Mikroporéis PCB

Eng gedréckte Leiterplat (PCB), déi mat Laser- oder Plasmaätztechnologie hiergestallt gëtt, mat engem Lachduerchmiesser vu méi kleng wéi 0,15 mm (d'Industrie benotzt typescherweis 0,1 mm als Standard), a gëtt fir héichdichteg Verbindungen benotzt.

Den Duerchmiesser vum Lach ass méi wéi 50% méi kleng wéi dee vun normale PCBs, d'Linnebreet/-Ofstand kann 30μm/30μm erreechen, d'Verdrahtungsdicht gëtt ëm den 2-3-Fach erhéicht, an et ass gëeegent fir Héichfrequenz- an Héichgeschwindegkeetssignaliwwerdroung.

Jee no dem Prozess gi se a Blannvias (eensäiteg Leedung), Vergräifte Vias (intern Leedung) an Duerchgangsvias (duerch déi ganz Plack) opgedeelt. Den übleche Duerchmiesserberäich fir Blannvias läit bei 50-100 μm.

Vill benotzt a Szenarie mat héijer Dichtintegratioun wéi Smartphones (déi méi wéi 60%), 5G-Basisstatiounen, Server-Motherboards an KI-Chipverpackungen.

Et ass entstanen nodeems d'Laserbuertechnologie an den 1990er Joren entwéckelt gouf. Deen aktuellen Mainstream-Prozess kann en Duerchmiesser vun 30 μm erreechen, an de minimale Lachduerchmiesser, deen opgezeechent gouf, ass 15 μm.

De minimale Lachduerchmiesser fir d'industriell Masseproduktioun kann 50μm erreechen, an d'Laborlimit ass 15μm, awer d'Käschte klammen exponentiell mat der Ofsenkung vum Lachduerchmiesser.

Am Allgemengen ass d'Aspektverhältnis net méi wéi 1:1, a speziell Prozesser kënnen 1:0,8 erreechen. En ze héicht Aspektverhältnis kann zu enger schlechter Fëllung vun der Galvaniséierung féieren.

De recommandéierte Mindestofstand ass ≥80μm, fir d'Integritéit vun der stromloser Kupferbeschichtung ze garantéieren an de Risiko vu Kuerzschluss ze reduzéieren.

Et ass recommandéiert, ofwiesselnd Stapelung vu Kärplatten a Prepregs ze benotzen, mat der Zwëscheschicht-dielektrescher Déckt op 50-75 μm kontrolléiert, fir d'Signaliwwerdroungsqualitéit ze garantéieren.

Et ass néideg, op déi parasitär Kapazitéit vum Lach (typesche Wäert

Fir BGA Fan-out gëtt e Blind-Via-Design bevorzugt. All Pad entsprécht 1-2 Mikrovias, an d'Fan-out-Linnbreet ass net manner wéi 40 μm.

Realiséiert eng Méipunktverbindung tëscht Stroum-/Buedemplanen iwwer Mikroviassen, mat engem Ofstand vun ≤5 mm, fir d'Impedanz tëscht de Planen ze reduzéieren.

Erhéicht d'Dicht vun den Hëtzoflafvias (recommandéiert ≥10 Vias/cm²), mat engem Lachduerchmiesser ≥80μm, fir d'Hëtzeleitungseffizienz ze verbesseren.

D'Ouverture vun der Lötmask soll op all Säit 20-30 μm méi grouss sinn wéi den Duerchmiesser vum Lach, fir ze verhënneren, datt d'Lötmaskentënt d'Lach verstoppt.

Adoptéiert en Opbauprozess fir d'Zuel vun de Verdrahtungsschichten ze erhéijen, a benotzt blann a vergraff Vias amplaz vun Duerchgangsvias, wat d'Verdrahtungsdicht ëm méi wéi 30% erhéije kann.

Inklusiv Laserbuerungen (CO₂, UV-Laser), Plasmaätzen a mechanesch Buerungen (nëmme fir méi grouss Lächerduerchmiesser gëeegent), woubäi Laserbuerungen méi wéi 80% ausmaachen.

E CO₂-Laser ass gëeegent fir Lächerduerchmiesser vun 0,075-0,15 mm mat niddrege Käschten; en UV-Laser kann Mikrovias

D'Buergeschwindegkeet vum CO₂-Laser ass ongeféier 5.000-10.000 Lächer pro Minutt, an déi vum UV-Laser ass ongeféier 2.000-5.000 Lächer pro Minutt.

D'Positionéierungsgenauegkeet vu Laserbuerungen ass ±25μm, déi vu mechanesche Buerungen ass ±50μm, an UV-Laser kann eng héich Präzisioun vun ±15μm erreechen.

Stéckstoffgestëtzte Laserbuerung kann d'Grathéicht bannent 5μm kontrolléieren, oder Plasmaentfernung kann benotzt ginn.

E Galvaniséierungsprozess duerch d'Lach ass erfuerderlech, mat enger Kupferbeschichtungsdicke vun 25-35 μm an enger Uniformitéit vun der Kupferdicke am Lach vun ≥85%.

Bréngt eng 0,3-0,5 μm déck Kofferschicht op d'Isolatiounslachwand of, fir eng leitfäeg Basis ze bilden. D'Konzentratioun vu Palladiumionen an der Aktivéierungsléisung muss op 2-5 ppm kontrolléiert ginn.

D'Laminéierungstemperatur ass 180-210 ℃, den Drock ass 300-500psi, an d'Heizungsquote ass 1-2 ℃/Minutt fir eng gläichméisseg Aushärtung vun der dielektrescher Schicht ze garantéieren.

De Vakuumgrad muss ënner -95 kPa leien. Wann de Prepreg virum Laminéieren op d'Stadium B virhärtet, kann d'Blasendefektquote op ënner 0,5% reduzéiert ginn.

Zu de gängegsten gehéieren Tauchgold (Déckt 0,05-0,1 μm), OSP (Schichtdicke 0,2-0,5 μm) an Tauchsëlwer (0,1-0,3 μm). Tauchgold huet déi héchst Zouverlässegkeet.

Et ass néideg, d'Viskositéit vun der Tënt op 80-120 Pa・s ze kontrolléieren an e Vakuumverstoppungsprozess ze benotzen, fir Tëntreschter an de Lächer ze vermeiden, mat enger Lächerblockéierungsquote ≤1%.

Laserschneiden gëtt benotzt wann d'Formgenauegkeet

Inklusiv rauh Lachwänn (Rauheet Ra >1.5μm), Lächer an de Lächer (Lächerverhältnis >5%), Lachofwäichung (>±30μm), etc.

Plasmareinigung gëtt benotzt fir Buerreschter ze entfernen, sou datt d'Uewerflächenrauheet Ra vun der Lachwand ≤1,0 μm ass.

Déi total Ausbezuelung bei reife Prozesser ass ongeféier 85-92%. Wat méi kleng den Duerchmiesser vum Lach ass, wat méi niddreg d'Ausbezuelung ass. D'Ausbezuelung vu 50μm Mikrovias ass ongeféier 80%.

Dorënner FR-4 (Dielektrizitéitskonstant 4,2-4,5), High-Speed-Platen (wéi Rogers 4350B, Dk=3,66), BT-Harz, etc.

Héichgeschwindegkeetsplatten hunn eng méi niddreg Verloschttangent (Df

Benotzt fir d'Zwëscheschichtverbindung, woubäi de Klebstoffgehalt op 40-50% an d'Flëssegkeet op 20-30% kontrolléiert gëtt, fir d'Uniformitéit vum Dielektrikum no der Laminéierung ze garantéieren.

Fir déi bannenzeg Schicht gëtt eng 18μm oder 35μm Kupferfolie recommandéiert. Fir déi baussenzeg Schicht kann 18μm benotzt ginn, fir de Signalverloscht ze reduzéieren. HDI-Placke benotzen dacks eng 9μm ultradënn Kupferfolie.

Et muss d'Temperaturbeständegkeet (kee Schälen bei 260 ℃/10s), den Isolatiounswiderstand (>10^12Ω) an d'Adhäsioun (Querschnittstestniveau 0) erfëllen.

Et ass recommandéiert, RTF (Reverse Treatment) Kupferfolie mat enger Rauheet Ra

Léiwer Materialien mat enger gerénger dielektrescher Konstant (Dk

Si mussen der RoHS 2.0-Direktiv entspriechen, mat engem Halogengehalt (Chlor + Brom)

FR-4 Basismaterial huet déi niddregst Käschten. High-Speed-Placke kaschten 3-5 Mol sou vill wéi FR-4, an BT-Harz läit dertëschent.

D'Basismaterial muss bei enger Temperatur ënner 25℃ an enger Loftfiichtegkeet vu

Inklusiv visuell Inspektioun, Miessung vum Lachduerchmiesser, Lachkupferdickentest, Impedanztest a Querschnittsanalyse.

Benotzt en zweedimensionalt Bildmiessinstrument (Genauegkeet ±1μm) oder e Rasterelektronemikroskop (SEM). Automatesch optesch Inspektioun (AOI) kann fir d'Chargendetektioun benotzt ginn.

IPC-Normen verlaangen, datt d'Kupferdicke am Lach ≥20μm ass, an d'Verhältnes vun der duerchschnëttlecher Kupferdicke zu der minimaler Kupferdicke ≤1,5 ​​ass, wat mat der metallographescher Querschnittsmethod festgestallt gëtt.

Benotzt en Netzwierkanalysator mat engem Testfrequenzberäich vun 1-10 GHz, an d'Impedanzofwäichung soll bannent ±10% kontrolléiert ginn.

Et kann d'Qualitéit vun der Lachwand, d'Déckt vun der Kupferschicht an den Zoustand vun der Zwëscheschichtverbindung visuell observéieren, mat enger Schnëttgenauegkeet vun ±5 μm.

Inklusiv thermesche Stresstest (260 ℃/10 Mol), Widderstandsspannungstest (500 V DC/1 Minutt) an Temperatur-Fiichtegkeetszyklustest (-40 ℃~85 ℃).

Observéiert ob d'Lachwand no engem Thermoschocktest (288℃/10 Mol) Rëss verursaacht, an ob eng Rësslängt vu

Benotzt SEM fir d'Mikrostruktur ze observéieren, energiedispersive Spektroskopie (EDS) fir d'Elementerzesummesetzung ze detektéieren, a Röntgen fir intern Defekter ze detektéieren.

Optiméiert de Galvaniséierungsprozess fir Lächer an de Lächer ze reduzéieren, d'Adhäsioun vun der Lötmaskeschicht ze stäerken an elektrochemesch Migratioun ze vermeiden, déi duerch Ëmweltfaktoren verursaacht gëtt.

Ënner normalen Benotzungsbedingunge kann et 5-10 Joer erreechen, an haart Ëmfeld (héich Temperatur, héich Fiichtegkeet) verkierzen et op 2-3 Joer.

Inklusiv SMT-Pasting, BGA-Schweißen an Komponenteninsertioun, mat enger SMT-Pastinggenauegkeetsufuerderung vun ±50 μm.

Et ass néideg den Drock bei der Paste bei 0,5-1,0 kg/cm² ze kontrolléieren, fir ze verhënneren, datt d'Komponenten d'Mikrovias zesummebriechen, an d'Héichpunkttemperatur vun der Reflow-Uewen-Kurve ass 230-245 ℃.

Et ass néideg, d'Koplanaritéit vun de Lötkugelen präzis ze kontrolléieren (

Optiméiert d'Déckt vun der Lötpaste-Drockdéckt (100-120μm), benotzt Stéckstoffgeschützt Reflow-Lötung, an den Sauerstoffgehalt ass

D'Neibearbechtungstemperatur soll ënner 260 ℃ kontrolléiert ginn, an d'Zäit soll

Gëeegent fir Mikrovias mat engem Lachduerchmiesser ≥0,3 mm, déi Duebelwellenlötung oder selektiv Wellenlötung erfuerderen, mat enger Lötwellenhéicht vun 25-35 mm.

Gitt Prioritéit bleifräier Lötpaste (SnAgCu-Legierung) mat engem Schmelzpunkt vun 217 ℃, engem Fluxaktivitéitsniveau (RMA) an engem Reschtisolatiounswiderstand vun > 10^10Ω.

Reduzéiert den Metallgehalt vun der Lötpaste op 90-92%, optimiséiert den Design vun der Schablounenöffnung, an d'Fehlquote vun de Lötperlen kann op ënner 0,1% reduzéiert ginn.

Benotzt Botzmëttel op Waasserbasis bei enger Temperatur vun 50-60 ℃ fir 3-5 Minutten, fir sécherzestellen, datt d'Konzentratioun vun den Iwwerreschterionen

Setzt d'Detektiounsgenauegkeet op ±25μm an de Kontrastschwellwäert op 30-50%, wat méi wéi 95% vun de Montagedefekter detektéiere kann.

D'Materialkäschte maachen 40-50% aus, d'Veraarbechtungskäschte 30-40% an d'Inspektiouns- a Verpackungskäschte 10-20%.

Lachduerchmiesser, Zuel vun de Schichten, Uewerflächenbehandlungsprozess, Materialtyp. All Reduktioun vum minimale Lachduerchmiesser ëm 10 μm erhéicht d'Käschten ëm 15-20 %.

Optiméiert den Design fir d'Zuel vun de Schichten ze reduzéieren, standardiséiert Materialien ze benotzen an d'Produktiounschargen ze erhéijen, wat d'Käschten ëm 10-30% reduzéiere kann.

De Produktiounszyklus fir konventionell Prozesser ass 7-10 Deeg, an dréngend Bestellunge kënnen op 3-5 Deeg reduzéiert ginn, awer d'Käschte klammen ëm 20-30%.

Automatiséiert Produktiounslinnen adoptéieren, Prozesser optimiséieren an d'Auslastungsquote vu Laserbuergeräter op méi wéi 80% erhéijen.

Déi monatlech Produktiounskapazitéit vun enger eenzeger Produktiounslinn ass ongeféier 5.000-10.000㎡, ofhängeg vun der Konfiguratioun vun der Ausrüstung an der Prozesskomplexitéit.

D'Käschte vu klenge Chargen (1000㎡), haaptsächlech wéinst dem Maschinenopbau an der Allokatioun vu fixe Käschten.

Ëmfaassend berechent no Fläch (Yuan/㎡), Unzuel vun de Schichten, Lachduerchmiesser, etc. D'Veraarbechtungsgebühr fir eng typesch 8-Schicht 0,1 mm Microvia-Plat ass ongeféier 2000-3000 Yuan/㎡.

Duerch d'Optimiséierung vun der DFM-Design kann d'Opléisung vun den Toleranzufuerderungen ënner der Viraussetzung vun der Erfëllung vun der Leeschtung d'Käschten ëm méi wéi 15% reduzéieren.

D'Investitioun an eng komplett Produktiounslinnausrüstung belauft sech op ongeféier 10-20 Milliounen Yuan, dorënner Laserbuermaschinnen, Galvaniséierungslinnen, Laminatoren, etc.

Entwécklung a Richtung méi klenge Lächerduerchmiesser (20 Schichten), manner Verloschter an integréiert Verpackung.

Et ass néideg, vertikal Duerchmiesser vun den Verbindungslächer

Gëtt fir Prozessparameteroptimiséierung an intelligent Defektdetektioun benotzt, wat d'Ausbezuelung ëm 5-10% an d'Detektiounseffizienz ëm 30% erhéije kann.

D'Laboratoireproduktioun vu Lächerduerchmiesser vun 10 μm ass schonn erreecht ginn, awer d'Masseproduktioun steet virun Erausfuerderungen am Beräich Material, Ausrüstung a Käschten.

Erreecht eng nahtlos Verbindung tëscht Chips a PCBs duerch héichdichteg Verbindung, verkierzt d'Signaliwwerdroungsweeër a verbessert d'Systemleistung.

Benotzt ëmweltfrëndlech Materialien a Prozesser, mat engem Schwéiermetallgehalt am Ofwaasseroflaf vun

Et gëtt Materialien mat enger niddreger dielektrescher Konstant (Dk

Et ass néideg, d'Problemer vum Rëssbildung vun der Lachwand an dem Ofblättern vun der Kupferschicht beim Biegen ze léisen, mat engem Biegradius ≥3mm.

Erreecht eng komplett Prozessiwwerwaachung an automatiséiert Produktioun duerch digital Fabriken, mat enger Erhéijung vun der Produktiounseffizienz ëm méi wéi 50%.

Erfuerdert extrem verloschtsniddereg an héichstabilitéitlech Verbindungen, mat Lächerduerchmiesser a Linnbreeten, déi op Submikronniveau kontrolléiert ginn, fir d'Iwwerdroung vu Quantesignalen ze garantéieren.

Benotzt 6-10-Schichten HDI-Placken mat engem Lachduerchmiesser vun 0,075 mm fir eng héichdichteg Integratioun vu Chips, Kameraen, etc. z'erreechen, wat 30-40% vun de Käschte vun engem Handy-Motherboard ausmécht.

Erfuerderen Platen mat geréngem Verloscht (Df

Et ass néideg, d'High-Speed-Verbindung vu verschiddene Prozessoren z'erfëllen, Back-Drilling-Technologie ze benotzen fir Stubs ze eliminéieren, an d'Signaliwwerdroungsverzögerung

Besteet den AEC-Q100 Zertifizéierung, ass Temperaturbeständegkeet -40℃~125℃ a besteet den 1000-Stonne Salzspraytest.