروي.

دا باید د تودوخې مقاومت (په 260℃/10s کې د پوستکي نه خلاصیدل)، د موصلیت مقاومت (>10^12Ω)، او چپکولو (د کراس کټ ازموینې کچه 0) پوره کړي.

سپارښتنه کیږي چې د سیګنال لیږد ضایع کمولو لپاره د RTF (ریورس ټریټمینټ) مسو ورق وکاروئ چې د Ra

هغه موادو ته ترجیح ورکړئ چې ټیټ ډایالټریک ثابت (Dk

دوی باید د RoHS 2.0 لارښوونې سره سم عمل وکړي، د هالوجن مینځپانګې (کلورین + برومین)

د FR-4 اساس مواد تر ټولو ټیټ لګښت لري. د لوړ سرعت بورډونه د FR-4 په پرتله 3-5 ځله لګښت لري، او د BT رال په منځ کې دی.

اساس مواد باید د ۲۵ درجو څخه ښکته او د رطوبت

په شمول د بصری تفتیش، د سوری قطر اندازه کول، د سوری د مسو ضخامت ازموینه، د خنډ ازموینه، او د کراس برخې تحلیل.

د دوه بعدي انځور اندازه کولو وسیله (دقت ±1μm) یا د سکین کولو الکترون مایکروسکوپ (SEM) وکاروئ. د بیچ کشف لپاره اتوماتیک نظري تفتیش (AOI) کارول کیدی شي.

د IPC معیارونه اړتیا لري چې په سوري کې د مسو ضخامت ≥20μm وي، او د مسو د اوسط ضخامت او د مسو د لږترلږه ضخامت تناسب ≤1.5 وي، چې د میټالوګرافیک کراس سیکشن میتود لخوا کشف شوی.

د شبکې تحلیلګر وکاروئ چې د 1-10GHz د ازموینې فریکونسۍ حد ولري، او د خنډ انحراف باید د ±10٪ دننه کنټرول شي.

دا کولی شي د سوري دیوال کیفیت، د مسو د طبقې ضخامت، او د پرت د تړلو حالت په لید سره وګوري، د ±5μm د ټوټې کولو دقت سره.

د تودوخې فشار ازموینه (260℃/10 ځله)، د ولتاژ مقاومت ازموینه (500V DC/1 دقیقه)، او د تودوخې-رطوبت دورې ازموینه (-40℃~85℃) شامل دي.

وګورئ چې ایا د تودوخې شاک ازموینې وروسته د سوري دیوال درز کوي (288℃/10 ځله)، او د درز اوږدوالی

د مایکروسټرکچر د څارنې لپاره SEM، د عنصري جوړښت د کشف لپاره د انرژۍ خپریدونکي سپیکٹروسکوپي (EDS)، او د داخلي نیمګړتیاوو د کشف لپاره د ایکس رې څخه کار واخلئ.

د الیکټروپلیټینګ پروسې غوره کول ترڅو په سوریو کې تشې کمې شي، د سولډر ماسک طبقې چپکتیا پیاوړې شي، او د چاپیریالي عواملو له امله رامینځته شوي الیکټرو کیمیکل مهاجرت څخه مخنیوی وشي.

د عادي استعمال شرایطو لاندې، دا کولی شي 5-10 کلونو ته ورسیږي، او سخت چاپیریال (لوړه تودوخه، لوړه رطوبت) به یې 2-3 کلونو ته لنډ کړي.

د SMT پیسټ کول، BGA ویلډینګ، او د اجزاو داخلول شامل دي، د ±50μm د SMT پیسټ کولو دقت اړتیا سره.

د پیسټ کولو فشار په 0.5-1.0kg/cm² کې کنټرول کول اړین دي ترڅو اجزا د مایکروویا له سقوط څخه مخنیوی وکړي، او د ریفلو تنور منحني لوړ تودوخه 230-245 ℃ ده.

دا اړینه ده چې د سولډر بالونو (

د سولډر پیسټ چاپ کولو ضخامت (100-120μm) غوره کړئ، د نایتروجن محافظت شوي ریفلو سولډرینګ وکاروئ، او د اکسیجن مینځپانګه

د بیا کار تودوخه باید د 260 درجو څخه ښکته کنټرول شي، او وخت باید

د مایکروویا لپاره مناسب چې د سوري قطر ≥0.3 ملي میتر وي، د دوه ګوني څپې سولډرینګ یا انتخابي څپې سولډرینګ ته اړتیا لري، د سولډر څپې لوړوالی 25-35 ملي میتر وي.

د لیډ نه پاک سولډر پیسټ (SnAgCu الیاژ) ته لومړیتوب ورکړئ چې د ویلې کیدو نقطه یې 217℃ وي، د فلکس فعالیت کچه ​​RMA وي، او د پاتې شونو د موصلیت مقاومت >10^10Ω وي.

د سولډر پیسټ فلزي مواد 90-92٪ ته راټیټ کړئ، د سټینسل پرانیستلو ډیزاین غوره کړئ، او د سولډر بیډ نیمګړتیا کچه د 0.1٪ څخه ښکته راټیټه کیدی شي.

د اوبو پر بنسټ د پاکولو اجنټان د 50-60 ℃ په تودوخه کې د 3-5 دقیقو لپاره وکاروئ ترڅو ډاډ ترلاسه کړئ چې د پاتې شونو ایون غلظت

د کشف دقت ±25μm او د برعکس حد 30-50٪ ته تنظیم کړئ، کوم چې کولی شي د اسمبلۍ نیمګړتیاوې له 95٪ څخه ډیر کشف کړي.

د موادو لګښتونه ۴۰-۵۰٪، د پروسس لګښت ۳۰-۴۰٪، او د تفتیش او بسته بندۍ لګښتونه ۱۰-۲۰٪ دي.

د سوري قطر، د طبقو شمېر، د سطحې د درملنې پروسه، د موادو ډول. د سوري په لږترلږه قطر کې هر 10μm کمښت لګښتونه 15-20٪ زیاتوي.

د طبقو شمیر کمولو لپاره ډیزاین غوره کړئ، معیاري مواد وکاروئ، او د تولید بیچونه زیات کړئ، کوم چې کولی شي لګښتونه 10-30٪ کم کړي.

د دودیزو پروسو لپاره د تولید دوره 7-10 ورځې ده، او عاجل امرونه 3-5 ورځو ته راټیټ کیدی شي، مګر لګښت یې 20-30٪ زیاتیږي.

د اتومات تولید لینونه غوره کړئ، د پروسې جریان غوره کړئ، او د لیزر برمه کولو تجهیزاتو د کارولو کچه له 80٪ څخه زیاته کړئ.

د یوې واحدې تولیدي کرښې میاشتنی تولید ظرفیت شاوخوا 5,000-10,000㎡ دی، چې د تجهیزاتو ترتیب او د پروسې پیچلتیا پورې اړه لري.

د کوچنیو بستونو (۱۰۰۰㎡) په پرتله ۴۰-۶۰٪ لوړ دی، چې په عمده توګه د ماشین تنظیم او د ثابت لګښت تخصیص له امله دی.

د ساحې (یوآن/㎡)، د طبقو شمیر، د سوري قطر، او داسې نورو له مخې په جامع ډول محاسبه کیږي. د یو عادي 8-طبقې 0.1 ملي میتر مایکروویا بورډ لپاره د پروسس فیس شاوخوا 2000-3000 یوآن/㎡ دی.

د DFM ډیزاین اصلاح کولو له لارې، د فعالیت پوره کولو په اساس د زغم اړتیاو آرام کول کولی شي لګښتونه له 15٪ څخه ډیر کم کړي.

د بشپړ تولید لاین تجهیزاتو پانګونه شاوخوا 10-20 ملیون یوان ده، پشمول د لیزر برمه کولو ماشینونه، الکتروپلیټینګ لاینونه، لامینیټرونه او نور.

د کوچنیو سوریو قطر (20 طبقو)، ټیټ ضایع کیدو، او مدغم بسته بندۍ په لور وده کول.

د چپ سټیکینګ اړتیاو پوره کولو لپاره د عمودی انټرکنکشن سوري قطر

د پروسې پیرامیټر اصلاح کولو او هوښیار نیمګړتیاو کشف لپاره کارول کیږي، کوم چې کولی شي حاصلات 5-10٪ او د کشف موثریت 30٪ زیات کړي.

د 10μm سوري قطرونو لابراتوار تولید ترلاسه شوی، مګر ډله ایز تولید د موادو، تجهیزاتو او لګښت ننګونو سره مخ دی.

د لوړ کثافت انټرکنیکشن له لارې د چپس او PCBs ترمنځ بې ساري اړیکه ترلاسه کړئ، د سیګنال لیږد لارې لنډې کړئ، او د سیسټم فعالیت ښه کړئ.

د چاپیریال دوستانه موادو او پروسو څخه کار واخلئ، د فاضله اوبو په خارجولو کې د درنو فلزاتو مینځپانګه

د سیګنال لیږد جوړښتونو د غوره کولو لپاره د ټیټ ډایالټریک ثابت (Dk＜3.0)، خورا ټیټ ضایع (Df＜0.001) موادو او سوري قطرونو ته اړتیا ده.

دا اړینه ده چې د سوري دیوال د درزیدو او د مسو د طبقې د خمیدو په وخت کې د خلاصیدو ستونزې حل شي، د خمیدو شعاع ≥3mm سره.

د ډیجیټل فابریکو له لارې د بشپړ پروسې څارنه او اتومات تولید ترلاسه کړئ، د تولید موثریت له 50٪ څخه ډیر زیات شوی.

د کوانټم سیګنال لیږد ډاډمن کولو لپاره د فرعي مایکرون په کچه د سوري قطر او د کرښې پلنوالی کنټرول سره خورا ټیټ زیان او لوړ ثبات متقابل اتصال ته اړتیا ده.

د چپس، کیمرې او نورو لوړ کثافت ادغام ترلاسه کولو لپاره د 0.075 ملي میتر سوري قطر سره د 6-10 پرتونو HDI بورډونو څخه کار واخلئ، چې د ګرځنده تلیفون مدر بورډ لګښت 30-40٪ جوړوي.

د ټیټ تاوان لرونکي بورډونو (Df＜0.003)، د 28GHz څخه پورته فریکونسي بانډونو ملاتړ، او د کثافت ≥15 ویاس/cm² له لارې د تودوخې ضایع کیدو ته اړتیا ده.

د څو پروسیسرونو د لوړ سرعت انټرکنکشن پوره کولو ته اړتیا، د سټبونو له منځه وړلو لپاره د بیک ډرل کولو ټیکنالوژۍ کارول، او د سیګنال لیږد ځنډ

د AEC-Q100 تصدیق پاس کړئ، د تودوخې مقاومت حد -40℃~125℃، او د 1000 ساعتونو مالګې سپرې ازموینه پاس کړئ.