မိုက်ခရို အပေါက်များသော PCB

မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆချိတ်ဆက်မှုအတွက်အသုံးပြုသည့် လေဆာ သို့မဟုတ် ပလာစမာထွင်းထုနည်းပညာကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားသော ပုံနှိပ်ပတ်လမ်းဘုတ် (PCB) တစ်ခု (စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ပုံမှန်အားဖြင့် 0.1mm ကို စံအဖြစ်အသုံးပြုသည်)။

အပေါက်အချင်းသည် သာမန် PCB များထက် 50% ကျော်သေးငယ်ပြီး လိုင်းအကျယ်/အကွာအဝေးသည် 30μm/30μm အထိရောက်ရှိနိုင်ပြီး ဝါယာကြိုးသိပ်သည်းဆကို 2-3 ဆ တိုးမြှင့်ပေးကာ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြန်နှုန်းမြင့် အချက်ပြထုတ်လွှင့်မှုအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

လုပ်ငန်းစဉ်အရ ၎င်းတို့ကို မျက်မမြင်ဝှေးများ (တစ်ဖက်တည်းဖြင့် လျှပ်ကူးခြင်း)၊ မြှုပ်နှံဝှေးများ (အတွင်းပိုင်းလျှပ်ကူးခြင်း) နှင့် throughဝှေးများ (ဘုတ်တစ်ခုလုံးမှတစ်ဆင့်) အဖြစ်ခွဲခြားထားသည်။ အဖြစ်များသော မျက်မမြင်ဝှေးအချင်းအပိုင်းအခြားမှာ 50-100μm ဖြစ်သည်။

စမတ်ဖုန်းများ (၆၀% ကျော်)၊ 5G အခြေစိုက်စခန်းများ၊ server motherboards နှင့် AI chip packaging ကဲ့သို့သော မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆပေါင်းစပ်မှုအခြေအနေများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည်။

၎င်းသည် ၁၉၉၀ ပြည့်လွန်နှစ်များတွင် လေဆာတူးဖော်ခြင်းနည်းပညာ ရင့်ကျက်လာပြီးနောက် ပေါ်ပေါက်လာခဲ့သည်။ လက်ရှိ mainstream လုပ်ငန်းစဉ်သည် 30μm အပေါက်အချင်းကို ရရှိနိုင်ပြီး အနည်းဆုံးအပေါက်အချင်းမှတ်တမ်းမှာ 15μm ဖြစ်သည်။

စက်မှုလုပ်ငန်း အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အနည်းဆုံး အပေါက်အချင်းသည် 50μm အထိ ရောက်ရှိနိုင်ပြီး ဓာတ်ခွဲခန်း ကန့်သတ်ချက်မှာ 15μm ဖြစ်သော်လည်း အပေါက်အချင်း လျော့ကျလာသည်နှင့်အမျှ ကုန်ကျစရိတ်သည် အဆမတန် မြင့်တက်လာပါသည်။

ယေဘုယျအားဖြင့် ရှုထောင့်အချိုးသည် ၁:၁ ထက်မပိုဘဲ အထူးလုပ်ငန်းစဉ်များသည် ၁:၀.၈ အထိရောက်ရှိနိုင်သည်။ ရှုထောင့်အချိုးမြင့်မားလွန်းခြင်းသည် လျှပ်စစ်ဖြင့် ಲೇಪನ್ಯಾನು ဖြည့်သွင်းမှုညံ့ဖျင်းခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။

အီလက်ထရိုလက်စ်မဲ့ ကြေးနီပြားချပ်လွှာ၏ တည်တံ့ခိုင်မြဲမှုကို သေချာစေပြီး ရှော့ပတ်လမ်းများ၏ အန္တရာယ်ကို လျှော့ချရန်အတွက် အကြံပြုထားသော အနည်းဆုံးအကွာအဝေးမှာ ≥80μm ဖြစ်သည်။

အချက်ပြထုတ်လွှင့်မှုအရည်အသွေးကိုသေချာစေရန်အတွက် အလွှာအကြား dielectric အထူကို 50-75μm တွင်ထိန်းချုပ်ထားပြီး core board များနှင့် prepregs များကို အလှည့်ကျ stacking ပြုလုပ်ရန် အကြံပြုထားသည်။

အပေါက်၏ parasitic capacitance (ပုံမှန်တန်ဖိုး

BGA fan-out အတွက်၊ blind via ဒီဇိုင်းကို ဦးစားပေးပါသည်။ pad တစ်ခုစီသည် 1-2 microvias နှင့် ကိုက်ညီပြီး fan-out လိုင်းအကျယ်သည် 40μm ထက် မနည်းပါ။

မျက်နှာပြင်များကြားရှိ impedance ကို လျှော့ချရန်အတွက် အကွာအဝေး ≤5mm ဖြင့် microvias များမှတစ်ဆင့် power/ground မျက်နှာပြင်များအကြား multi-point ချိတ်ဆက်မှုကို အကောင်အထည်ဖော်ပါ။

အပူစီးကူးမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အပေါက်အချင်း ≥80μm ရှိသော အပူပျံ့နှံ့မှု vias (အကြံပြုထားသည် ≥10 vias/cm²) ၏ သိပ်သည်းဆကို တိုးမြှင့်ပါ။

ဂဟေမျက်နှာဖုံးအပေါက်သည် ဂဟေမျက်နှာဖုံးမင်က အပေါက်ကိုပိတ်ဆို့ခြင်းမှကာကွယ်ရန် တစ်ဖက်စီရှိ အပေါက်အချင်းထက် 20-30μm ပိုကြီးသင့်သည်။

ဝါယာကြိုးအလွှာများ တိုးမြှင့်ရန်အတွက် တည်ဆောက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုကို လက်ခံကျင့်သုံးပြီး ဝါယာကြိုးသိပ်သည်းဆကို 30% ကျော် တိုးမြှင့်နိုင်သည့် through vias အစား မျက်ကန်းနှင့် မြှုပ်နှံထားသော vias များကို အသုံးပြုပါ။

လေဆာတူးဖော်ခြင်း (CO₂၊ UV လေဆာ)၊ ပလာစမာထွင်းထုခြင်းနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတူးဖော်ခြင်း (အပေါက်အချင်းကြီးများအတွက်သာ သင့်လျော်သည်) အပါအဝင်၊ လေဆာတူးဖော်ခြင်းသည် 80% ကျော်ရှိသည်။

CO₂ လေဆာသည် 0.075-0.15mm အပေါက်အချင်းအတွက် ကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးပြီး သင့်လျော်သည်။ UV လေဆာသည် 50μm အောက်ရှိ microvias များကို လုပ်ဆောင်နိုင်သော်လည်း ပစ္စည်းကိရိယာကုန်ကျစရိတ်မှာ ၃-၅ ဆ ပိုများသည်။

CO₂ လေဆာ၏ တူးဖော်မှုအမြန်နှုန်းသည် တစ်မိနစ်လျှင် အပေါက် ၅၀၀၀ မှ ၁၀၀၀၀ ခန့်ရှိပြီး UV လေဆာ၏ တူးဖော်မှုအမြန်နှုန်းမှာ တစ်မိနစ်လျှင် အပေါက် ၂၀၀၀ မှ ၅၀၀၀ ခန့်ဖြစ်သည်။

လေဆာတူးဖော်ခြင်း၏ နေရာချထားမှုတိကျမှုသည် ±25μm ဖြစ်ပြီး စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတူးဖော်ခြင်း၏ ±50μm ဖြစ်ပြီး UV လေဆာသည် ±15μm ၏ မြင့်မားသောတိကျမှုကို ရရှိနိုင်သည်။

နိုက်ထရိုဂျင်အကူအညီဖြင့် လေဆာတူးဖော်ခြင်းသည် 5μm အတွင်း burr အမြင့်ကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်၊ သို့မဟုတ် plasma desmearing ကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

ကြေးနီပြားချပ်အထူကို 25-35μm တွင်ထိန်းချုပ်ထားပြီး အပေါက်အတွင်းရှိ ကြေးနီအထူတူညီမှု ≥85% ရှိသော through-hole electroplating လုပ်ငန်းစဉ် လိုအပ်ပါသည်။

လျှပ်ကူးနိုင်သောအခြေခံတစ်ခုပေးစွမ်းရန်အတွက် အပူကာအပေါက်နံရံပေါ်တွင် 0.3-0.5μm ကြေးနီအလွှာတစ်ခုတင်ပါ။ အသက်ဝင်စေသောအရည်တွင် ပလေဒီယမ်အိုင်းယွန်းများ၏ပါဝင်မှုကို 2-5ppm တွင်ထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်သည်။

lamination အပူချိန်မှာ 180-210℃ ဖြစ်ပြီး၊ ဖိအားမှာ 300-500psi ဖြစ်ပြီး၊ dielectric အလွှာ၏ တစ်ပြေးညီ ခြောက်သွေ့မှုကို သေချာစေရန်အတွက် အပူပေးနှုန်းမှာ တစ်မိနစ်လျှင် 1-2℃ ဖြစ်သည်။

လေဟာနယ်ဒီဂရီသည် -95kPa အောက်တွင်ရှိရမည်။ lamination မလုပ်မီ prepreg ကို B-stage အထိကြိုတင်အပူပေးပြီး bubble defect rate ကို 0.5% အောက်သို့ လျှော့ချနိုင်သည်။

အဖြစ်များသော ඒකිများတွင် immersion gold (အထူ 0.05-0.1μm)၊ OSP (အလွှာအထူ 0.2-0.5μm) နှင့် immersion silver (0.1-0.3μm) တို့ ပါဝင်သည်။ Immersion gold တွင် အမြင့်ဆုံးယုံကြည်စိတ်ချရမှုရှိသည်။

မင် viscosity ကို 80-120 Pa・s တွင် ထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်ပြီး အပေါက်များထဲတွင် မင်အကြွင်းအကျန်များကို ကာကွယ်ရန် vacuum plugging လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြုပြီး အပေါက်ပိတ်ဆို့နှုန်း ≤1% ဖြင့် ကာကွယ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

ပုံသဏ္ဍာန်တိကျမှုလိုအပ်ချက်

ကြမ်းတမ်းသော အပေါက်နံရံများ (ကြမ်းတမ်းမှု Ra >1.5μm)၊ အပေါက်များရှိ အပေါက်များ (အပေါက်အချိုး >5%)၊ အပေါက် သွေဖည်မှု (>±30μm) စသည်တို့ ပါဝင်သည်။

ပလာစမာသန့်ရှင်းရေးကို တူးဖော်ခြင်းအကြွင်းအကျန်များကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အသုံးပြုသောကြောင့် အပေါက်နံရံ၏ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု Ra ≤1.0μm ဖြစ်သည်။

ရင့်ကျက်သော လုပ်ငန်းစဉ်များအောက်တွင် ಒಟ್ಟಾರೆအထွက်နှုန်းမှာ ၈၅-၉၂% ခန့်ရှိသည်။ အပေါက်အချင်းငယ်လေ အထွက်နှုန်းနည်းလေဖြစ်သည်။ 50μm microvias ၏ အထွက်နှုန်းမှာ ၈၀% ခန့်ရှိသည်။

FR-4 (ဒိုင်အီလက်ထရစ် ကိန်းသေ 4.2-4.5)၊ မြန်နှုန်းမြင့်ဘုတ်များ (Rogers 4350B၊ Dk=3.66 ကဲ့သို့)၊ BT resin စသည်တို့ ပါဝင်သည်။

မြန်နှုန်းမြင့်ဘုတ်များတွင် ဆုံးရှုံးမှုတန်ဂျင့်နည်းပါးသည် (Df

အလွှာကြား ကပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပြီး၊ ကော်ပါဝင်မှုကို ၄၀-၅၀% နှင့် ပျော့ပြောင်းမှုကို ၂၀-၃၀% တွင် ထိန်းချုပ်ထားခြင်းဖြင့် လမိုင်းနိတ်ပြုလုပ်ပြီးနောက် dielectric ၏ တသမတ်တည်းဖြစ်စေရန်။

အတွင်းအလွှာအတွက် 18μm သို့မဟုတ် 35μm ကြေးနီသတ္တုပြားကို အကြံပြုထားသည်။ အပြင်ဘက်အလွှာအတွက် 18μm ကို အသုံးပြု၍ အချက်ပြမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။ HDI ဘုတ်များသည် မကြာခဏ 9μm အလွန်ပါးလွှာသော ကြေးနီသတ္တုပြားကို အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

၎င်းသည် အပူချိန်ခံနိုင်ရည်ရှိရန် (260℃/10s တွင် ကွာခြင်းမရှိ)၊ insulation ခံနိုင်ရည်ရှိရန် (>10^12Ω) နှင့် adhesion (cross-cut test level 0) တို့ကို ပြည့်မီရန် လိုအပ်ပါသည်။

အချက်ပြမှု ထုတ်လွှင့်မှု ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်အတွက် ကြမ်းတမ်းမှု Ra

PTFE အခြေခံဘုတ်များကဲ့သို့ dielectric constant နည်းသော (Dk

၎င်းတို့သည် RoHS 2.0 ညွှန်ကြားချက်နှင့် ကိုက်ညီရန် လိုအပ်ပြီး၊ ဟေလိုဂျင်ပါဝင်မှု (ကလိုရင်း + ဘရိုမင်း) 1500ppm အောက်နှင့် ဘရိုမင်း 900ppm အောက် ရှိသည်။

FR-4 အခြေခံပစ္စည်းသည် အနိမ့်ဆုံးကုန်ကျစရိတ်ရှိသည်။ မြန်နှုန်းမြင့်ဘုတ်များသည် FR-4 ထက် ၃-၅ ဆ ကုန်ကျပြီး BT resin သည် ကြားတွင်ရှိသည်။

အခြေခံပစ္စည်းကို ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အောက်နှင့် စိုထိုင်းဆ ၆၀% အောက်တွင် သိမ်းဆည်းရန် လိုအပ်ပါသည်။ prepreg ကို ၆ လမှ ၁၂ လအထိ သက်တမ်းရှိပြီး -၁၈ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် အေးခဲထားရန် လိုအပ်ပါသည်။

အမြင်အာရုံဖြင့် စစ်ဆေးခြင်း၊ အပေါက်အချင်းတိုင်းတာခြင်း၊ အပေါက်ကြေးနီအထူစမ်းသပ်ခြင်း၊ impedance စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် cross-section analysis များ ပါဝင်သည်။

နှစ်ဘက်မြင်ပုံရိပ်တိုင်းတာသည့်ကိရိယာ (တိကျမှု ±1μm) သို့မဟုတ် စကင်န်ကင်န်အီလက်ထရွန်မိုက်ခရိုစကုပ် (SEM) ကိုသုံးပါ။ အသုတ်လိုက်ထောက်လှမ်းရန်အတွက် အလိုအလျောက်အလင်းစစ်ဆေးမှု (AOI) ကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

IPC စံနှုန်းများအရ အပေါက်အတွင်းရှိ ကြေးနီအထူ ≥20μm ရှိရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ပျမ်းမျှကြေးနီအထူနှင့် အနည်းဆုံးကြေးနီအထူအချိုးမှာ သတ္တုဗေဒ ဖြတ်ပိုင်းနည်းလမ်းဖြင့် ထောက်လှမ်းရရှိသည့် ကြေးနီအထူ ≤1.5 ရှိရမည်။

1-10GHz စမ်းသပ်ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြားရှိသော ကွန်ရက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာစက်ကို အသုံးပြုပါ၊ impedance သွေဖည်မှုကို ±10% အတွင်း ထိန်းချုပ်သင့်သည်။

၎င်းသည် အပေါက်နံရံအရည်အသွေး၊ ကြေးနီအလွှာအထူနှင့် အလွှာအကြား ချိတ်ဆက်မှုအခြေအနေကို မျက်မြင်အားဖြင့် ကြည့်ရှုနိုင်ပြီး ±5μm ၏ ဖြတ်တောက်မှုတိကျမှုရှိသည်။

အပူဖိအားစမ်းသပ်မှု (၂၆၀℃/၁၀ ကြိမ်)၊ ဗို့အားခံနိုင်ရည်စမ်းသပ်မှု (၅၀၀V DC/၁ မိနစ်) နှင့် အပူချိန်-စိုထိုင်းဆစက်ဝန်းစမ်းသပ်မှု (-၄၀℃~၈၅℃) တို့ ပါဝင်သည်။

အပူရှော့ခ်စမ်းသပ်မှု (၂၈၈ ℃/၁၀ ကြိမ်) ပြီးနောက် အပေါက်နံရံ အက်ကွဲခြင်းရှိမရှိနှင့် အက်ကွဲအရှည်

အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖွဲ့စည်းပုံကို လေ့လာရန် SEM ကို အသုံးပြုပါ၊ ဒြပ်စင်ဖွဲ့စည်းမှုကို ရှာဖွေရန် စွမ်းအင်ပျံ့နှံ့စေသောရောင်စဉ်တန်းစစ်ဆေးခြင်း (EDS) နှင့် အတွင်းပိုင်းချို့ယွင်းချက်များကို ရှာဖွေရန် X-ray ကို အသုံးပြုပါ။

အပေါက်များရှိ အပေါက်များကို လျှော့ချရန်၊ ဂဟေမျက်နှာဖုံးအလွှာ၏ ကပ်ငြိမှုကို အားကောင်းစေရန်နှင့် ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာအချက်များကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ရွှေ့ပြောင်းမှုကို ရှောင်ရှားရန် လျှပ်စစ်ဓာတ်ဖြင့် ಲೇಪನ್ಯಾನို လုပ်ငန်းစဉ်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ပါ။

ပုံမှန်အသုံးပြုမှုအခြေအနေများတွင် ၅ နှစ်မှ ၁၀ နှစ်အထိရောက်ရှိနိုင်ပြီး ပြင်းထန်သောပတ်ဝန်းကျင်များ (အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ စိုထိုင်းဆမြင့်မားခြင်း) သည် ၎င်းကို ၂ နှစ်မှ ၃ နှစ်အထိ တိုစေပါသည်။

SMT ကပ်ခြင်း တိကျမှု ±50μm လိုအပ်ချက်ရှိသော SMT ကပ်ခြင်း၊ BGA ဂဟေဆက်ခြင်းနှင့် အစိတ်အပိုင်းထည့်သွင်းခြင်း ပါဝင်သည်။

အစိတ်အပိုင်းများ microvias များပြိုကျခြင်းမှကာကွယ်ရန် pasting pressure ကို 0.5-1.0kg/cm² တွင်ထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်ပြီး reflow oven curve ၏အမြင့်ဆုံးအပူချိန်မှာ 230-245 ℃ ဖြစ်သည်။

ဂဟေဘောလုံးများ၏ ပူးတွဲတည်ရှိမှုကို တိကျစွာထိန်းချုပ်ရန်၊ microvias များကို ဂဟေဆက်ခြင်းမှ ရှောင်ရှားရန်နှင့် ဂဟေဆက်ခြင်းအထွက်နှုန်းသည် 90-95% ခန့်ရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။

ဂဟေဆက်ပုံနှိပ်အထူ (100-120μm) ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ပါ၊ နိုက်ထရိုဂျင်ကာကွယ်ထားသော reflow ဂဟေဆက်ခြင်းကို အသုံးပြုပါ၊ အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှု

ပြန်လည်ပြုပြင်မှုအပူချိန်ကို ၂၆၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အောက်တွင် ထိန်းချုပ်ထားသင့်ပြီး အပေါက်နံရံရှိ ကြေးနီအလွှာ ကွာကျခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အချိန်သည် စက္ကန့် ၉၀ အောက်ဖြစ်သင့်သည်။

အပေါက်အချင်း ≥0.3mm ရှိသော၊ double-wave soldering သို့မဟုတ် selective wave soldering လိုအပ်ပြီး၊ 25-35mm solder wave height ရှိသော microvias များအတွက် သင့်လျော်သည်။

အရည်ပျော်မှတ် 217℃၊ flux activity level RMA နှင့် residue insulation resistance >10^10Ω ရှိသော ခဲမပါသော ဂဟေဆက်အနှစ် (SnAgCu alloy) ကို ဦးစားပေးပါ။

ဂဟေဆက်ငါးပိ၏ သတ္တုပါဝင်မှုကို 90-92% အထိ လျှော့ချပါ၊ stencil အဖွင့်ဒီဇိုင်းကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ပါ၊ ဂဟေဆက်ပုတီးချို့ယွင်းမှုနှုန်းကို 0.1% အောက်သို့ လျှော့ချနိုင်သည်။

အကြွင်းအကျန်အိုင်းယွန်းပါဝင်မှု

ထောက်လှမ်းမှုတိကျမှုကို ±25μm နှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်တန်ဖိုးကို 30-50% သတ်မှတ်ပါ၊ ၎င်းသည် တပ်ဆင်မှုချို့ယွင်းချက် ၉၅% ကျော်ကို ထောက်လှမ်းနိုင်သည်။

ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ် ၄၀-၅၀%၊ လုပ်ဆောင်ခြင်းကုန်ကျစရိတ် ၃၀-၄၀% နှင့် စစ်ဆေးခြင်းနှင့်ထုပ်ပိုးခြင်းကုန်ကျစရိတ် ၁၀-၂၀% ရှိသည်။

အပေါက်အချင်း၊ အလွှာအရေအတွက်၊ မျက်နှာပြင်ပြုပြင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ပစ္စည်းအမျိုးအစား။ အနည်းဆုံးအပေါက်အချင်း 10μm လျှော့ချတိုင်း ကုန်ကျစရိတ် 15-20% တိုးစေသည်။

အလွှာအရေအတွက်ကို လျှော့ချရန်၊ စံသတ်မှတ်ထားသော ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုရန်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုအသုတ်များကို တိုးမြှင့်ရန် ဒီဇိုင်းကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပါ၊ ၎င်းသည် ကုန်ကျစရိတ် ၁၀-၃၀% လျှော့ချနိုင်သည်။

ရိုးရာလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် ထုတ်လုပ်မှုစက်ဝန်းမှာ ၇ ရက်မှ ၁၀ ရက်အထိကြာမြင့်ပြီး အရေးတကြီးမှာယူမှုများကို ၃ ရက်မှ ၅ ရက်အထိ လျှော့ချနိုင်သော်လည်း ကုန်ကျစရိတ်မှာ ၂၀ မှ ၃၀% အထိ မြင့်တက်လာပါသည်။

အလိုအလျောက် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများကို လက်ခံကျင့်သုံးပါ၊ လုပ်ငန်းစဉ်စီးဆင်းမှုများကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ပါ၊ လေဆာတူးဖော်ရေးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အသုံးပြုမှုနှုန်းကို 80% ကျော်အထိ မြှင့်တင်ပါ။

ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းတစ်ခုတည်း၏ လစဉ်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်မှာ စက်ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ရှုပ်ထွေးမှုပေါ် မူတည်၍ ၅,၀၀၀ မှ ၁၀,၀၀၀ စတုရန်းမီတာခန့်ရှိသည်။

အသုတ်ငယ်များ (1000㎡) ထက် ၄၀-၆၀% ပိုများပြီး အဓိကအားဖြင့် စက်တပ်ဆင်မှုနှင့် ပုံသေကုန်ကျစရိတ်ခွဲဝေမှုကြောင့်ဖြစ်သည်။

ဧရိယာ (ယွမ်/㎡)၊ အလွှာအရေအတွက်၊ အပေါက်အချင်း စသည်တို့ဖြင့် ပြည့်စုံစွာ တွက်ချက်ထားသည်။ ပုံမှန် ၈-လွှာ ၀.၁ မီလီမီတာ မိုက်ခရိုဗီးယားဘုတ်အတွက် လုပ်ဆောင်ခမှာ ယွမ်/㎡ ၂၀၀၀ မှ ၃၀၀၀ ခန့်ဖြစ်သည်။

DFM ဒီဇိုင်း အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းမှတစ်ဆင့်၊ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ကိုက်ညီရန် အခြေခံမူအောက်တွင် သည်းခံမှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြေလျှော့ပေးခြင်းဖြင့် ကုန်ကျစရိတ်များကို ၁၅% ကျော် လျှော့ချနိုင်သည်။

လေဆာတူးဖော်စက်များ၊ လျှပ်စစ်ပလတ်စတစ်လိုင်းများ၊ လမီနိတ်တာများ စသည်တို့ အပါအဝင် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းပစ္စည်းကိရိယာအပြည့်အစုံအတွက် ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုမှာ ယွမ် ၁၀-၂၀ သန်းခန့်ဖြစ်သည်။

အပေါက်အချင်းငယ်များ (20 အလွှာ)၊ ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ပေါင်းစပ်ထုပ်ပိုးခြင်းဆီသို့ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာပါသည်။

ချစ်ပ် stacking လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် ဒေါင်လိုက်ချိတ်ဆက်မှုအပေါက်အချင်း 50μm အောက်နှင့် အလွှာအကြား ချိန်ညှိမှုတိကျမှု ±10μm ရရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။

လုပ်ငန်းစဉ် ကန့်သတ်ချက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် ဉာဏ်ရည်ထက်မြက်သော ချို့ယွင်းချက် ထောက်လှမ်းခြင်းအတွက် အသုံးပြုပြီး ၎င်းသည် အထွက်နှုန်းကို ၅-၁၀% နှင့် ထောက်လှမ်းမှု စွမ်းဆောင်ရည်ကို ၃၀% တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။

10μm အပေါက်အချင်းရှိသော ဓာတ်ခွဲခန်းထုတ်လုပ်မှုကို အောင်မြင်စွာ ပြီးမြောက်အောင်မြင်ခဲ့သော်လည်း အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုတွင် ပစ္စည်း၊ စက်ပစ္စည်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်ဆိုင်ရာ စိန်ခေါ်မှုများနှင့် ရင်ဆိုင်နေရသည်။

မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုမှတစ်ဆင့် ချစ်ပ်များနှင့် PCB များအကြား ချောမွေ့စွာချိတ်ဆက်မှုကို ရရှိစေခြင်း၊ အချက်ပြမှု ထုတ်လွှင့်မှုလမ်းကြောင်းများကို တိုတောင်းစေပြီး စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးခြင်း။

စွန့်ပစ်ရေတွင် လေးလံသောသတ္တုပါဝင်မှု 1ppm အောက်ရှိပြီး စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို 20% လျှော့ချပေးသည့် ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော ပစ္စည်းများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြုပါ။

အချက်ပြထုတ်လွှင့်မှုဖွဲ့စည်းပုံများကို အကောင်းဆုံးဖြစ်စေရန် dielectric constant နည်းသော (Dk

ကွေးညွှတ်အချင်းဝက် ≥3mm ရှိသော အပေါက်နံရံအက်ကွဲခြင်းနှင့် ကွေးနေစဉ် ကြေးနီအလွှာကွာကျခြင်းပြဿနာများကို ဖြေရှင်းရန် လိုအပ်ပါသည်။

ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို 50% ကျော် မြှင့်တင်ပေးသည့် ဒစ်ဂျစ်တယ်စက်ရုံများမှတစ်ဆင့် လုပ်ငန်းစဉ်အပြည့်အစုံ စောင့်ကြည့်ခြင်းနှင့် အလိုအလျောက်ထုတ်လုပ်မှုကို ရရှိအောင် လုပ်ဆောင်ပါ။

ကွမ်တမ်အချက်ပြမှုထုတ်လွှင့်မှုကိုသေချာစေရန်အတွက် submicron အဆင့်တွင် အပေါက်အချင်းနှင့် လိုင်းအကျယ်များကို ထိန်းချုပ်ထားသောကြောင့် ဆုံးရှုံးမှုအလွန်နည်းပါးပြီး တည်ငြိမ်မှုမြင့်မားသော အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှု လိုအပ်ပါသည်။

ချစ်ပ်များ၊ ကင်မရာများ စသည်တို့၏ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆပေါင်းစပ်မှုကို ရရှိရန် အပေါက်အချင်း ၀.၀၇၅ မီလီမီတာရှိသော ၆-၁၀ အလွှာ HDI ဘုတ်များကို အသုံးပြုပြီး မိုဘိုင်းဖုန်း motherboard ကုန်ကျစရိတ်၏ ၃၀-၄၀% ကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။

ဆုံးရှုံးမှုနည်းသော ဘုတ်များ (Df

ပရိုဆက်ဆာများစွာ၏ မြန်နှုန်းမြင့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုကို ဖြည့်ဆည်းရန်၊ stubs နှင့် signal transmission delay

AEC-Q100 အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်ရရှိပြီး၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည်အကွာအဝေး -၄၀ ℃ ~ ၁၂၅ ℃ နှင့် ၁၀၀၀ နာရီ ဆားဖြန်းစမ်းသပ်မှုကို အောင်မြင်ပါသည်။