Микро сүвэрхэг ПХБ

Өндөр нягтралтай холболтод ашигладаг, 0.15 мм-ээс бага нүхний диаметртэй (салбарт ихэвчлэн 0.1 мм-ийг стандарт болгон ашигладаг) лазер эсвэл плазмын сийлбэрийн технологи ашиглан үйлдвэрлэсэн хэвлэмэл хэлхээний самбар (PCB).

Нүхний диаметр нь ердийн хэлхээний хавтангаас 50%-иас бага, шугамын өргөн/зай нь 30μm/30μm хүрч, утасны нягтрал 2-3 дахин нэмэгдэж, өндөр давтамжтай болон өндөр хурдтай дохио дамжуулахад тохиромжтой.

Процессын дагуу тэдгээрийг сохор виас (нэг талт дамжуулалт), далд виас (дотоод дамжуулалт), нэвтрэн виас (бүхэл бүтэн самбараар дамжин) гэж хуваадаг. Нийтлэг сохор нэвтрэн ...

Ухаалаг утас (60 гаруй хувийг эзэлдэг), 5G суурь станцууд, серверийн эх хавтан, хиймэл оюун ухааны чип сав баглаа боодол зэрэг өндөр нягтралтай интеграцийн хувилбаруудад өргөн хэрэглэгддэг.

Энэ нь 1990-ээд онд лазер өрөмдлөгийн технологи боловсорсны дараа гарч ирсэн. Одоогийн гол урсгалын процесс нь 30μм нүхний диаметртэй болох боломжтой бөгөөд нүхний диаметрийн хамгийн бага дээд амжилт нь 15μм юм.

Аж үйлдвэрийн массын үйлдвэрлэлийн нүхний хамгийн бага диаметр нь 50μм хүрч болох бөгөөд лабораторийн хязгаар нь 15μм байдаг боловч нүхний диаметр буурах тусам өртөг нь экспоненциал байдлаар нэмэгддэг.

Ерөнхийдөө харьцаа нь 1:1-ээс хэтрэхгүй бөгөөд тусгай процессууд нь 1:0.8 хүрч болно. Хэт өндөр харьцаа нь электролизийн дүүргэлтийг муутгах магадлалтай.

Электролизгүй зэс бүрэх давхаргын бүрэн бүтэн байдлыг хангах, богино холболтын эрсдэлийг бууруулахын тулд санал болгож буй хамгийн бага зай нь ≥80μm байна.

Дохионы дамжуулалтын чанарыг хангахын тулд давхаргын диэлектрик зузааныг 50-75μм-ээр хянаж, гол хавтан болон препрегийг ээлжлэн давхарлахыг зөвлөж байна.

Нүхний паразит багтаамж (ердийн утга

BGA сэнс гаргахын тулд сохор хэлбэрийн загварыг илүүд үздэг. Дэвсгэр бүр нь 1-2 микровиатай тохирч байгаа бөгөөд сэнс гаргах шугамын өргөн нь 40μм-ээс багагүй байна.

Хавтгайнуудын хоорондох импедансыг багасгахын тулд цахилгаан/газрын хавтгайнуудын хооронд ≤5мм зайтай микровиагаар дамжуулан олон цэгийн холболтыг хэрэгжүүлнэ.

Дулаан дамжуулалтын үр ашгийг сайжруулахын тулд ≥80μм нүхний диаметртэй дулаан тархалтын хоолойн нягтралыг нэмэгдүүлнэ (≥10 хоолой/см² байхыг зөвлөж байна).

Гагнуурын маскны бэх нүхийг бөглөрөхөөс сэргийлж гагнуурын маскны нүх нь хоёр талын нүхний диаметрээс 20-30μм том байх ёстой.

Утасны давхаргын тоог нэмэгдүүлэхийн тулд угсралтын процессыг хэрэгжүүлж, нэвтрэлтийн оронд далд болон далдлагдсан нэвтрэлтийн хоолойг ашигласнаар утасны нягтралыг 30%-иас дээш нэмэгдүүлэх боломжтой.

Лазер өрөмдлөг (CO₂, хэт ягаан туяаны лазер), плазмын сийлбэр, механик өрөмдлөг (зөвхөн том нүхний диаметрт тохиромжтой) зэрэг орно, лазер өрөмдлөг нь 80%-иас дээш хувийг эзэлдэг.

CO₂ лазер нь 0.075-0.15 мм диаметртэй нүхэнд тохиромжтой бөгөөд хямд өртөгтэй; хэт ягаан туяаны лазер нь

CO₂ лазерын өрөмдлөгийн хурд минутанд 5000-10000 нүх, хэт ягаан туяаны лазерынх минутанд 2000-5000 нүх байдаг.

Лазер өрөмдлөгийн байрлалын нарийвчлал нь ±25μм, механик өрөмдлөгийнх ±50μм, хэт ягаан туяаны лазер нь ±15μм өндөр нарийвчлалтай байж чадна.

Азотын тусламжтайгаар лазер өрөмдлөг нь нүхний өндрийг 5μм дотор хянах эсвэл плазмын үлдэгдлийг арилгах аргыг ашиглаж болно.

Зэсийн бүрэлтийн зузааныг 25-35μм-ээр хянаж, нүхэнд зэсийн зузааны жигд байдал ≥85% байхаар нүхээр электролиз хийх шаардлагатай.

Цахилгаан дамжуулах суурь үүсгэхийн тулд тусгаарлагч нүхний хананд 0.3-0.5μm зэсийн давхарга түрхэнэ. Идэвхжүүлэгч уусмал дахь палладийн ионы концентрацийг 2-5ppm-д хянах шаардлагатай.

Ламинжуулах температур 180-210℃, даралт 300-500psi, халаалтын хурд нь минутанд 1-2℃ байна. Энэ нь диэлектрик давхаргын жигд хатууралтыг хангах болно.

Вакуумын зэрэг нь -95кПа-аас доош байх шаардлагатай. Ламинжуулахаас өмнө препрегийг В үе шатанд урьдчилан хатааж, бөмбөлөгний согогийн түвшинг 0.5%-иас доош бууруулж болно.

Түгээмэлд нь дүрэх алт (зузаан нь 0.05-0.1μм), OSP (хальсан зузаан нь 0.2-0.5μм), дүрэх мөнгө (0.1-0.3μм) орно. Дүрэх алт нь хамгийн өндөр найдвартай байдаг.

Бэхний зуурамтгай чанарыг 80-120Па・с түвшинд хянаж, нүхэнд бэх үлдэгдэл үүсэхээс сэргийлж вакуум бөглөх процессыг ашиглах шаардлагатай бөгөөд нүх бөглөх түвшин ≤1% байна.

Лазер зүсэлтийг хэлбэрийн нарийвчлалын шаардлага

Нүхний барзгар хана (Ra >1.5μm), нүхнүүд дэх хоосон зай (хоосон зайны харьцаа >5%), нүхний хазайлт (>±30μm) гэх мэт орно.

Плазмын цэвэрлэгээг өрөмдлөгийн үлдэгдлийг зайлуулахад ашигладаг бөгөөд ингэснээр нүхний хананы гадаргуугийн барзгаржилт Ra нь ≤1.0μm байна.

Боловсорсон процессын үед нийт ургац ойролцоогоор 85-92% байдаг. Нүхний диаметр бага байх тусам ургац бага байдаг. 50μm микровиагийн ургац ойролцоогоор 80% байдаг.

FR-4 (диэлектрик тогтмол 4.2-4.5), өндөр хурдны самбар (жишээ нь Рожерс 4350B, Dk=3.66), BT давирхай гэх мэт орно.

Өндөр хурдны самбарууд нь алдагдал багатай тангенстай (Df

Давхарга хоорондын наалт хийхэд ашигладаг бөгөөд ламинжуулсны дараа диэлектрикийн жигд байдлыг хангахын тулд цавууны агууламжийг 40-50%, шингэнийг 20-30% -иар хянадаг.

Дотор давхаргын хувьд 18μm эсвэл 35μm зэс тугалган цаас хэрэглэхийг зөвлөж байна. Гадна давхаргын хувьд дохионы алдагдлыг бууруулахын тулд 18μm ашиглаж болно. HDI самбарууд нь ихэвчлэн 9μm хэт нимгэн зэс тугалган цаас ашигладаг.

Энэ нь температурын эсэргүүцэл (260℃/10s-д хальслахгүй), тусгаарлагчийн эсэргүүцэл (>10^12Ω) болон наалдац (хөндлөн огтлолын туршилтын түвшин 0)-ийг хангасан байх шаардлагатай.

Дохионы дамжуулалтын алдагдлыг бууруулахын тулд барзгаржилт Ra

PTFE суурьтай хавтан гэх мэт диэлектрик тогтмол багатай (Dk

Тэд галогенийн агууламж (хлор + бром)

FR-4 суурь материал нь хамгийн бага өртөгтэй. Өндөр хурдтай хавтангууд нь FR-4-ээс 3-5 дахин үнэтэй бөгөөд BT давирхай нь дунд нь ордог.

Үндсэн материалыг 25°C-аас доош температурт, чийгшил

Үүнд харааны үзлэг, нүхний диаметрийн хэмжилт, нүхний зэсийн зузааны туршилт, импедансын туршилт, хөндлөн огтлолын шинжилгээ орно.

Хоёр хэмжээст дүрс хэмжих хэрэгсэл (нарийвчлал ±1μm) эсвэл сканнердах электрон микроскоп (SEM) ашиглана уу. Багц илрүүлэхэд автомат оптик үзлэг (AOI) ашиглаж болно.

IPC стандартууд нь нүхний зэсийн зузааныг ≥20μm, зэсийн дундаж зузаан ба хамгийн бага зэсийн зузааны харьцааг металлографийн хөндлөн огтлолын аргаар илрүүлэхийг ≤1.5 гэж шаарддаг.

1-10GHz туршилтын давтамжийн хүрээтэй сүлжээний анализаторыг ашиглах ба импедансын хазайлтыг ±10% дотор хянах ёстой.

Энэ нь нүхний хананы чанар, зэсийн давхаргын зузаан, давхаргын хоорондын холболтын нөхцөл байдлыг ±5μm зүсэлтийн нарийвчлалтайгаар нүдээр ажиглаж чадна.

Дулааны стрессийн туршилт (260℃/10 удаа), тэсвэрлэх хүчдэлийн туршилт (500V DC/1 минут), температур-чийгшлийн мөчлөгийн туршилт (-40℃~85℃) багтана.

Дулааны цочролын туршилтын дараа (288℃/10 удаа) нүхний хана хагарсан эсэхийг, мөн хагарлын урт

Бичил бүтцийг ажиглахад SEM, элементийн найрлагыг илрүүлэхэд энерги тархах спектроскопи (EDS), дотоод согогийг илрүүлэхэд рентген туяа ашиглана уу.

Нүхний хоосон зайг багасгах, гагнуурын маск давхаргын наалдацыг бэхжүүлэх, хүрээлэн буй орчны хүчин зүйлээс үүдэлтэй электрохимийн шилжилт хөдөлгөөнөөс зайлсхийхийн тулд электролизийн процессыг оновчтой болгоно.

Ердийн ашиглалтын нөхцөлд 5-10 жил хүртэл ашиглах боломжтой бөгөөд хатуу ширүүн орчин (өндөр температур, өндөр чийгшил) нь үүнийг 2-3 жил хүртэл богиносгодог.

SMT наалт, BGA гагнуур, эд анги оруулах зэрэг SMT наалтын нарийвчлалын шаардлага ±50μm байна.

Бүрэлдэхүүн хэсгүүдийг нураахаас сэргийлэхийн тулд наалдамхай даралтыг 0.5-1.0 кг/см² түвшинд хянах шаардлагатай бөгөөд дахин урсдаг зуухны муруйн оргил температур нь 230-245℃ байна.

Гагнуурын бөмбөлөгүүдийн хавтгай байдлыг (

Гагнуурын зуурмагийн хэвлэх зузааныг оновчтой болгох (100-120μm), азотын хамгаалалттай дахин урсгалтай гагнуур ашиглах, хүчилтөрөгчийн агууламж

Нүхний ханан дээрх зэсийн давхарга хуулагдахаас сэргийлж дахин боловсруулах температурыг 260°C-аас доош хянаж, хугацаа

25-35 мм-ийн гагнуурын долгионы өндөртэй, давхар долгионы гагнуур эсвэл сонгомол долгионы гагнуур шаарддаг, ≥0.3 мм нүхний диаметртэй микровиад тохиромжтой.

Хайлах цэг нь 217℃, урсгалын идэвхжилийн түвшин RMA, үлдэгдлийн тусгаарлагчийн эсэргүүцэл >10^10Ω бүхий хар тугалгагүй гагнуурын зуурмаг (SnAgCu хайлш)-д давуу эрх олгоно.

Гагнуурын зуурмагийн металлын агууламжийг 90-92% хүртэл бууруулж, трафаретийн нүхний загварыг оновчтой болгож, гагнуурын ирмэгийн согогийн түвшинг 0.1% -иас доош бууруулж болно.

Үлдэгдэл ионы концентраци

Илрүүлэлтийн нарийвчлалыг ±25μm, тодосгогчийн босгыг 30-50% болгож тохируулснаар угсралтын согогийн 95%-иас дээш хувийг илрүүлж чадна.

Материалын зардал 40-50%, боловсруулалтын зардал 30-40%, үзлэг, сав баглаа боодлын зардал 10-20% -ийг эзэлдэг.

Нүхний диаметр, давхаргын тоо, гадаргуугийн боловсруулалтын процесс, материалын төрөл. Нүхний хамгийн бага диаметрийг 10μм тутамд бууруулах нь зардлыг 15-20%-иар нэмэгдүүлдэг.

Давхаргын тоог цөөрүүлэх, стандартчилагдсан материалыг ашиглах, үйлдвэрлэлийн багцыг нэмэгдүүлэхийн тулд дизайныг оновчтой болгосноор зардлыг 10-30% бууруулах боломжтой.

Уламжлалт процессын үйлдвэрлэлийн мөчлөг нь 7-10 хоног бөгөөд яаралтай захиалгыг 3-5 хоног хүртэл шахаж болох боловч өртөг нь 20-30%-иар нэмэгддэг.

Автоматжуулсан үйлдвэрлэлийн шугамыг нэвтрүүлж, үйл явцын урсгалыг оновчтой болгож, лазер өрөмдлөгийн тоног төхөөрөмжийн ашиглалтын түвшинг 80%-иас дээш болгон нэмэгдүүлэх.

Нэг үйлдвэрлэлийн шугамын сарын үйлдвэрлэлийн хүчин чадал нь тоног төхөөрөмжийн тохиргоо болон үйл явцын нарийн төвөгтэй байдлаас хамааран ойролцоогоор 5,000-10,000㎡ байна.

Жижиг багцын (1000м²) өртөгөөс 40-60% өндөр байдаг бөгөөд энэ нь голчлон машины тохиргоо болон тогтмол зардлын хуваарилалттай холбоотой юм.

Талбай (юань/㎡), давхаргын тоо, нүхний диаметр гэх мэтээр цогцоор нь тооцоолсон. Ердийн 8 давхаргатай 0.1 мм-ийн микровиа хавтангийн боловсруулалтын төлбөр нь ойролцоогоор 2000-3000 юань/㎡ байдаг.

DFM дизайны оновчлолын тусламжтайгаар гүйцэтгэлийг хангахын тулд хүлцлийн шаардлагыг сулруулснаар зардлыг 15%-иас дээш хувиар бууруулж чадна.

Бүрэн үйлдвэрлэлийн шугамын тоног төхөөрөмжийн хөрөнгө оруулалт нь лазер өрөмдлөгийн машин, электролизийн шугам, ламинатор гэх мэтийг багтаасан 10-20 сая юань орчим юм.

Жижиг нүхний диаметр (20 давхарга), бага алдагдал, нэгдсэн сав баглаа боодол руу чиглэж байна.

Чип давхарлах шаардлагыг хангахын тулд босоо холболтын нүхний диаметр

Процессын параметрүүдийг оновчлох, ухаалаг согог илрүүлэхэд ашигладаг бөгөөд энэ нь гарцыг 5-10%, илрүүлэлтийн үр ашгийг 30% -иар нэмэгдүүлэх боломжтой.

10μм нүхний диаметртэй лабораторийн үйлдвэрлэл хийгдсэн боловч олноор үйлдвэрлэхэд материал, тоног төхөөрөмж, өртгийн бэрхшээл тулгарч байна.

Өндөр нягтралтай холболтоор дамжуулан чип болон хэлхээний самбаруудын хооронд жигд холболт хийх, дохио дамжуулах замыг богиносгох, системийн ажиллагааг сайжруулах.

Байгаль орчинд ээлтэй материал, процессыг ашиглан бохир усны урсац дахь хүнд металлын агууламж

Дохионы дамжуулалтын бүтцийг оновчтой болгохын тулд бага диэлектрик тогтмол (Dk

Нугалах радиус ≥3 мм байх үед нүхний хана хагарах, зэс давхарга хуулагдах асуудлыг шийдвэрлэх шаардлагатай.

Дижитал үйлдвэрүүдээр дамжуулан бүрэн процессын хяналт, автоматжуулсан үйлдвэрлэлийг бий болгож, үйлдвэрлэлийн үр ашгийг 50 гаруй хувиар нэмэгдүүлнэ.

Квант дохионы дамжуулалтыг хангахын тулд нүхний диаметр болон шугамын өргөнийг субмикрон түвшинд хянаж, маш бага алдагдалтай, өндөр тогтвортой холболт шаарддаг.

Чип, камер гэх мэтийг өндөр нягтралтай нэгтгэхийн тулд 0.075 мм нүхний диаметртэй 6-10 давхар HDI самбарыг ашиглан гар утасны эх хавтангийн өртгийн 30-40%-ийг эзэлнэ.

Бага алдагдалтай самбар (Df

Олон процессорын өндөр хурдны холболтыг хангах, гацалтыг арилгахын тулд арагш өрөмдөх технологийг ашиглах, дохио дамжуулах саатал

AEC-Q100 гэрчилгээтэй, -40℃~125℃ температурын эсэргүүцлийн хязгаарт тэнцсэн, 1000 цагийн давсны шүрших туршилтыг давсан.