Mikro g'ovakli PCB

Yuqori zichlikdagi o'zaro bog'lanish uchun ishlatiladigan, teshik diametri 0,15 mm dan kichik bo'lgan (sanoat odatda 0,1 mm dan standart sifatida foydalanadi) lazer yoki plazma o'yib ishlov berish texnologiyasidan foydalangan holda ishlab chiqarilgan bosma elektron plata (PCB).

Teshik diametri oddiy PCBlarga qaraganda 50% dan ko'proq kichikroq, chiziq kengligi/oraliq oralig'i 30μm/30μm ga yetishi mumkin, simlarning zichligi 2-3 baravar oshiriladi va yuqori chastotali va yuqori tezlikdagi signal uzatish uchun mos keladi.

Jarayonga ko'ra, ular ko'r-ko'rona o'tish yo'llari (bir tomonlama o'tkazuvchanlik), ko'milgan o'tish yo'llari (ichki o'tkazuvchanlik) va butun taxta orqali o'tish yo'llariga bo'linadi. Umumiy ko'r-ko'rona o'tish diametri diapazoni 50-100 μm.

Smartfonlar (60% dan ortiqni tashkil qiladi), 5G bazaviy stansiyalari, server anakartlari va AI chipli qadoqlash kabi yuqori zichlikdagi integratsiya stsenariylarida keng qo'llaniladi.

Bu 1990-yillarda lazerli burg'ulash texnologiyasining yetukligidan so'ng paydo bo'ldi. Hozirgi asosiy jarayon 30 mkm teshik diametriga erishishi mumkin va minimal teshik diametri rekordi 15 mkm.

Sanoat ommaviy ishlab chiqarish uchun minimal teshik diametri 50 μm ga yetishi mumkin va laboratoriya chegarasi 15 μm ni tashkil qiladi, ammo teshik diametrining pasayishi bilan narx eksponent ravishda oshadi.

Odatda, tomonlar nisbati 1:1 dan oshmaydi va maxsus jarayonlar 1:0,8 ga yetishi mumkin. Juda yuqori tomonlar nisbati elektrokaplama bilan to'ldirishning yomon natija berishiga olib kelishi mumkin.

Elektroliz mis qoplama qatlamining yaxlitligini ta'minlash va qisqa tutashuvlar xavfini kamaytirish uchun tavsiya etilgan minimal masofa ≥80μm.

Signal uzatish sifatini ta'minlash uchun qatlamlararo dielektrik qalinligi 50-75 μm da boshqariladigan holda, yadro plitalari va prepreglarni navbatma-navbat joylashtirish tavsiya etiladi.

Teshikning parazit sig'imiga (odatiy qiymat

BGA ventilyatori uchun ko'r-ko'rona dizayn afzalroq. Har bir prokladka 1-2 mikroviaga to'g'ri keladi va ventilyatorli chiqish chizig'ining kengligi 40 μm dan kam emas.

Tekisliklar orasidagi impedansni kamaytirish uchun elektr/yer tekisliklari o'rtasida ≤5 mm masofada mikrovialar orqali ko'p nuqtali ulanishni amalga oshiring.

Issiqlik o'tkazuvchanlik samaradorligini oshirish uchun teshik diametri ≥80 μm bo'lgan issiqlik tarqalish yo'llarining zichligini oshiring (tavsiya etilgan ≥10 yo'l/sm²).

Lehim niqobi teshigi lehim niqobi siyohining teshikni to'sib qo'yishiga yo'l qo'ymaslik uchun har ikki tomondagi teshik diametridan 20-30 μm kattaroq bo'lishi kerak.

Simlar qatlamlari sonini ko'paytirish uchun yig'ish jarayonini qo'llang va simlar zichligini 30% dan ortiqqa oshirishi mumkin bo'lgan o'tkazgichlar o'rniga ko'r va ko'milgan o'tkazgichlardan foydalaning.

Lazerli burg'ulash (CO₂, UV lazer), plazma o'ymakorligi va mexanik burg'ulashni (faqat kattaroq teshik diametrlari uchun mos) o'z ichiga oladi, lazerli burg'ulash 80% dan ortiqni tashkil qiladi.

CO₂ lazeri 0,075-0,15 mm diametrli teshiklar uchun arzon narxda mos keladi; UV lazeri

CO₂ lazerining burg'ulash tezligi daqiqasiga taxminan 5000-10000 teshik, UV lazeriniki esa daqiqasiga taxminan 2000-5000 teshik.

Lazerli burg'ulashning joylashish aniqligi ±25 μm, mexanik burg'ulashning aniqligi ±50 μm, UV lazer esa ±15 μm yuqori aniqlikka erishishi mumkin.

Azot yordamida lazerli burg'ulash burr balandligini 5 mkm ichida boshqarishi yoki plazma dezmearingidan foydalanish mumkin.

Teshik orqali elektrokaplama jarayoni talab qilinadi, mis qoplama qalinligi 25-35 μm da nazorat qilinadi va teshikdagi mis qalinligining bir xilligi ≥85% ni tashkil qiladi.

O'tkazuvchan asos hosil qilish uchun izolyatsiya teshik devoriga 0,3-0,5 mkm mis qatlamini qo'ying. Aktivizatsiya eritmasidagi palladiy ionlarining konsentratsiyasi 2-5 ppm da nazorat qilinishi kerak.

Dielektrik qatlamning bir tekis qattiqlashishini ta'minlash uchun laminatsiya harorati 180-210 ℃, bosim 300-500 psi va isitish tezligi daqiqasiga 1-2 ℃.

Vakuum darajasi -95 kPa dan past bo'lishi kerak. Laminatsiyadan oldin prepregni B bosqichiga oldindan quriting, shunda pufakcha nuqsoni darajasi 0,5% dan pastga tushirilishi mumkin.

Keng tarqalganlari orasida immersion oltin (qalinligi 0,05-0,1 mkm), OSP (plyonka qalinligi 0,2-0,5 mkm) va immersion kumush (0,1-0,3 mkm) mavjud. Immersion oltin eng yuqori ishonchlilikka ega.

Siyoh yopishqoqligini 80-120Pa・s da nazorat qilish va teshiklarda siyoh qoldiqlarining oldini olish uchun teshiklarni blokirovka qilish darajasi ≤1% bo'lgan vakuumli tiqinlash jarayonidan foydalanish kerak.

Lazerli kesish shakli aniqligi talabi

Teshiklarning qo'pol devorlari (Ra > 1,5 μm), teshiklardagi bo'shliqlar (bo'shliq nisbati > 5%), teshik og'ishi (> ± 30 μm) va boshqalarni o'z ichiga oladi.

Plazma tozalash burg'ulash qoldiqlarini olib tashlash uchun ishlatiladi, shunda teshik devorining sirt pürüzlülüğü Ra ≤1.0 μm bo'ladi.

Yetuk jarayonlarda umumiy hosildorlik taxminan 85-92% ni tashkil qiladi. Teshik diametri qanchalik kichik bo'lsa, hosildorlik shuncha past bo'ladi. 50 μm mikrovialarning hosildorligi taxminan 80% ni tashkil qiladi.

FR-4 (dielektrik doimiysi 4.2-4.5), yuqori tezlikdagi platalar (masalan, Rogers 4350B, Dk=3.66), BT qatroni va boshqalarni o'z ichiga oladi.

Yuqori tezlikdagi platalar pastroq yo'qotish tangensiga ega (Df

Laminatsiyadan keyin dielektrikning bir xilligini ta'minlash uchun qatlamlararo bog'lash uchun ishlatiladi, elim miqdori 40-50% va suyuqlik 20-30% da nazorat qilinadi.

Ichki qatlam uchun 18 μm yoki 35 μm mis folga tavsiya etiladi. Tashqi qatlam uchun signal yo'qotilishini kamaytirish uchun 18 μm ishlatilishi mumkin. HDI platalari ko'pincha 9 μm ultra yupqa mis folgadan foydalanadi.

Bu haroratga chidamlilik (260℃/10s da qobiq yo'q), izolyatsiyaga chidamlilik (>10^12Ω) va yopishishga (kesish sinov darajasi 0) javob berishi kerak.

Signal uzatish yo'qotilishini kamaytirish uchun Ra

PTFE asosidagi plitalar kabi past dielektrik o'tkazuvchanlikka (Dk

Ular RoHS 2.0 direktivasiga rioya qilishlari kerak, bunda galogen miqdori (xlor + brom)

FR-4 asosiy materiali eng past narxga ega. Yuqori tezlikdagi taxtalar FR-4nikidan 3-5 baravar qimmatroq va BT qatroni o'rtada.

Asosiy material 25℃ dan past haroratda va namlik

Vizual tekshirish, teshik diametrini o'lchash, teshik mis qalinligini sinash, impedans sinovi va kesim tahlilini o'z ichiga oladi.

Ikki o'lchovli tasvir o'lchash asbobidan (aniqlik ±1μm) yoki skanerlash elektron mikroskopidan (SEM) foydalaning. Partiyani aniqlash uchun avtomatik optik tekshirish (AOI) dan foydalanish mumkin.

IPC standartlari teshikdagi mis qalinligi ≥20μm bo'lishini va metallografik kesim usuli bilan aniqlangan o'rtacha mis qalinligining minimal mis qalinligiga nisbati ≤1,5 ​​bo'lishini talab qiladi.

1-10 gigagertsli sinov chastotasi diapazoniga ega tarmoq analizatoridan foydalaning va impedans og'ishi ± 10% ichida boshqarilishi kerak.

U teshik devorining sifatini, mis qatlamining qalinligini va qatlamlararo bog'lanish holatini ± 5 μm kesish aniqligi bilan vizual ravishda kuzatishi mumkin.

Termal stress sinovi (260℃/10 marta), chidamlilik kuchlanish sinovi (500V DC/1 daqiqa) va harorat-namlik sikli sinovi (-40℃~85℃) ni o'z ichiga oladi.

Termal zarba sinovidan so'ng (288℃/10 marta) teshik devori yorilib ketganmi yoki yo'qligini va yoriq uzunligi

Mikrotuzilmani kuzatish uchun SEM, elementar tarkibni aniqlash uchun energiya dispersiyasi spektroskopiyasi (EDS) va ichki nuqsonlarni aniqlash uchun rentgen nurlaridan foydalaning.

Teshiklardagi bo'shliqlarni kamaytirish, lehim niqobi qatlamining yopishishini kuchaytirish va atrof-muhit omillari keltirib chiqaradigan elektrokimyoviy migratsiyaning oldini olish uchun elektrokaplama jarayonini optimallashtiring.

Oddiy foydalanish sharoitida u 5-10 yilga yetishi mumkin va qattiq muhitlar (yuqori harorat, yuqori namlik) uni 2-3 yilgacha qisqartiradi.

SMT yopishtirish, BGA payvandlash va komponentlarni kiritishni o'z ichiga oladi, SMT yopishtirish aniqligi talabi ± 50 μm.

Komponentlarning mikroto'lqinli pechlarning qulashiga yo'l qo'ymaslik uchun yopish bosimini 0,5-1,0 kg/sm² da nazorat qilish kerak va qayta oqimli pech egri chizig'ining eng yuqori harorati 230-245 ℃.

Lehim sharlarining bir tekisligini (

Lehim pastasini bosib chiqarish qalinligini (100-120 μm) optimallashtiring, azot bilan himoyalangan qayta oqimli lehimdan foydalaning va kislorod miqdori

Qayta ishlash harorati 260 ℃ dan past bo'lishi kerak va teshik devoridagi mis qatlamining tozalanishiga yo'l qo'ymaslik uchun vaqt

Teshigi diametri ≥0.3 mm bo'lgan, ikki to'lqinli lehim yoki tanlab to'lqinli lehim talab qiladigan, lehim to'lqinining balandligi 25-35 mm bo'lgan mikrovialar uchun mos keladi.

Erish nuqtasi 217℃, oqim faolligi darajasi RMA va qoldiq izolyatsiyasiga chidamliligi >10^10Ω bo'lgan qo'rg'oshinsiz lehim pastasiga (SnAgCu qotishmasi) ustunlik bering.

Lehim pastasining metall miqdorini 90-92% gacha kamaytiring, shablon ochilish dizaynini optimallashtiring va lehim boncuk nuqsoni darajasini 0,1% dan pastga tushirish mumkin.

Qoldiq ion konsentratsiyasi

Aniqlash aniqligini ± 25μm ga va kontrast chegarasini 30-50% ga o'rnating, bu esa yig'ish nuqsonlarining 95% dan ortig'ini aniqlashi mumkin.

Materiallar xarajatlari 40-50% ni, qayta ishlash xarajatlari 30-40% ni va tekshirish va qadoqlash xarajatlari 10-20% ni tashkil qiladi.

Teshik diametri, qatlamlar soni, sirtni qayta ishlash jarayoni, material turi. Minimal teshik diametrining har 10 mkm kamayishi xarajatlarni 15-20% ga oshiradi.

Qatlamlar sonini kamaytirish, standartlashtirilgan materiallardan foydalanish va ishlab chiqarish partiyalarini ko'paytirish uchun dizaynni optimallashtiring, bu esa xarajatlarni 10-30% ga kamaytirishi mumkin.

An'anaviy jarayonlar uchun ishlab chiqarish sikli 7-10 kunni tashkil qiladi va shoshilinch buyurtmalar 3-5 kungacha qisqartirilishi mumkin, ammo narx 20-30% ga oshadi.

Avtomatlashtirilgan ishlab chiqarish liniyalarini joriy etish, jarayon oqimlarini optimallashtirish va lazerli burg'ulash uskunalaridan foydalanish darajasini 80% dan oshirish.

Bitta ishlab chiqarish liniyasining oylik ishlab chiqarish quvvati uskunaning konfiguratsiyasi va jarayonning murakkabligiga qarab taxminan 5000-10000㎡ ni tashkil qiladi.

Kichik partiyalarning (1000㎡) qaraganda 40-60% yuqori, bu asosan mashinani sozlash va belgilangan xarajatlarni taqsimlash bilan bog'liq.

Maydoni (yuan/㎡), qatlamlar soni, teshik diametri va boshqalar bo'yicha har tomonlama hisoblab chiqilgan. Odatda 8 qavatli 0,1 mm mikrovia platasini qayta ishlash narxi taxminan 2000-3000 yuan/㎡ ni tashkil qiladi.

DFM dizaynini optimallashtirish orqali, ishlashga erishish sharti bilan bardoshlik talablarini yumshatish xarajatlarni 15% dan ortiqqa kamaytirishi mumkin.

To'liq ishlab chiqarish liniyasi uskunasiga investitsiya taxminan 10-20 million yuanni tashkil etadi, jumladan, lazerli burg'ulash mashinalari, elektrokaplama liniyalari, laminatorlar va boshqalar.

Kichikroq teshik diametrlari (20 qatlam), pastroq yo'qotish va integratsiyalashgan qadoqlash tomon rivojlanmoqda.

Chiplarni stacking talablariga javob berish uchun vertikal o'zaro bog'lanish teshiklarining diametrlari

Jarayon parametrlarini optimallashtirish va aqlli nuqsonlarni aniqlash uchun ishlatiladi, bu esa hosildorlikni 5-10% ga va aniqlash samaradorligini 30% ga oshirishi mumkin.

10 mkm teshik diametrli laboratoriya ishlab chiqarishga erishildi, ammo ommaviy ishlab chiqarish material, uskunalar va xarajat bilan bog'liq qiyinchiliklarga duch kelmoqda.

Yuqori zichlikdagi o'zaro bog'liqlik orqali chiplar va PCBlar o'rtasida uzluksiz ulanishga erishish, signal uzatish yo'llarini qisqartirish va tizim ish faoliyatini yaxshilash.

Ekologik toza materiallar va jarayonlardan foydalaning, oqova suvlardagi og'ir metallar miqdori

Signal uzatish tuzilmalarini optimallashtirish uchun past dielektrik doimiy (Dk

Bükme radiusi ≥3 mm bo'lgan teshik devorining yorilishi va mis qatlamining ko'chishi muammolarini hal qilish kerak.

Raqamli fabrikalar orqali to'liq jarayon monitoringi va avtomatlashtirilgan ishlab chiqarishga erishish, ishlab chiqarish samaradorligini 50% dan ortiqqa oshirish.

Kvant signalining uzatilishini ta'minlash uchun teshik diametrlari va chiziq kengliklari submikron darajasida boshqariladigan juda past yo'qotish va yuqori barqarorlik o'zaro bog'liqligini talab qiladi.

Chiplar, kameralar va boshqalarni yuqori zichlikdagi integratsiyaga erishish uchun teshik diametri 0,075 mm bo'lgan 6-10 qatlamli HDI platalaridan foydalaning, bu mobil telefon anakarti narxining 30-40% ni tashkil qiladi.

Kam yo'qotishli platalar (Df

Bir nechta protsessorlarning yuqori tezlikdagi o'zaro bog'liqligini ta'minlash, uzilishlarni va signal uzatish kechikishini

AEC-Q100 sertifikatidan o'ting, haroratga chidamlilik diapazoni -40℃ ~ 125℃ va 1000 soatlik tuz purkash sinovidan o'ting.