ମାଇକ୍ରୋ ପୋରସ ପିସିବି

ଲେଜର କିମ୍ବା ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରି ନିର୍ମିତ ଏକ ମୁଦ୍ରିତ ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ (PCB) ଯାହାର ବ୍ୟାସ 0.15mm ରୁ କମ୍ (ଶିଳ୍ପ ସାଧାରଣତଃ 0.1mm ମାନକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରେ), ଉଚ୍ଚ-ଘନତା ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।

ଗାତର ବ୍ୟାସ ସାଧାରଣ PCB ତୁଳନାରେ 50% ରୁ ଅଧିକ ଛୋଟ, ଲାଇନ ପ୍ରସ୍ଥ/ବ୍ୟବଧାନ 30μm/30μm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପହଞ୍ଚିପାରେ, ତାରର ଘନତା 2-3 ଗୁଣ ବୃଦ୍ଧି ପାଏ, ଏବଂ ଏହା ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଗତି ସିଗନାଲ ପ୍ରସାରଣ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।

ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅନୁସାରେ, ସେଗୁଡ଼ିକୁ ବ୍ଲାଇଣ୍ଡ ଭାୟା (ଏକକ-ପାର୍ଶ୍ୱୀୟ ପରିବହନ), ପୁରିତ ଭାୟା (ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପରିବହନ), ଏବଂ ଥ୍ରୁ ଭାୟା (ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ବୋର୍ଡ ମାଧ୍ୟମରେ) ରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି। ସାଧାରଣ ବ୍ଲାଇଣ୍ଡ ଭାୟା ବ୍ୟାସ ପରିସର 50-100μm ଅଟେ।

ସ୍ମାର୍ଟଫୋନ୍ (60% ରୁ ଅଧିକ), 5G ବେସ୍ ଷ୍ଟେସନ୍, ସର୍ଭର ମଦରବୋର୍ଡ ଏବଂ AI ଚିପ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଭଳି ଉଚ୍ଚ-ଘନତା ସମନ୍ୱୟ ପରିସ୍ଥିତିରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।

ଏହା 1990 ଦଶକରେ ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ପରିପକ୍ୱତା ପରେ ଉଭା ହୋଇଥିଲା। ବର୍ତ୍ତମାନର ମୁଖ୍ୟଧାରାର ପ୍ରକ୍ରିୟା 30μm ଗାତ ବ୍ୟାସ ହାସଲ କରିପାରିବ, ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ଗାତ ବ୍ୟାସ ରେକର୍ଡ 15μm ଅଟେ।

ଶିଳ୍ପ ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ସର୍ବନିମ୍ନ ଗାତ ବ୍ୟାସ 50μm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପହଞ୍ଚିପାରେ, ଏବଂ ପରୀକ୍ଷାଗାର ସୀମା 15μm, କିନ୍ତୁ ଗାତ ବ୍ୟାସ ହ୍ରାସ ସହିତ ଖର୍ଚ୍ଚ ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଏ।

ସାଧାରଣତଃ, ଦିଗ ଅନୁପାତ 1:1 ଅତିକ୍ରମ କରେ ନାହିଁ, ଏବଂ ବିଶେଷ ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକ 1:0.8 ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପହଞ୍ଚିପାରେ। ଅତ୍ୟଧିକ ଦିଗ ଅନୁପାତ ଖରାପ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ଫିଲିଂ ସୃଷ୍ଟି କରିବାର ସମ୍ଭାବନା ଅଧିକ।

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲେସ୍ କପର ପ୍ଲେଟିଂ ସ୍ତରର ଅଖଣ୍ଡତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ଏବଂ ସର୍ଟ ସର୍କିଟର ବିପଦ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ସୁପାରିଶ କରାଯାଇଥିବା ସର୍ବନିମ୍ନ ବ୍ୟବଧାନ ≥80μm।

ସିଗନାଲ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ଗୁଣବତ୍ତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ କୋର୍ ବୋର୍ଡ ଏବଂ ପ୍ରିପ୍ରେଗ୍ସର ବିକଳ୍ପ ଷ୍ଟାକିଂ ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ ସୁପାରିଶ କରାଯାଇଛି, ଯେଉଁଥିରେ ଇଣ୍ଟରଲେୟର ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଘନତା 50-75μm ରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହେବ।

ଗାତର ପରଜୀବୀ କ୍ଷମତା (ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ

BGA ଫ୍ୟାନ୍-ଆଉଟ୍ ପାଇଁ, ବ୍ଲାଇଣ୍ଡ ଭାୟା ଡିଜାଇନ୍ ପସନ୍ଦ କରାଯାଏ। ପ୍ରତ୍ୟେକ ପ୍ୟାଡ୍ 1-2 ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ସହିତ ସମାନ, ଏବଂ ଫ୍ୟାନ୍-ଆଉଟ୍ ଲାଇନ୍ ପ୍ରସ୍ଥ 40μm ରୁ କମ୍ ନୁହେଁ।

ପ୍ଲେନଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ≤5 ମିମି ବ୍ୟବଧାନ ସହିତ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ମାଧ୍ୟମରେ ପାୱାର/ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ ପ୍ଲେନଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ବହୁ-ପଏଣ୍ଟ ସଂଯୋଗ ହାସଲ କରନ୍ତୁ।

ତାପ ପରିବହନ ଦକ୍ଷତା ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ତାପ ଅପଚୟ ଭେୟା (≥10 ଭେୟା/ସେମି² ସୁପାରିଶ କରାଯାଇଛି), ଏକ ଗାତ ବ୍ୟାସ ≥80μm ସହିତ ଘନତା ବୃଦ୍ଧି କରନ୍ତୁ।

ସୋଲଡର ମାସ୍କ କାଳି ଗାତକୁ ଅବରୋଧ ନକରିବା ପାଇଁ ସୋଲଡର ମାସ୍କ ଖୋଲିବା ପ୍ରତ୍ୟେକ ପାର୍ଶ୍ୱର ଗାତ ବ୍ୟାସ ଅପେକ୍ଷା 20-30μm ବଡ଼ ହେବା ଉଚିତ।

ୱାୟାରିଂ ସ୍ତର ସଂଖ୍ୟା ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ ଏକ ବିଲ୍ଡ-ଅପ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ରହଣ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ଥ୍ରୁ ଭାୟା ବଦଳରେ ବ୍ଲାଇଣ୍ଡ ଏବଂ ପୁରେଇ ହୋଇଥିବା ଭାୟା ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, ଯାହା ୱାୟାରିଂ ଘନତାକୁ 30% ରୁ ଅଧିକ ବୃଦ୍ଧି କରିପାରିବ।

ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂ (CO₂, UV ଲେଜର), ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ, ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଡ୍ରିଲିଂ (କେବଳ ବଡ଼ ଗାତ ବ୍ୟାସ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଯେଉଁଥିରେ ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂ 80% ରୁ ଅଧିକ ଅଟେ।

CO₂ ଲେଜର 0.075-0.15mm ବ୍ୟାସ ବିଶିଷ୍ଟ ଗାତ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଏବଂ କମ ମୂଲ୍ୟରେ; UV ଲେଜର ମାଇକ୍ରୋଭିଆକୁ

CO₂ ଲେଜରର ଡ୍ରିଲିଂ ଗତି ପ୍ରତି ମିନିଟ୍‌ରେ ପ୍ରାୟ 5,000-10,000 ଗାତ ଏବଂ UV ଲେଜରର ପ୍ରତି ମିନିଟ୍‌ରେ ପ୍ରାୟ 2,000-5,000 ଗାତ।

ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂର ସ୍ଥିତିକରଣ ସଠିକତା ±25μm, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଡ୍ରିଲିଂର ±50μm, ଏବଂ UV ଲେଜର ±15μm ଉଚ୍ଚ ସଠିକତା ହାସଲ କରିପାରିବ।

ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍-ସହାୟତାପ୍ରାପ୍ତ ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂ 5μm ମଧ୍ୟରେ ବର୍ ଉଚ୍ଚତାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିପାରିବ, କିମ୍ବା ପ୍ଲାଜ୍ମା ଡେସମିୟରିଂ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ।

ଏକ ହୋଲ୍-ଥ୍ରୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆବଶ୍ୟକ, ଯେଉଁଥିରେ ତମ୍ବା ପ୍ଲେଟିଂ ଘନତା 25-35μm ରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇଥାଏ, ଏବଂ ଗାତରେ ତମ୍ବା ଘନତାର ସମାନତା ≥85% ହୋଇଥାଏ।

ଏକ ପରିବାହୀ ଆଧାର ପ୍ରଦାନ କରିବା ପାଇଁ ଇନସୁଲେଟିଂ ଗାତ କାନ୍ଥରେ 0.3-0.5μm ତମ୍ବା ସ୍ତର ଜମା କରନ୍ତୁ। ସକ୍ରିୟକରଣ ଦ୍ରବଣରେ ପାଲାଡିୟମ୍ ଆୟନର ସାନ୍ଦ୍ରତା 2-5ppm ରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାକୁ ପଡିବ।

ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ତରର ସମାନ ଚିକିତ୍ସା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଲାମିନେସନ୍ ତାପମାତ୍ରା 180-210℃, ଚାପ 300-500psi, ଏବଂ ଗରମ ହାର 1-2℃/ମିନିଟ୍।

ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିଗ୍ରୀ -95kPa ତଳେ ରହିବା ଆବଶ୍ୟକ। ଲାମିନେସନ୍ ପୂର୍ବରୁ ପ୍ରିପ୍ରେଗ୍ କୁ B-ଷ୍ଟେଜ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରି-କ୍ୟୁରି କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ବବଲ୍ ତ୍ରୁଟି ହାରକୁ 0.5% ତଳେ ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରିବ।

ସାଧାରଣ ଜିନିଷଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଇମର୍ସନ ସୁନା (0.05-0.1μm ଘନତା), OSP (ଫିଲ୍ମ ଘନତା 0.2-0.5μm), ଏବଂ ଇମର୍ସନ ରୂପା (0.1-0.3μm) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ। ଇମର୍ସନ ସୁନାର ସର୍ବାଧିକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ରହିଛି।

80-120Pa・s ରେ କାଳି ସାନ୍ଦ୍ରତାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଏବଂ ଗାତଗୁଡ଼ିକରେ କାଳି ଅବଶିଷ୍ଟ୍ୟକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଏକ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ଲଗିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯାହାର ଗାତ ଅବରୋଧ ହାର ≤1%।

ଆକୃତି ସଠିକତା ଆବଶ୍ୟକତା

ରୁକ୍ଷ ଗାତ କାନ୍ଥ (ରୁକ୍ଷୁଦ୍ରତା Ra >1.5μm), ଗାତରେ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ (ଶୂନ୍ୟ ଅନୁପାତ >5%), ଗାତ ବିଚ୍ୟୁତି (>±30μm), ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ।

ଡ୍ରିଲିଂ ଅବଶିଷ୍ଟାଂଶକୁ ଅପସାରଣ କରିବା ପାଇଁ ପ୍ଲାଜମା ସଫା କରିବା ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯାହା ଦ୍ଵାରା ଗାତ କାନ୍ଥର ପୃଷ୍ଠର ଖରସତା Ra ≤1.0μm ହୁଏ।

ପରିପକ୍ୱ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ମୋଟ ଅମଳ ପ୍ରାୟ 85-92%। ଗାତର ବ୍ୟାସ ଯେତେ ଛୋଟ ହେବ, ଅମଳ ସେତେ କମ୍ ହେବ। 50μm ମାଇକ୍ରୋଭିଆସର ଅମଳ ପ୍ରାୟ 80%।

FR-4 (ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ଥିରାଙ୍କ 4.2-4.5), ହାଇ-ସ୍ପିଡ୍ ବୋର୍ଡ (ଯେପରିକି ରୋଜର୍ସ 4350B, Dk=3.66), BT ରେଜିନ୍, ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ।

ହାଇ-ସ୍ପିଡ୍ ବୋର୍ଡଗୁଡ଼ିକର କ୍ଷତି ଟାଞ୍ଜେଣ୍ଟ କମ୍ (Df

ଲାମିନେସନ୍ ପରେ ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍‌ର ସମାନତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଏହାକୁ ଆଣ୍ଠୁ ପରିମାଣ 40-50% ଏବଂ ତରଳତା 20-30% ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ସ୍ତର ବନ୍ଧନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଏ।

ଭିତର ସ୍ତର ପାଇଁ, 18μm କିମ୍ବା 35μm ତମ୍ବା ଫଏଲ୍ ସୁପାରିଶ କରାଯାଏ। ବାହ୍ୟ ସ୍ତର ପାଇଁ, ସିଗନାଲ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ 18μm ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ। HDI ବୋର୍ଡଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରାୟତଃ 9μm ଅଲ୍ଟ୍ରା-ପତଳା ତମ୍ବା ଫଏଲ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି।

ଏହାକୁ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ (260℃/10s ରେ କୌଣସି ପିଲିଂ ନାହିଁ), ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ (>10^12Ω), ଏବଂ ଆଡେସନ (କ୍ରସ-କଟ୍ ପରୀକ୍ଷଣ ସ୍ତର 0) ପୂରଣ କରିବାକୁ ପଡିବ।

ସିଗନାଲ ଟ୍ରାନ୍ସମିଶନ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ RTF (ରିଭର୍ସ ଟ୍ରିଟମେଣ୍ଟ) କପର ଫଏଲକୁ ରୁକ୍ଷତା Ra

PTFE-ଆଧାରିତ ବୋର୍ଡ ଭଳି କମ୍ ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ଥିରାଙ୍କ (Dk

ସେମାନଙ୍କୁ ହାଲୋଜେନ ବିଷୟବସ୍ତୁ (କ୍ଲୋରିନ + ବ୍ରୋମିନ)

FR-4 ମୂଳ ସାମଗ୍ରୀର ମୂଲ୍ୟ ସବୁଠାରୁ କମ। ହାଇ-ସ୍ପିଡ୍ ବୋର୍ଡଗୁଡ଼ିକର ମୂଲ୍ୟ FR-4 ଅପେକ୍ଷା 3-5 ଗୁଣ ଅଧିକ, ଏବଂ BT ରେଜିନ୍ ମଧ୍ୟବର୍ତ୍ତୀ।

ମୂଳ ସାମଗ୍ରୀକୁ 25℃ ତଳେ ଏବଂ ଆର୍ଦ୍ରତା

ଦୃଶ୍ୟ ନିରୀକ୍ଷଣ, ଗାତ ବ୍ୟାସ ମାପ, ଗାତ ତମ୍ବା ଘନତା ପରୀକ୍ଷା, ପ୍ରତିବାଧା ପରୀକ୍ଷା, ଏବଂ କ୍ରସ-ସେକ୍ସନ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ।

ଏକ ଦ୍ୱି-ପରିମାଣୀୟ ପ୍ରତିଛବି ମାପକ ଉପକରଣ (ସଠିକତା ±1μm) କିମ୍ବା ସ୍କାନିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ (SEM) ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ। ବ୍ୟାଚ୍ ଚିହ୍ନଟ ପାଇଁ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ନିରୀକ୍ଷଣ (AOI) ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ।

IPC ମାନଦଣ୍ଡ ଅନୁଯାୟୀ ଗାତରେ ଥିବା ତମ୍ବା ଘନତା ≥20μm ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ହାରାହାରି ତମ୍ବା ଘନତା ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ତମ୍ବା ଘନତାର ଅନୁପାତ ≤1.5 ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯାହାକି ମେଟାଲୋଗ୍ରାଫିକ୍ କ୍ରସ-ସେକ୍ସନ୍ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ଚିହ୍ନଟ କରାଯାଇଛି।

1-10GHz ପରୀକ୍ଷଣ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିସର ସହିତ ଏକ ନେଟୱାର୍କ ବିଶ୍ଳେଷକ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ପ୍ରତିବାଧା ବିଚ୍ୟୁତି ±10% ମଧ୍ୟରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହେବା ଉଚିତ।

ଏହା ±5μm ସ୍ଲାଇସିଂ ସଠିକତା ସହିତ ଗାତ କାନ୍ଥର ଗୁଣବତ୍ତା, ତମ୍ବା ସ୍ତର ଘନତା ଏବଂ ଆନ୍ତଃସ୍ତର ବନ୍ଧନ ଅବସ୍ଥାକୁ ଦୃଶ୍ୟମାନ ଭାବରେ ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣ କରିପାରିବ।

ତାପଜ ଚାପ ପରୀକ୍ଷା (260℃/10 ଥର), ସହ୍ୟ ଭୋଲଟେଜ ପରୀକ୍ଷା (500V DC/1 ମିନିଟ୍), ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା-ଆଦ୍ରତା ଚକ୍ର ପରୀକ୍ଷା (-40℃~85℃) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ।

ଥର୍ମାଲ୍ ସକ୍ ପରୀକ୍ଷଣ (288℃/10 ଥର) ପରେ ଗାତ କାନ୍ଥ ଫାଟିଛି କି ନାହିଁ, ଏବଂ

ମାଇକ୍ରୋଷ୍ଟ୍ରକଚର ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣ ପାଇଁ SEM, ମୌଳିକ ଗଠନ ଚିହ୍ନଟ ପାଇଁ ଶକ୍ତି-ବିସ୍ତାରକାରୀ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରୋସ୍କୋପି (EDS) ଏବଂ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ତ୍ରୁଟି ଚିହ୍ନଟ ପାଇଁ ଏକ୍ସ-ରେ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ।

ଗାତରେ ଥିବା ଖାଲି ସ୍ଥାନକୁ ହ୍ରାସ କରିବା, ସୋଲଡର ମାସ୍କ ସ୍ତରର ଆବଦ୍ଧତାକୁ ସୁଦୃଢ଼ ​​କରିବା ଏବଂ ପରିବେଶଗତ କାରଣ ଯୋଗୁଁ ହେଉଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋକେମିକାଲ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତରକୁ ଏଡାଇବା ପାଇଁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରନ୍ତୁ।

ସାଧାରଣ ବ୍ୟବହାର ପରିସ୍ଥିତିରେ, ଏହା 5-10 ବର୍ଷ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପହଞ୍ଚିପାରେ, ଏବଂ କଠୋର ପରିବେଶ (ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ ଆର୍ଦ୍ରତା) ଏହାକୁ 2-3 ବର୍ଷକୁ କମାଇ ଦେବ।

ଏଥିରେ SMT ପେଷ୍ଟିଂ, BGA ୱେଲ୍ଡିଂ, ଏବଂ କମ୍ପୋନେଣ୍ଟ ଇନସର୍ସନ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଯେଉଁଥିରେ ±50μm SMT ପେଷ୍ଟିଂ ସଠିକତା ଆବଶ୍ୟକତା ରହିଛି।

ମାଇକ୍ରୋଭିଆଗୁଡ଼ିକୁ ଭାଙ୍ଗିବାରୁ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ପେଷ୍ଟିଂ ଚାପକୁ 0.5-1.0kg/cm² ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ରିଫ୍ଲୋ ଓଭନ୍ କର୍ଭରର ସର୍ବାଧିକ ତାପମାତ୍ରା 230-245℃ ଅଟେ।

ସୋଲ୍ଡର ବଲ୍ (

ସୋଲ୍ଡର ପେଷ୍ଟ ପ୍ରିଣ୍ଟିଂ ଘନତା (100-120μm)କୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରନ୍ତୁ, ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍-ସୁରକ୍ଷିତ ରିଫ୍ଲୋ ସୋଲ୍ଡରିଂ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ଅମ୍ଳଜାନ ପରିମାଣ

ପୁନଃକାର୍ଯ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା 260℃ ତଳେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହେବା ଉଚିତ, ଏବଂ ଗାତ କାନ୍ଥରେ ଥିବା ତମ୍ବା ସ୍ତରକୁ ଛଡ଼ାଇ ନ ଦେବା ପାଇଁ ସମୟ

≥0.3mm ଗାତ ବ୍ୟାସ ସହିତ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, ଡବଲ-ୱେଭ୍ ସୋଲଡରିଂ କିମ୍ବା ଚୟନାତ୍ମକ ୱେଭ୍ ସୋଲଡରିଂ ଆବଶ୍ୟକ, 25-35mm ସୋଲଡର ୱେଭ୍ ଉଚ୍ଚତା ସହିତ।

217℃ ତରଳାଇବା ବିନ୍ଦୁ, ଫ୍ଲକ୍ସ କାର୍ଯ୍ୟକଳାପ ସ୍ତର RMA, ଏବଂ ଅବଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ >10^10Ω ସହିତ ସୀସା-ମୁକ୍ତ ସୋଲ୍ଡର ପେଷ୍ଟ (SnAgCu ମିଶ୍ରଧାତୁ)କୁ ପ୍ରାଥମିକତା ଦିଅନ୍ତୁ।

ସୋଲ୍ଡର ପେଷ୍ଟର ଧାତୁ ପରିମାଣକୁ 90-92% ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ହ୍ରାସ କରନ୍ତୁ, ଷ୍ଟେନସିଲ ଖୋଲିବା ଡିଜାଇନକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ସୋଲ୍ଡର ବିଡ୍ ତ୍ରୁଟି ହାରକୁ 0.1% ରୁ କମ କରାଯାଇପାରିବ।

ଅବଶିଷ୍ଟ ଆୟନ ସାନ୍ଦ୍ରତା

ଚିହ୍ନଟ ସଠିକତା ±25μm ଏବଂ ବିପରୀତ ସୀମା 30-50% ରେ ସେଟ୍ କରନ୍ତୁ, ଯାହା 95% ରୁ ଅଧିକ ଆସେମ୍ବଲି ତ୍ରୁଟି ଚିହ୍ନଟ କରିପାରିବ।

ସାମଗ୍ରୀ ଖର୍ଚ୍ଚ 40-50%, ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଖର୍ଚ୍ଚ 30-40%, ଏବଂ ଯାଞ୍ଚ ଏବଂ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଖର୍ଚ୍ଚ 10-20%।

ଗାତ ବ୍ୟାସ, ସ୍ତର ସଂଖ୍ୟା, ପୃଷ୍ଠ ଚିକିତ୍ସା ପ୍ରକ୍ରିୟା, ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରକାର। ସର୍ବନିମ୍ନ ଗାତ ବ୍ୟାସରେ ପ୍ରତ୍ୟେକ 10μm ହ୍ରାସ 15-20% ଖର୍ଚ୍ଚ ବୃଦ୍ଧି କରେ।

ସ୍ତର ସଂଖ୍ୟା ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରନ୍ତୁ, ମାନକୀକୃତ ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ବ୍ୟାଚ୍ ବୃଦ୍ଧି କରନ୍ତୁ, ଯାହା ଖର୍ଚ୍ଚ 10-30% ହ୍ରାସ କରିପାରିବ।

ପାରମ୍ପରିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଉତ୍ପାଦନ ଚକ୍ର 7-10 ଦିନ, ଏବଂ ଜରୁରୀ ଅର୍ଡରଗୁଡ଼ିକୁ 3-5 ଦିନ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସଙ୍କୁଚିତ କରାଯାଇପାରିବ, କିନ୍ତୁ ଖର୍ଚ୍ଚ 20-30% ବୃଦ୍ଧି ପାଏ।

ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନଗୁଡ଼ିକୁ ଗ୍ରହଣ କରନ୍ତୁ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରବାହକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂ ଉପକରଣର ବ୍ୟବହାର ହାରକୁ 80% ରୁ ଅଧିକ କରନ୍ତୁ।

ଉପକରଣ ବିନ୍ୟାସ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଜଟିଳତା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି ଏକ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନର ମାସିକ ଉତ୍ପାଦନ କ୍ଷମତା ପ୍ରାୟ 5,000-10,000㎡।

ଛୋଟ ବ୍ୟାଚ୍‌ର ମୂଲ୍ୟ (1000㎡) ତୁଳନାରେ 40-60% ଅଧିକ, ମୁଖ୍ୟତଃ ମେସିନ୍ ସେଟଅପ୍ ଏବଂ ସ୍ଥିର ମୂଲ୍ୟ ଆବଣ୍ଟନ ଯୋଗୁଁ।

କ୍ଷେତ୍ରଫଳ (ୟୁଆନ/㎡), ସ୍ତର ସଂଖ୍ୟା, ଗାତ ବ୍ୟାସ, ଇତ୍ୟାଦି ଅନୁସାରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ଗଣନା କରାଯାଇଛି। ଏକ ସାଧାରଣ 8-ସ୍ତର 0.1mm ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ବୋର୍ଡ ପାଇଁ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଶୁଳ୍କ ପ୍ରାୟ 2000-3000 ୟୁଆନ/㎡।

DFM ଡିଜାଇନ୍ ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ, କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପୂରଣ କରିବା ଆଧାରରେ ସହନଶୀଳତା ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ଶିଥିଳ କରିବା ଦ୍ୱାରା ଖର୍ଚ୍ଚ 15% ରୁ ଅଧିକ ହ୍ରାସ ପାଇପାରିବ।

ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନ ଉପକରଣରେ ପ୍ରାୟ 10-20 ନିୟୁତ ୟୁଆନ ନିବେଶ, ଯେଉଁଥିରେ ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂ ମେସିନ୍, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ଲାଇନ, ଲାମିନେଟର ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ।

ଛୋଟ ଗାତ ବ୍ୟାସ (20 ସ୍ତର), କମ୍ କ୍ଷତି ଏବଂ ସମନ୍ୱିତ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଆଡ଼କୁ ବିକାଶ ହେଉଛି।

ଚିପ୍ ଷ୍ଟାକିଂ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଭୂଲମ୍ବ ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ଗାତ ବ୍ୟାସ

ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟର ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ବୁଦ୍ଧିମାନ ତ୍ରୁଟି ଚିହ୍ନଟ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯାହା ଉତ୍ପାଦନ 5-10% ଏବଂ ଚିହ୍ନଟ ଦକ୍ଷତା 30% ବୃଦ୍ଧି କରିପାରିବ।

10μm ଗାତ ବ୍ୟାସର ପରୀକ୍ଷାଗାର ଉତ୍ପାଦନ ହାସଲ କରାଯାଇଛି, କିନ୍ତୁ ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନ ସାମଗ୍ରୀ, ଉପକରଣ ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜର ସମ୍ମୁଖୀନ ହେଉଛି।

ଉଚ୍ଚ-ଘନତା ଇଣ୍ଟରକନେକ୍ସନ ମାଧ୍ୟମରେ ଚିପ୍ସ ଏବଂ PCB ମଧ୍ୟରେ ସୁଗମ ସଂଯୋଗ ହାସଲ କରନ୍ତୁ, ସିଗନାଲ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ପଥକୁ ଛୋଟ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରନ୍ତୁ।

ପରିବେଶ ଅନୁକୂଳ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, ପରିଷ୍କାର ଜଳ ନିଷ୍କାସନରେ ଭାରୀ ଧାତୁ ପରିମାଣ

ସିଗନାଲ ଟ୍ରାନ୍ସମିଶନ ଗଠନକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ କମ୍ ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ଥିରାଙ୍କ (Dk＜3.0), ଅଲ୍ଟ୍ରା-କମ୍ କ୍ଷତି (Df＜0.001) ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଗାତ ବ୍ୟାସର ଆବଶ୍ୟକତା ଅଛି।

ବଙ୍କା ସମୟରେ ଗାତ କାନ୍ଥ ଫାଟିବା ଏବଂ ତମ୍ବା ସ୍ତର ଖୋଳିବା ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯାହାର ବଙ୍କା ବ୍ୟାସାର୍ଦ୍ଧ ≥3mm।

ଡିଜିଟାଲ୍ କାରଖାନା ମାଧ୍ୟମରେ ପୂର୍ଣ୍ଣ-ପ୍ରକ୍ରିୟା ତଦାରଖ ଏବଂ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଉତ୍ପାଦନ ହାସଲ କରନ୍ତୁ, ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତା 50% ରୁ ଅଧିକ ବୃଦ୍ଧି ପାଇବ।

କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ସିଗନାଲ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ସବମାଇକ୍ରୋନ୍ ସ୍ତରରେ ଗାତ ବ୍ୟାସ ଏବଂ ରେଖା ପ୍ରସ୍ଥ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ସହିତ ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍ କ୍ଷତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ସ୍ଥିରତା ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ଆବଶ୍ୟକ।

ଚିପ୍ସ, କ୍ୟାମେରା ଇତ୍ୟାଦିର ଉଚ୍ଚ-ଘନତା ସମନ୍ୱୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ୦.୦୭୫ ମିମି ଗାତ ବ୍ୟାସ ସହିତ ୬-୧୦ ସ୍ତରର HDI ବୋର୍ଡ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, ଯାହା ମୋବାଇଲ୍ ଫୋନ୍ ମଦରବୋର୍ଡ ମୂଲ୍ୟର ୩୦-୪୦% ଅଟେ।

କମ୍ କ୍ଷତିକାରୀ ବୋର୍ଡ (Df＜0.003), 28GHz ଉପରେ ସମର୍ଥନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଏବଂ ≥15 vias/cm² ଘନତା ମାଧ୍ୟମରେ ତାପ ଅପଚୟ ଆବଶ୍ୟକ।

ଏକାଧିକ ପ୍ରୋସେସରର ଉଚ୍ଚ-ଗତି ଇଣ୍ଟରକନେକ୍ସନ ପୂରଣ କରିବା, ଷ୍ଟବ୍ସକୁ ଦୂର କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟାକ୍-ଡ୍ରିଲିଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରିବା ଏବଂ ସିଗନାଲ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ବିଳମ୍ବ

AEC-Q100 ପ୍ରମାଣପତ୍ର, ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ପରିସର -40℃~125℃, ଏବଂ 1000-ଘଣ୍ଟା ଲୁଣ ସ୍ପ୍ରେ ପରୀକ୍ଷା ପାସ୍ କରନ୍ତୁ।