ਮਾਈਕ੍ਰੋ ਪੋਰਸ ਪੀਸੀਬੀ

ਇੱਕ ਪ੍ਰਿੰਟਿਡ ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ (PCB) ਜੋ ਲੇਜ਼ਰ ਜਾਂ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਐਚਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜਿਸਦਾ ਛੇਕ ਵਿਆਸ 0.15mm ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ (ਉਦਯੋਗ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 0.1mm ਨੂੰ ਮਿਆਰ ਵਜੋਂ ਵਰਤਦਾ ਹੈ), ਉੱਚ-ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਛੇਕ ਦਾ ਵਿਆਸ ਆਮ PCBs ਨਾਲੋਂ 50% ਤੋਂ ਵੱਧ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਲਾਈਨ ਚੌੜਾਈ/ਸਪੇਸਿੰਗ 30μm/30μm ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਵਾਇਰਿੰਗ ਘਣਤਾ 2-3 ਗੁਣਾ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਹ ਉੱਚ-ਆਵਿਰਤੀ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਸਪੀਡ ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ।

ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਅੰਨ੍ਹੇ ਵਿਆਸ (ਇਕ-ਪਾਸੜ ਸੰਚਾਲਨ), ਦੱਬੇ ਹੋਏ ਵਿਆਸ (ਅੰਦਰੂਨੀ ਚਾਲਨ), ਅਤੇ ਵਿਆਸ (ਪੂਰੇ ਬੋਰਡ ਰਾਹੀਂ) ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ। ਆਮ ਅੰਨ੍ਹੇ ਵਿਆਸ ਦੀ ਰੇਂਜ 50-100μm ਹੈ।

ਸਮਾਰਟਫੋਨ (60% ਤੋਂ ਵੱਧ), 5G ਬੇਸ ਸਟੇਸ਼ਨ, ਸਰਵਰ ਮਦਰਬੋਰਡ, ਅਤੇ AI ਚਿੱਪ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਵਰਗੇ ਉੱਚ-ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਏਕੀਕਰਣ ਦ੍ਰਿਸ਼ਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਇਹ 1990 ਦੇ ਦਹਾਕੇ ਵਿੱਚ ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਪਰਿਪੱਕਤਾ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਉਭਰਿਆ। ਮੌਜੂਦਾ ਮੁੱਖ ਧਾਰਾ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ 30μm ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਦਾ ਰਿਕਾਰਡ 15μm ਹੈ।

ਉਦਯੋਗਿਕ ਪੁੰਜ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਛੇਕ ਵਿਆਸ 50μm ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਸੀਮਾ 15μm ਹੈ, ਪਰ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਦੇ ਘਟਣ ਨਾਲ ਲਾਗਤ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਦੀ ਹੈ।

ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਆਕਾਰ ਅਨੁਪਾਤ 1:1 ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ, ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ 1:0.8 ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਆਕਾਰ ਅਨੁਪਾਤ ਖਰਾਬ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਫਿਲਿੰਗ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲੈੱਸ ਕਾਪਰ ਪਲੇਟਿੰਗ ਪਰਤ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਅਤੇ ਸ਼ਾਰਟ ਸਰਕਟ ਦੇ ਜੋਖਮ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਸਿਫ਼ਾਰਸ਼ ਕੀਤੀ ਗਈ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਦੂਰੀ ≥80μm ਹੈ।

ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ, ਕੋਰ ਬੋਰਡਾਂ ਅਤੇ ਪ੍ਰੀਪ੍ਰੈਗਸ ਦੀ ਵਿਕਲਪਿਕ ਸਟੈਕਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਦੀ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇੰਟਰਲੇਅਰ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਮੋਟਾਈ 50-75μm 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

ਛੇਕ ਦੇ ਪਰਜੀਵੀ ਸਮਰੱਥਾ (ਆਮ ਮੁੱਲ

BGA ਫੈਨ-ਆਊਟ ਲਈ, ਬਲਾਈਂਡ ਵਾਇਆ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨੂੰ ਤਰਜੀਹ ਦਿੱਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਹਰੇਕ ਪੈਡ 1-2 ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਫੈਨ-ਆਊਟ ਲਾਈਨ ਚੌੜਾਈ 40μm ਤੋਂ ਘੱਟ ਨਹੀਂ ਹੈ।

ਪਲੇਨਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਰੁਕਾਵਟ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਰਾਹੀਂ ਪਾਵਰ/ਗਰਾਊਂਡ ਪਲੇਨਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਮਲਟੀ-ਪੁਆਇੰਟ ਕਨੈਕਸ਼ਨ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰੋ, ≤5mm ਦੀ ਦੂਰੀ ਦੇ ਨਾਲ।

ਗਰਮੀ ਸੰਚਾਲਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ, ਗਰਮੀ ਦੇ ਵਿਸਥਾਪਨ ਵਿਆਸ ਦੀ ਘਣਤਾ (≥10 ਵਿਆਸ/ਸੈ.ਮੀ.²) ਵਧਾਓ, ਇੱਕ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ≥80μm ਦੇ ਨਾਲ।

ਸੋਲਡਰ ਮਾਸਕ ਦੀ ਸਿਆਹੀ ਨੂੰ ਛੇਕ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਤੋਂ ਰੋਕਣ ਲਈ ਸੋਲਡਰ ਮਾਸਕ ਦੀ ਓਪਨਿੰਗ ਹਰ ਪਾਸੇ ਦੇ ਛੇਕ ਦੇ ਵਿਆਸ ਨਾਲੋਂ 20-30μm ਵੱਡੀ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ।

ਵਾਇਰਿੰਗ ਲੇਅਰਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਬਿਲਡ-ਅੱਪ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਅਪਣਾਓ, ਅਤੇ ਥਰੂ ਵਾਇਆ ਦੀ ਬਜਾਏ ਅੰਨ੍ਹੇ ਅਤੇ ਦੱਬੇ ਹੋਏ ਵਾਇਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ, ਜੋ ਵਾਇਰਿੰਗ ਘਣਤਾ ਨੂੰ 30% ਤੋਂ ਵੱਧ ਵਧਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ (CO₂, UV ਲੇਜ਼ਰ), ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਐਚਿੰਗ, ਅਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ (ਸਿਰਫ਼ ਵੱਡੇ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਲਈ ਢੁਕਵੀਂ) ਸਮੇਤ, ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ 80% ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ।

CO₂ ਲੇਜ਼ਰ ਘੱਟ ਲਾਗਤ ਨਾਲ 0.075-0.15mm ਦੇ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ; UV ਲੇਜ਼ਰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ

CO₂ ਲੇਜ਼ਰ ਦੀ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਗਤੀ ਲਗਭਗ 5,000-10,000 ਛੇਕ ਪ੍ਰਤੀ ਮਿੰਟ ਹੈ, ਅਤੇ UV ਲੇਜ਼ਰ ਦੀ ਗਤੀ ਲਗਭਗ 2,000-5,000 ਛੇਕ ਪ੍ਰਤੀ ਮਿੰਟ ਹੈ।

ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ±25μm ਹੈ, ਮਕੈਨੀਕਲ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਦੀ ±50μm ਹੈ, ਅਤੇ UV ਲੇਜ਼ਰ ±15μm ਦੀ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਸਹਾਇਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ 5μm ਦੇ ਅੰਦਰ ਬਰਰ ਦੀ ਉਚਾਈ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਾਂ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਡੀਸਮੀਅਰਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਇੱਕ ਥਰੂ-ਹੋਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਪਲੇਟਿੰਗ ਦੀ ਮੋਟਾਈ 25-35μm 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਮੋਰੀ ਵਿੱਚ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ≥85% ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

ਇੱਕ ਸੰਚਾਲਕ ਅਧਾਰ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਹੋਲ ਦੀਵਾਰ 'ਤੇ 0.3-0.5μm ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਪਰਤ ਜਮ੍ਹਾਂ ਕਰੋ। ਐਕਟੀਵੇਸ਼ਨ ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਪੈਲੇਡੀਅਮ ਆਇਨਾਂ ਦੀ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਨੂੰ 2-5ppm 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ।

ਲੈਮੀਨੇਸ਼ਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 180-210℃ ਹੈ, ਦਬਾਅ 300-500psi ਹੈ, ਅਤੇ ਹੀਟਿੰਗ ਦਰ 1-2℃/ਮਿੰਟ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪਰਤ ਦੇ ਇਕਸਾਰ ਇਲਾਜ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕੇ।

ਵੈਕਿਊਮ ਡਿਗਰੀ -95kPa ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ। ਲੈਮੀਨੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਪ੍ਰੀਪ੍ਰੈਗ ਨੂੰ ਬੀ-ਸਟੇਜ 'ਤੇ ਪ੍ਰੀ-ਕਿਊਰ ਕਰੋ, ਅਤੇ ਬੁਲਬੁਲਾ ਨੁਕਸ ਦਰ ਨੂੰ 0.5% ਤੋਂ ਘੱਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਆਮ ਚੀਜ਼ਾਂ ਵਿੱਚ ਇਮਰਸ਼ਨ ਸੋਨਾ (ਮੋਟਾਈ 0.05-0.1μm), OSP (ਫਿਲਮ ਮੋਟਾਈ 0.2-0.5μm), ਅਤੇ ਇਮਰਸ਼ਨ ਸਿਲਵਰ (0.1-0.3μm) ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ। ਇਮਰਸ਼ਨ ਸੋਨਾ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।

ਸਿਆਹੀ ਦੀ ਲੇਸ ਨੂੰ 80-120Pa・s 'ਤੇ ਕੰਟਰੋਲ ਕਰਨਾ ਅਤੇ ਛੇਕਾਂ ਵਿੱਚ ਸਿਆਹੀ ਦੀ ਰਹਿੰਦ-ਖੂੰਹਦ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਵੈਕਿਊਮ ਪਲੱਗਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਛੇਕ ਰੋਕਣ ਦੀ ਦਰ ≤1% ਹੈ।

ਲੇਜ਼ਰ ਕਟਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਉਦੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਜਦੋਂ ਆਕਾਰ ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੀ ਲੋੜ

ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਖੁਰਦਰੀ ਮੋਰੀ ਦੀਆਂ ਕੰਧਾਂ (ਖਰਾਬਤਾ Ra >1.5μm), ਛੇਕਾਂ ਵਿੱਚ ਖਾਲੀ ਥਾਂਵਾਂ (ਖਾਲੀ ਅਨੁਪਾਤ >5%), ਛੇਕ ਭਟਕਣਾ (>±30μm), ਆਦਿ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਸਫਾਈ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਰਹਿੰਦ-ਖੂੰਹਦ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਮੋਰੀ ਦੀ ਕੰਧ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਦੀ ਖੁਰਦਰੀ Ra ≤1.0μm ਹੋਵੇ।

ਪਰਿਪੱਕ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਅਧੀਨ ਕੁੱਲ ਉਪਜ ਲਗਭਗ 85-92% ਹੈ। ਛੇਕ ਦਾ ਵਿਆਸ ਜਿੰਨਾ ਛੋਟਾ ਹੋਵੇਗਾ, ਉਪਜ ਓਨੀ ਹੀ ਘੱਟ ਹੋਵੇਗੀ। 50μm ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਦੀ ਉਪਜ ਲਗਭਗ 80% ਹੈ।

ਜਿਸ ਵਿੱਚ FR-4 (ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰ 4.2-4.5), ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਬੋਰਡ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਰੋਜਰਸ 4350B, Dk=3.66), BT ਰੈਜ਼ਿਨ, ਆਦਿ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਬੋਰਡਾਂ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਨੁਕਸਾਨ ਵਾਲਾ ਟੈਂਜੈਂਟ (Df

ਇੰਟਰਲੇਅਰ ਬਾਂਡਿੰਗ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਗੂੰਦ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ 40-50% ਅਤੇ ਤਰਲਤਾ 20-30% 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਲੈਮੀਨੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕੇ।

ਅੰਦਰਲੀ ਪਰਤ ਲਈ, 18μm ਜਾਂ 35μm ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਫੁਆਇਲ ਦੀ ਸਿਫ਼ਾਰਸ਼ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਬਾਹਰੀ ਪਰਤ ਲਈ, ਸਿਗਨਲ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ 18μm ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। HDI ਬੋਰਡ ਅਕਸਰ 9μm ਅਤਿ-ਪਤਲੇ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਫੁਆਇਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ।

ਇਸਨੂੰ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (260℃/10s 'ਤੇ ਕੋਈ ਛਿੱਲ ਨਾ), ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (>10^12Ω), ਅਤੇ ਅਡੈਸ਼ਨ (ਕਰਾਸ-ਕੱਟ ਟੈਸਟ ਪੱਧਰ 0) ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ।

ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ, ਖੁਰਦਰੇ Ra

ਘੱਟ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰਾਂਕ (Dk

ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਹੈਲੋਜਨ ਸਮੱਗਰੀ (ਕਲੋਰੀਨ + ਬ੍ਰੋਮਾਈਨ)

FR-4 ਬੇਸ ਮਟੀਰੀਅਲ ਦੀ ਕੀਮਤ ਸਭ ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੈ। ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਬੋਰਡਾਂ ਦੀ ਕੀਮਤ FR-4 ਨਾਲੋਂ 3-5 ਗੁਣਾ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ BT ਰੈਜ਼ਿਨ ਵਿਚਕਾਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

ਮੂਲ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ 25℃ ਤੋਂ ਘੱਟ ਅਤੇ ਨਮੀ

ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਵਿਜ਼ੂਅਲ ਨਿਰੀਖਣ, ਮੋਰੀ ਵਿਆਸ ਮਾਪ, ਮੋਰੀ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਟੈਸਟ, ਇਮਪੀਡੈਂਸ ਟੈਸਟ, ਅਤੇ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਚਿੱਤਰ ਮਾਪਣ ਵਾਲੇ ਯੰਤਰ (ਸ਼ੁੱਧਤਾ ±1μm) ਜਾਂ ਸਕੈਨਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ (SEM) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ। ਬੈਚ ਖੋਜ ਲਈ ਆਟੋਮੈਟਿਕ ਆਪਟੀਕਲ ਨਿਰੀਖਣ (AOI) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।

IPC ਮਿਆਰਾਂ ਲਈ ਛੇਕ ਵਿੱਚ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ≥20μm ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਔਸਤ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਅਤੇ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਦਾ ਅਨੁਪਾਤ ≤1.5 ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦਾ ਪਤਾ ਮੈਟਲੋਗ੍ਰਾਫਿਕ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਲਗਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

1-10GHz ਦੀ ਟੈਸਟ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਰੇਂਜ ਵਾਲੇ ਨੈੱਟਵਰਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਕ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ, ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਭਟਕਣਾ ਨੂੰ ±10% ਦੇ ਅੰਦਰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।

ਇਹ ±5μm ਦੀ ਸਲਾਈਸਿੰਗ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਨਾਲ, ਛੇਕ ਦੀ ਕੰਧ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ, ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਪਰਤ ਦੀ ਮੋਟਾਈ, ਅਤੇ ਇੰਟਰਲੇਅਰ ਬੰਧਨ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਗਤ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦੇਖ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ ਟੈਸਟ (260℃/10 ਵਾਰ), ਵੋਲਟੇਜ ਟੈਸਟ (500V DC/1 ਮਿੰਟ), ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ-ਨਮੀ ਚੱਕਰ ਟੈਸਟ (-40℃~85℃) ਸਮੇਤ।

ਥਰਮਲ ਸ਼ੌਕ ਟੈਸਟਿੰਗ (288℃/10 ਵਾਰ) ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਵੇਖੋ ਕਿ ਕੀ ਮੋਰੀ ਦੀ ਕੰਧ ਵਿੱਚ ਦਰਾੜ ਆਉਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਦਰਾੜ ਦੀ ਲੰਬਾਈ

ਸੂਖਮ ਢਾਂਚੇ ਦਾ ਨਿਰੀਖਣ ਕਰਨ ਲਈ SEM, ਤੱਤ ਰਚਨਾ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਉਣ ਲਈ ਊਰਜਾ-ਫੈਲਾਅ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (EDS), ਅਤੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਨੁਕਸ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਉਣ ਲਈ ਐਕਸ-ਰੇ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ।

ਛੇਕਾਂ ਵਿੱਚ ਖਾਲੀ ਥਾਂਵਾਂ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ, ਸੋਲਡਰ ਮਾਸਕ ਪਰਤ ਦੇ ਚਿਪਕਣ ਨੂੰ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਕਰਨ, ਅਤੇ ਵਾਤਾਵਰਣਕ ਕਾਰਕਾਂ ਕਾਰਨ ਹੋਣ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਮਾਈਗ੍ਰੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਓ।

ਆਮ ਵਰਤੋਂ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ, ਇਹ 5-10 ਸਾਲਾਂ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਕਠੋਰ ਵਾਤਾਵਰਣ (ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਉੱਚ ਨਮੀ) ਇਸਨੂੰ 2-3 ਸਾਲਾਂ ਤੱਕ ਘਟਾ ਦੇਵੇਗਾ।

ਇਸ ਵਿੱਚ SMT ਪੇਸਟਿੰਗ, BGA ਵੈਲਡਿੰਗ, ਅਤੇ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਇਨਸਰਸ਼ਨ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ±50μm ਦੀ SMT ਪੇਸਟਿੰਗ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ।

ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਨੂੰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਨੂੰ ਢਹਿਣ ਤੋਂ ਰੋਕਣ ਲਈ ਪੇਸਟਿੰਗ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਨੂੰ 0.5-1.0kg/cm² 'ਤੇ ਕੰਟਰੋਲ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਰੀਫਲੋ ਓਵਨ ਕਰਵ ਦਾ ਸਿਖਰ ਤਾਪਮਾਨ 230-245℃ ਹੈ।

ਸੋਲਡਰ ਗੇਂਦਾਂ (

ਸੋਲਡਰ ਪੇਸਟ ਪ੍ਰਿੰਟਿੰਗ ਮੋਟਾਈ (100-120μm) ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਓ, ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਰੀਫਲੋ ਸੋਲਡਰਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ, ਅਤੇ ਆਕਸੀਜਨ ਸਮੱਗਰੀ

ਮੁੜ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 260℃ ਤੋਂ ਘੱਟ ਕੰਟਰੋਲ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਮਾਂ

≥0.3mm ਦੇ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਵਾਲੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ, ਜਿਸ ਲਈ ਡਬਲ-ਵੇਵ ਸੋਲਡਰਿੰਗ ਜਾਂ ਚੋਣਵੇਂ ਵੇਵ ਸੋਲਡਰਿੰਗ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਸੋਲਡਰ ਵੇਵ ਉਚਾਈ 25-35mm ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

217℃ ਦੇ ਪਿਘਲਣ ਬਿੰਦੂ, ਫਲਕਸ ਐਕਟੀਵਿਟੀ ਲੈਵਲ RMA, ਅਤੇ ਰੈਜ਼ੀਡਿਊ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਰੋਧਕਤਾ >10^10Ω ਵਾਲੇ ਲੀਡ-ਫ੍ਰੀ ਸੋਲਡਰ ਪੇਸਟ (SnAgCu ਅਲਾਏ) ਨੂੰ ਤਰਜੀਹ ਦਿਓ।

ਸੋਲਡਰ ਪੇਸਟ ਦੀ ਧਾਤ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ 90-92% ਤੱਕ ਘਟਾਓ, ਸਟੈਂਸਿਲ ਓਪਨਿੰਗ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਓ, ਅਤੇ ਸੋਲਡਰ ਬੀਡ ਡਿਫੈਕਟ ਦਰ ਨੂੰ 0.1% ਤੋਂ ਘੱਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕਿ ਰਹਿੰਦ-ਖੂੰਹਦ ਆਇਨ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ

ਖੋਜ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨੂੰ ±25μm ਅਤੇ ਕੰਟ੍ਰਾਸਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਨੂੰ 30-50% 'ਤੇ ਸੈੱਟ ਕਰੋ, ਜੋ ਕਿ 95% ਤੋਂ ਵੱਧ ਅਸੈਂਬਲੀ ਨੁਕਸਾਂ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਲਾਗਤ 40-50%, ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਦੀ ਲਾਗਤ 30-40%, ਅਤੇ ਨਿਰੀਖਣ ਅਤੇ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਦੀ ਲਾਗਤ 10-20% ਹੈ।

ਛੇਕ ਦਾ ਵਿਆਸ, ਪਰਤਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ, ਸਤ੍ਹਾ ਦੇ ਇਲਾਜ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ, ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਕਿਸਮ। ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਛੇਕ ਦੇ ਵਿਆਸ ਵਿੱਚ ਹਰੇਕ 10μm ਦੀ ਕਮੀ ਲਾਗਤਾਂ ਨੂੰ 15-20% ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ।

ਪਰਤਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਘਟਾਉਣ, ਮਿਆਰੀ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਅਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਬੈਚਾਂ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਓ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਲਾਗਤਾਂ ਵਿੱਚ 10-30% ਦੀ ਕਮੀ ਆ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਰਵਾਇਤੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਲਈ ਉਤਪਾਦਨ ਚੱਕਰ 7-10 ਦਿਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਜ਼ਰੂਰੀ ਆਰਡਰਾਂ ਨੂੰ 3-5 ਦਿਨਾਂ ਤੱਕ ਸੰਕੁਚਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਲਾਗਤ 20-30% ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਸਵੈਚਾਲਿਤ ਉਤਪਾਦਨ ਲਾਈਨਾਂ ਨੂੰ ਅਪਣਾਓ, ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਓ, ਅਤੇ ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦਰ ਨੂੰ 80% ਤੋਂ ਵੱਧ ਵਧਾਓ।

ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਉਤਪਾਦਨ ਲਾਈਨ ਦੀ ਮਾਸਿਕ ਉਤਪਾਦਨ ਸਮਰੱਥਾ ਲਗਭਗ 5,000-10,000㎡ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ ਸੰਰਚਨਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਗੁੰਝਲਤਾ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੀ ਹੈ।

ਛੋਟੇ ਬੈਚਾਂ (1000㎡) ਨਾਲੋਂ 40-60% ਵੱਧ ਹੈ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਸ਼ੀਨ ਸੈੱਟਅੱਪ ਅਤੇ ਸਥਿਰ ਲਾਗਤ ਵੰਡ ਦੇ ਕਾਰਨ।

ਖੇਤਰਫਲ (ਯੂਆਨ/㎡), ਪਰਤਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ, ਛੇਕ ਵਿਆਸ, ਆਦਿ ਦੁਆਰਾ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਗਣਨਾ ਕੀਤੀ ਗਈ। ਇੱਕ ਆਮ 8-ਲੇਅਰ 0.1mm ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਬੋਰਡ ਲਈ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਫੀਸ ਲਗਭਗ 2000-3000 ਯੂਆਨ/㎡ ਹੈ।

ਡੀਐਫਐਮ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਓਪਟੀਮਾਈਜੇਸ਼ਨ ਰਾਹੀਂ, ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਢਿੱਲ ਦੇਣ ਨਾਲ ਲਾਗਤਾਂ ਨੂੰ 15% ਤੋਂ ਵੱਧ ਘਟਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਇੱਕ ਸੰਪੂਰਨ ਉਤਪਾਦਨ ਲਾਈਨ ਉਪਕਰਣ ਵਿੱਚ ਨਿਵੇਸ਼ ਲਗਭਗ 10-20 ਮਿਲੀਅਨ ਯੂਆਨ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨਾਂ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਲਾਈਨਾਂ, ਲੈਮੀਨੇਟਰ, ਆਦਿ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

ਛੋਟੇ ਛੇਕ ਵਿਆਸ (20 ਪਰਤਾਂ), ਘੱਟ ਨੁਕਸਾਨ, ਅਤੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਵੱਲ ਵਿਕਾਸ ਕਰਨਾ।

ਚਿੱਪ ਸਟੈਕਿੰਗ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਟੀਕਲ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਹੋਲ ਵਿਆਸ

ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਅਨੁਕੂਲਨ ਅਤੇ ਬੁੱਧੀਮਾਨ ਨੁਕਸ ਖੋਜ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਉਪਜ ਵਿੱਚ 5-10% ਅਤੇ ਖੋਜ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ 30% ਵਾਧਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।

10μm ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਦਾ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਲਿਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਪਰ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਸਮੱਗਰੀ, ਉਪਕਰਣ ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਉੱਚ-ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਰਾਹੀਂ ਚਿਪਸ ਅਤੇ PCBs ਵਿਚਕਾਰ ਸਹਿਜ ਕਨੈਕਸ਼ਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰੋ, ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਮਾਰਗਾਂ ਨੂੰ ਛੋਟਾ ਕਰੋ, ਅਤੇ ਸਿਸਟਮ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰੋ।

ਵਾਤਾਵਰਣ ਅਨੁਕੂਲ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਗੰਦੇ ਪਾਣੀ ਦੇ ਨਿਕਾਸ ਵਿੱਚ ਭਾਰੀ ਧਾਤੂ ਦੀ ਮਾਤਰਾ

ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਢਾਂਚੇ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਘੱਟ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰਾਂਕ (Dk＜3.0), ਅਤਿ-ਘੱਟ ਨੁਕਸਾਨ (Df＜0.001) ਸਮੱਗਰੀ, ਅਤੇ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

ਮੋੜਨ ਦੌਰਾਨ ਛੇਕ ਵਾਲੀ ਕੰਧ ਦੇ ਫਟਣ ਅਤੇ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਪਰਤ ਦੇ ਛਿੱਲਣ ਦੀਆਂ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ, ਜਿਸਦਾ ਮੋੜਨ ਦਾ ਘੇਰਾ ≥3mm ਹੋਵੇ।

ਡਿਜੀਟਲ ਫੈਕਟਰੀਆਂ ਰਾਹੀਂ ਪੂਰੀ-ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨਿਗਰਾਨੀ ਅਤੇ ਸਵੈਚਾਲਿਤ ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰੋ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਉਤਪਾਦਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ 50% ਤੋਂ ਵੱਧ ਦਾ ਵਾਧਾ ਹੋਇਆ ਹੈ।

ਕੁਆਂਟਮ ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਅਤੇ ਲਾਈਨ ਚੌੜਾਈ ਦੇ ਨਾਲ, ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸਥਿਰਤਾ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ।

ਚਿੱਪਾਂ, ਕੈਮਰਿਆਂ, ਆਦਿ ਦੇ ਉੱਚ-ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਏਕੀਕਰਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ 0.075mm ਦੇ ਛੇਕ ਵਿਆਸ ਵਾਲੇ 6-10 ਲੇਅਰ HDI ਬੋਰਡਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ, ਜੋ ਕਿ ਮੋਬਾਈਲ ਫੋਨ ਮਦਰਬੋਰਡ ਦੀ ਲਾਗਤ ਦਾ 30-40% ਬਣਦਾ ਹੈ।

ਘੱਟ-ਨੁਕਸਾਨ ਵਾਲੇ ਬੋਰਡਾਂ (Df＜0.003), 28GHz ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਦੇ ਸਪੋਰਟ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਬੈਂਡ, ਅਤੇ ਘਣਤਾ ≥15 vias/cm² ਦੁਆਰਾ ਗਰਮੀ ਦੇ ਨਿਪਟਾਰੇ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ।

ਮਲਟੀਪਲ ਪ੍ਰੋਸੈਸਰਾਂ ਦੇ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ, ਸਟੱਬਸ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਨ ਲਈ ਬੈਕ-ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ, ਅਤੇ ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਦੇਰੀ

AEC-Q100 ਸਰਟੀਫਿਕੇਸ਼ਨ, ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਸੀਮਾ -40℃~125℃, ਅਤੇ 1000-ਘੰਟੇ ਦਾ ਨਮਕ ਸਪਰੇਅ ਟੈਸਟ ਪਾਸ ਕਰੋ।